|
Kingston Technology просит 800 долларов за 2 Гб памяти DDR3 PC11000 со «сверхмалыми задержками»
Accent @ 07:52 В начале прошлого месяца, компания Kingston Technology анонсировала начало поставок модулей памяти DDR3 SDRAM HyperX 1375 МГц, которые были показаны на выставке Computex. Тогда речь шла о модулях объемом 512 Мб и 1 Гб (и наборах из них суммарным объемом 1 и 2 Гб) со следующими задержками: CAS Latency – 7, CL7-7-7-20. _http://www.ixbt.com/short/images/KingstonTechnologyDDR3.jpg Сегодня Kingston Technology пополнила семейство HyperX модулями DDR3 1375 МГц со сверхмалыми задержками (Ultra Low-Latency, ULL). Ориентированные на энтузиастов компьютерных игр и «разгона», модули характеризуются значением CL5 и являются первыми в отрасли модулями DDR3 с CL5 на частотах PC11000 (1375 МГц). «Меньшая задержка CAS повышает производительность без увеличения теплоотдачи, которое потребовало бы дополнительных мер охлаждения системы», - отметил представитель компании. Новые модули объемом 1 Гб доступны по одному и в наборах суммарным объемом 2 Гб, по цене 400 и 800 долларов, соответственно. Источник: Kingston Technology (C)_www.ixbt.com |
Kingston представляет DDR3-1375 с задержками CL5
Lexagon / 13.07.2007 15:21 / ссылка на материал / версия для печати Производители памяти поняли, что покорить сердца и кошельки оверклокеров можно, только предложив модули DDR-3 с низкими задержками или высокими частотами. Объединить эти два качества одновременно пока не представляется возможным. Точнее говоря, как всегда, приходится искать компромисс между задержками и частотами. Разгонный же потенциал у памяти типа DDR-3 достаточно высокий - производители то и дело демонстрируют модули памяти, работающие в режиме DDR3-2000. Компания Kingston сегодня анонсировала новые модули DDR3-1375, обладающие низкими задержками уровня CL5, тогда как ранее компания предлагала только модули памяти DDR3-1375, работающие с задержками CL7. Производитель особенно гордится тем фактом, что для работы в таком режиме модули памяти не требуют охлаждения, отличного от штатного. Kingston рекомендует следующие розничные цены:
(C)_www.overclockers.ru |
Модули Kingston DDR3-1375 с ультранизкими задержками
16.07.2007 [09:01], Геннадий Пашкевич Компания Kingston Technology расширила свою престижную линейку HyperX новыми высокопроизводительными модулями памяти DDR3 PC3-11000. Главной особенностью новой памяти является способность работать с ультранизкими задержками (ultra low-latency, ULL) на частоте 1375 МГц. По мнению производителя, заявленное значение CAS Latency 5 - рекордно малое в сфере памяти DDR3. Представитель Kingston подчеркнул, что более низкие задержки позволяют добиться увеличения производительности подсистемы памяти без ухудшения тепловых характеристик модулей и ужесточения требований к их охлаждению. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/07/15/53994.jpg Новая память DDR3-1375 от Kingston доступна как в виде отдельных модулей HX11000D3UL объёмом 1 Гб, так и в составе 2-Гб двухканальных наборов KHX11000D3ULK2. Стоимость продуктов установлена в соответствии с их классом и находится в пределах $400 за отдельный 1-Гб модуль. Двухканальный набор Kingston DDR3 PC3-11000 CL5 обойдётся экстремальному геймеру или энтузиасту разгона ровно в два раза дороже. Напомним, что это уже не первая память DDR3 от Kingston с номинальной частотой 1375 МГц. На выставке Computex 2007 компания представила модули DDR3 SDRAM HyperX PC3-11000, обладающие большими задержками - CL7-7-7-20 (CAS Latency 7). (C)_3dnews.ru |
LegitReviews have done a roundup of DDR3 1333mhz memory
"Armed with four 2GB kits of DDR3 memory running at 1333MHz we set off to do our first DDR3 roundup to show those that are building the latest and greatest enthusiast systems which modules stand out from the crowd. Corsair Memory, Kingston Technology, OCZ Technology and Super Talent all sent out 2GB kits for us to try out and that is exactly what we did using the latest Intel Core 2 Duo E6750 processors on the Intel P35 chipset!" |
OCZ предлагает DDR3-1600 с таймингами 7-6-6-20
Lexagon / 18.07.2007 11:12 / ссылка на материал / версия для печати Производители памяти быстро усвоили, что ради стимулирования спроса на DDR-3 нужно не только наращивать частоты соответствующих модулей, но и снижать задержки. Некоторым производителям оверклокерских модулей памяти удаётся совместить эти два направления совершенствования DDR-3. Мы уже писали о выходе комплектов Super Talent, включающих два гигабайтных модуля DDR3-1600 с таймингами 7-7-7-18. Напомним, что в таком режиме память работала при напряжении 1.8 В, что на 0.3 В выше номинального для DDR-3 напряжения. Чтобы убедиться в существовании аналогичных предложений от других брендов, достаточно обратиться на сайт OCZ Technology. Компания анонсировала комплекты памяти типа DDR3-1600 объёмом 2 х 1 Гб, которые работают при значении таймингов 7-7-7-20 и 7-6-6-20. Напряжение питания при этом равно 1.9 В. http://www.overclockers.ru/images/ne.../18/ocz_01.jpg Что характерно, OCZ привязывает эти модули к определённой платформе - в частности, к материнским платам Asus на базе чипсетов Intel P35 и Intel X38. Именно в них данные модули памяти могут работать в режиме DDR3-1600 с указанными таймингами. Впрочем, такая привязка к материнским платам в большей степени является рекламным ходом, ведь ничто не помешает модулям памяти работать в аналогичных режимах на других материнских платах, если напряжение на памяти можно поднять до 1.9 В. Просто OCZ гарантирует, что в платах Asus удастся достичь указанных режимов. (C)_www.overclockers.ru |
OCZ представляет память типа DDR3-1800
Lexagon / 19.07.2007 11:18 / ссылка на материал / версия для печати Производители памяти прекрасно осознают, что в погоне за длинным рублём следует рекламировать не только память с низкими задержками или оптимальным балансом между задержками и тактовой частотой, но и память с высокой частотой и достаточно высокими задержками. В конце концов, на некоторых покупателей безотказнее всего действует принцип "больших чисел", который и стимулирует покупку очередных модулей типа "DDR-посмотрите-какая-высокая-частота". OCZ Technology на этой неделе уже представила память типа DDR3-1600 с таймингами 7-6-6-20, а сегодня официальный пресс-релиз возвестил о выходе одиночных модулей и двухканальных комплектов типа DDR3-1800, работающих с таймингами 8-8-8-27 при напряжении 1.9 В. http://www.overclockers.ru/images/ne...cz3p18001g.jpg Как и большинство последних комплектов памяти OCZ, этот оснащается "сотовыми" радиаторами с платиновым покрытием. Эта память предлагается как в одиночных гигабайтных модулях, так и в комплектах 2 х 1 Гб. Данный комплект памяти тоже "оптимизирован для использования в материнских платах Asus". Напомним, что на выставке Computex 2007 многие производители демонстрировали модули памяти, работающие в режиме DDR3-2000. Как правило, для этого требовалось усиленное охлаждение. Появление серийных модулей DDR3-1800, оснащённых обычными пассивными теплораспределителями, обозначает ещё одну веху в развитии оверклокерской памяти типа DDR-3. (C)_www.overclockers.ru |
Intel сертифицировала 50-нм DDR2-память Samsung
19.07.2007 [20:12], Александр Будик В октябре прошлого года мы сообщали о разработке компанией Samsung 50-нм технологического процесса для производства микросхем оперативной памяти типа DDR2 DRAM. На днях 50-нм гигабитные чипы южнокорейского производителя прошли сертификацию компании Intel, которая подтверждает совместимость с её современными чипсетами, а также продуктами следующего поколения (вероятно, речь о чипсетах семейства Intel 3 Series) при работе со скоростью 800 Мбит/с. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/07/19/54310.jpg Отмечается, что переход с 80-нм на 50-нм техпроцесс удвоит эффективность производства микросхем DDR2-памяти. В сравнении с 60-нм техпроцессом новая технология позволяет повысить продуктивность на 50%. Массовый выпуск DDR2-чипов по 50-нм техпроцессу стартует в первой половине 2008 года. Новая технология будет также внедрена в производство микросхем типа DDR3, GDDR4, GDDR5 и Mobile DRAM. (C)_3dnews.ru |
Специальная память для Socket AM2 от OCZ: теперь в комплектах 4 х 2 Гб
Lexagon / 25.07.2007 08:24 / ссылка на материал / версия для печати Компания OCZ Technology уже продемонстрировала общественности модули памяти типа DDR2-667, специально оптимизированные для работы с процессорами AMD в исполнении Socket AM2. За счёт использования 11-разрядных столбцов и размера страниц 16 Кб эта память позволяла повысить производительность системы в задачах с интенсивным использованием графики и видео. По независимым оценкам, прирост быстродействия от этих нововведений будет в лучшем случае измеряться единицами процентов. Позднее OCZ предложила комплекты памяти из четырёх модулей объёмом по 1 Гб каждый. Позавчера OCZ Technology решила расширить ассортимент предлагаемой сторонникам AMD продукции. Компания анонсировала комплекты памяти DDR2-667 с 11-разрядными столбцами и размером страниц 16 Кб, которые состоят из модулей объёмом 2 Гб. В одном комплекте могут быть как два таких модуля, так и четыре. В первом случае общий объём оперативной памяти будет равен 4 Гб, во втором - 8 Гб. http://www.overclockers.ru/images/ne.../25/ocz_01.jpg Тайминги остались прежними - 5-5-5-15 при напряжении 1.8-2.0 В. Собственно говоря, вся новизна предложения заключается в том, что OCZ теперь продаёт такую память в комплектах 4 х 2 Гб. С системами на базе процессоров Intel эти модули памяти несовместимы, эксплуатировать их имеет смысл под управлением 64-битной операционной системы. К 2009 году AMD представит альтернативу модулям памяти FB-DIMM Lexagon / 25.07.2007 11:26 / ссылка на материал / версия для печати AMD никогда не скрывала, что не в восторге от уровня энергопотребления систем с поддержкой полностью буферизованной памяти (FB-DIMM), поэтому в своих серверных решениях AMD не собиралась использовать память такого типа. Между тем, требования приложений к объёму оперативной памяти неуклонно растут, а AMD может предложить поддержку только восьми слотов DIMM на каждый процессорный разъём. Число ядер в одном процессорном разъёме возрастёт до четырёх уже в этом году. Что же AMD может предложить для увеличения числа поддерживаемых процессорами Opteron модулей памяти? Как сообщается в официальном пресс-релизе, AMD в сотрудничестве с IDT и Inphi Corporation взялась за разработку технологии Socket G3 Memory Extender (G3MX), которая позволит увеличивать число поддерживаемых одним процессором Opteron модулей памяти. Ноу-хау будет внедрено в 2009 году, когда появятся процессоры Opteron очередного поколения. На один процессор придётся шестнадцать слотов памяти вместо нынешних восьми. Разработчики подчёркивают, что технология G3MX позволит использовать сертифицированные JEDEC модули памяти типа DDR-3. Тем самым, AMD сможет увеличить максимальный объём памяти для серверных процессоров Opteron, одновременно избежав необходимости использовать FB-DIMM. Как сообщает сайт TG Daily со ссылкой на представителей AMD, технология G3MX прежде всего ориентирована на серверы с количеством процессоров больше четырёх, но может применяться и в двухпроцессорных системах. Сайт The Inquirer сообщает, что Intel тоже откажется от использования FB-DIMM. Вместо этого специальные микробуферы будут размещать на материнской плате, что позволит удвоить количество поддерживаемых модулей памяти. При этом будет использоваться обычная память DDR-3, как и в настольных системах. Технология получила предварительное название Buffer on Board (BoB). (C)_www.overclockers.ru |
Новый частотный рекорд DDR3 теперь принадлежит Super Talent
BlackCat @ 02:20 В последние недели OCZ и Super Talent заочно соревнуются в том, кто же из них представит самые быстрые модули памяти DDR3 на рынке. Предыдущий лучший результат OCZ не продержался и двух недель. Теперь же неофициальный рекорд принадлежит Super Talent, представившей новые 2-Гб наборы DDR3 W1866UX2G8(PC3-14900). Они работают на частоте 1866 МГц, обгоняя предыдущего чемпиона на 66 МГц. При этом Super Talent удалось добиться от этих модулей еще и более низких задержек, чем у OCZ Platinum DDR3-1800: 8-8-8-24 против 8-8-8-27. _http://www.ixbt.com/short/images/super_talent_ddr3_1333mhz_002.jpg Рабочее напряжение новинок составляет 1,9 Вт. Производитель гарантирует их корректную работу при заявленных характеристиках на системных платах Asus P5K3 Deluxe. Продажи модулей уже начались, рекомендуемая цена пары составляет 625 долларов. Источник: Super Talent (C)_www.ixbt.com |
Элитные модули DDR3-1866 от Super Talent
01.08.2007 [18:26], Геннадий Пашкевич Компания Super Talent Technology объявила о расширении линейки DDR3-памяти новыми оверклокерскими модулями PC3-14900, доступными в 2-Гб двухканальных наборах W1866UX2G8 (2 х 1 Гб). Продукты ориентированы, в первую очередь, на компьютерных энтузиастов и сторонников разгона, которые добиваются предельной производительности системы любой ценой. С новыми флагманскими модулями американская компания надеется повторить успех популярных наборов PC3-12800 (DDR3-1600, CL 7-7-7-18). В распространённом по случаю анонса пресс-релизе производитель указывает на главное достоинство новых DRAM-модулей - способность работать на шине 933 МГц (эффективная частота - 1866 МГц) с достаточно низкими задержками CL 8-8-8-24. Кроме того, отмечается факт тщательного тестирования двухканальных наборов на парную совместимость на материнской плате Asus P5K3 Deluxe при напряжении питания 1,9 В. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/08/01/55213.jpg По словам директора по маркетингу Super Talent Джо Джеймса (Joe James), команда ведущих инженеров сосредоточена на развитии линейки DDR3-памяти и достижения нового уровня производительности. Модули DDR3-1866 с отобранными и досконально протестированными компонентами претендуют на роль самой быстрой DDR3-памяти в мире. Продажи новой оверклокерской памяти DDR3-1866 начинаются с момента анонса. Рекомендуемая производителем стоимость двухканального набора W1866UX2G8 составляет около $625. (C)_3dnews.ru |
OCZ выпустила модули DDR3-1600 в рамках серии Gold
02 августа 2007, 20:27 Компания OCZ пополнила серию Gold новыми модулями памяти. В рамках данной серии известный производитель представил модули DDR3-1600, которые работают с задержками 8-8-8-26 при напряжении 1,8 в. На прилавки попадут варианты как в виде одного модуля емкостью 1 Гбайт, так и комплекты, состоящие из пары таких модулей. Чипы памяти планок прикрыты фирменной системой охлаждения XTC Z3. http://www.thg.ru/technews/images/oc...big-020807.jpg Естественно, новые OCZ DDR3-1600 протестированы на работу при заявленных характеристиках, а также поставляются с гарантией на весь срок службы. (C)_www.thg.ru |
Первый взгляд на DDR3 Corsair, работающую на частоте 2 ГГц
BlackCat @ 15:14 В настоящий момент максимальная частота доступных в розничной продаже модулей памяти DDR3 составляет 1,866 ГГц. Коллеги с ресурса HardOCP получили в свое распоряжение для тестирования лишь готовящиеся к выходу на рынок модули серии Corsair Dominator, чья номинальная частота составляет 2,0 ГГц. _http://www.ixbt.com/short/images/1_2364.jpg По умолчанию тайминги в SPD установлены в значение 10-10-10-24, что является крайне невысоким показателем. На что только не идут производители для того, чтобы первыми достичь заветной круглой частотной отметки. При этом напряжение при котором модули "согласились" работать на такой частоте и с такими таймингами на плате ASUS P5K3 составляет 2,25 В! Естественно, для DDR3, требующей 1,85-1,95 В, такие показатели не назовешь обычными. Это может быть чревато преждевременным выходом памяти из строя. Впрочем, до выхода финальной версии таких модулей еще довольно много времени - Corsair планирует это событие на второй квартал следующего года. К тому моменту могут и снизиться тайминги и уменьшиться рабочее напряжение. Впрочем, даже в текущем состоянии инженерные образцы показывают беспрецедентную производительность в тестах пропускной способности подсистемы памяти. _http://www.ixbt.com/short/images/1185203046dXOGjCfh6i_1_2_l.jpg Источник: HardOCP (C)_www.ixbt.com |
Новые модули APOGEE DDR2 667/800 2GB SODIMM для ноутбуков
BESS! @ 18:31 Walton Chaintech анонсировала недавно появление на рынке памяти нового продукта high-end класса — памяти APOGEE DDR2 667/800 МГц 2GB SODIMM. _http://www.ixbt.com/short/images/news7983021491.jpg Эти модули памяти в состоянии справиться с требованиями к объему оперативной памяти новой операционной системы Microsoft Windows Vista и обеспечить высокую производительность мобильным ПК. APOGEE DDR2 2GB 667/800 SODIMM создана не только для поддержки работы мощных процессоров в ноутбуках для энтузиастов и профессионалов, но также и для расширения возможностей систем с установленными 64-битными операционными системами. Увеличенный объем памяти до 4 Гб, при установке модулей в паре для работы в двухканальном режиме позволяет выполнять одновременно большее количество приложений на системах с 64-битными ОС. APOGEE DDR2 667/800 МГц 2GB SODIMM отвечает всем требованиям стандартов JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council), обеспечивая низкий расход энергии, хорошее охлаждение и стабильную работу. Отмечается, что чипы на модулях памяти подвергаются строгой сортировке и отбраковке, а также проходят температурную проверку на втором по величине в мире заводе по производству и упаковке памяти. Новое, более высокотехнологичное оборудование, приобретенное производством в 2006 году, гарантирует качественное изготовление и обеспечивает контроль выпускаемой продукции. Источник: Walton Chaintech (C)_www.ixbt.com |
Только 15% настольных компьютеров имеют объём памяти 3 Гб
Lexagon / 06.08.2007 09:29 / ссылка на материал / версия для печати Согласно данным исследований Valve Software, среди клиентов сервиса Steam компьютерами с объёмом памяти от 512 до 999 Мб владеют 44,95%, на долю владельцев систем с объёмом памяти от 1,5 до 1,99 Гб приходится 23,88%. Лишь 0,39% пользователей этого сервиса могут продемонстрировать наличие более чем 2,0 Гб оперативной памяти. Как выясняется, существует и другая статистика, выдержки из которой со ссылкой на данные исследования CurrentAnalysisWest опубликовал сайт News.com. В США 90% покупаемых в розничной сети ноутбуков имеют объём оперативной памяти 1 Гб или 2 Гб, среди настольных компьютеров этот показатель равен 73%. Чуть более 15% настольных систем в США могут похвастаться наличием 3 Гб оперативной памяти, а системы с 4 Гб памяти вообще исчисляются единицами. Во всяком случае, в составе готовых компьютеров такой объём памяти не приобретается. Не следует забывать, что для использования всех 4 Гб оперативной памяти нужно, чтобы операционная система и чипсет позволяли видеть полный объём. Относительно низкая популярность 64-разрядных операционных систем и комплектов памяти объёмом свыше 3 Гб взаимосвязаны. Как только один из этих факторов начнёт улучшаться, спрос на 64-разрядные операционные системы и комплекты памяти объёмом свыше 4 Гб начнёт расти интенсивнее. Многое будет зависеть и от цен на оперативную память. Программная инфраструктура в лице приложений и драйверов тоже должна созреть для массового перехода на 64-разрядность. (C)_www.overclockers.ru |
Образцы памяти типа DDR-4 появятся не ранее 2009 года
Lexagon / 06.08.2007 11:45 / ссылка на материал / версия для печати Пока производители компьютеров и материнских плат строят прогнозы относительно темпов экспансии памяти типа DDR-3, на прошедшей в конце июля конференции MEMCON07 представители JEDEC и производители памяти обозначили дальнейшие вехи на пути развития оперативной памяти. Отчёт об этом событии опубликовал японский сайт PC Watch. Начнём с того, что разработка спецификаций DDR-4 началась ещё в 2005 году, однако до стадии инженерных образцов дело дойдёт не ранее 2009 года. Поставки серийных модулей DDR-4 будут развёрнуты в достаточных количествах не ранее 2011 года. К тому моменту DDR-3 почти полностью вытеснит с рынка память типа DDR-2. http://www.overclockers.ru/images/ne...06/ddr4_01.jpg О характеристиках памяти типа DDR-4 пока известно не так много. Пропускная способность будет удвоена с 1600 Мбит/с до 3200 Мбит/с в расчёте на один контакт. http://www.overclockers.ru/images/ne...06/ddr4_02.jpg Таким образом, у DDR-3 и даже DDR-2 ещё есть достаточно времени, чтобы успешно продаваться. Например, пик поставок памяти типа DDR-2 должен прийтись на рубеж 2008-2009 годов. В такой ситуации сложно утверждать, что DDR-3 активно вытесняет DDR-2 с рынка. (C)_www.overclockers.ru |
Новая память FB-DIMM компании Apacer обеспечит серверу большой объем ОЗУ
BESS! @ 16:49 Компания Apacer Technology продолжает сотрудничество с корпорацией Intel в развитии технологии FB-DIMM. Новый продукт из этой линейки — модули DDR2 с тактовой частотой 667/533 МГц объемом 4 Гб для серверов с 2-ядерными процессорами Intel Xeon. _http://www.ixbt.com/short/images/AH421.4.jpg При установке новых модулей на серверную платформу с шестью каналами восьмимодульной конфигурации, память сервера можно расширить до обема в 192 Гб. Обладая большой емкостью, 4-Гб модуль FB-DIMM потребляет всего 1,8 Вт энергии. При изготовлении модулей используются чипы DRAM 512Мх4х18 FBGA лидирующих производителей. 240-контактные модули соответствуют международному стандарту JEDEC по уровню рассеивания напряжения и тепла, что очень важно для тесно заполненных серверных стоек. Дополнительно о модулях:
Источник: Apacer Technology (C)_www.ixbt.com |
OCZ Technology предлагает утилиту для перепрошивки SPD модулей памяти
Lexagon / 08.08.2007 07:12 / ссылка на материал / версия для печати "Глубокий тюнинг системы" в понимании оверклокера не должен ограничиваться выбором оптимальных для поставленной задачи частоты процессора, напряжений и частот видеокарты. Наиболее требовательные оверклокеры обстоятельно экспериментируют с таймингами памяти. Средства редактирования BIOS видеокарт нам давно известны. Они позволяют настроить видеокарту "под себя", сохранив в BIOS нужные частоты. Производители оперативной памяти и чипсетов тоже стараются научить эти два компонента находить общий язык. Вспомним хотя бы инициативы EPP и XMP, подразумевающие наличие в SPD модулей памяти некоего оптимизированного под максимальное быстродействие профиля. К сожалению, модули памяти с расширениями EPP или XMP раскрывают весь свой потенциал только при использовании определённых материнских плат. Компания OCZ Technology пошла другим путём. Она выпустила специальную утилиту SPD-Z, которая будет в режиме онлайн находить предназначенные для конкретного модуля памяти настройки, а затем прошивать их в SPD модулей памяти. Вся процедура занимает несколько секунд, если не учитывать само время поиска образов SPD в базе данных на сайте производителя. Естественно, утилита работает только с модулями памяти производства OCZ Technology. http://www.overclockers.ru/images/ne.../08/ocz_01.jpg Конкретные настройки SPD будут разрабатываться OCZ с учётом оптимизации быстродействия или улучшения совместимости с определёнными материнскими платами или чипсетами. Купив некий комплект памяти OCZ Technology, его можно будет в дальнейшем адаптировать под собственную систему. Важно отметить, что пользователю не предоставляется возможность самостоятельно редактировать параметры SPD. Компания OCZ снабжает пользователей набором готовых настроек, которые можно прошить в SPD модулей памяти. Конечно, наиболее капризных энтузиастов такой подход огорчает, но большинство пользователей он избавляет от лишней головной боли. Впрочем, и сам производитель будет иметь меньше проблем с неправильно прошитыми модулями памяти. OCZ Technology сохраняет гарантию на все модули памяти, которые были перепрограммированы при помощи утилиты SPD-Z. Новые версии прошивок будут выкладываться на страницах форума OCZ Technology. Если же подобные эксперименты не входят в ваши планы, а с модулями памяти OCZ возникли какие-то проблемы, устраняемые перепрошивкой SPD, рассматриваемая утилита позволит избежать отправки памяти в сервисный центр - всю работу можно будет сделать "на дому". Кстати, производитель предупреждает, что использовать утилиту SPD-Z можно только при 100% стабильности системы, поэтому рискованный разгон на момент прошивки памяти лучше снять. (C)_www.overclockers.ru |
Elpida освоит выпуск памяти по 65 нм технологии в этом году
Lexagon / 13.08.2007 13:56 / ссылка на материал / версия для печати Как и в производстве любых полупроводниковых изделий, при выпуске микросхем оперативной памяти техпроцессы сменяют друг на друга. Переход на более "тонкие" технологические нормы позволяет не только снизить себестоимость производства памяти, но и повысить её плотность. В результате модули памяти больших объёмов становятся дешевле в производстве, заодно снижается и энергопотребление. Компания Elpida освоила 70 нм техпроцесс ещё в декабре прошлого года, чуть раньше об освоении 60 нм техпроцесса отчиталась компания Hynix. Теперь настал черёд Elpida заявить о переходе на следующий технологический процесс. Отчёт о покорении 65 нм рубежа появился на страницах одного японского сайта, как сообщает британский ресурс The Inquirer. Elpida собирается освоить производство микросхем памяти по 65 нм техпроцессу в текущем финансовом году на своих мощностях в Хиросиме, Япония. По мере наращивания объёмов производства выпуск 65 нм микросхем памяти будет освоен в сотрудничестве с тайваньским партнёром Elpida по имени Rexchip. Надеемся, что очередная технологическая модернизация позволит снизить цены на ёмкие модули памяти типа DDR-2 и DDR-3. Впрочем, разница между 70 нм и 60 нм техпроцессами не так велика, чтобы говорить о существенном выигрыше в себестоимости. Hynix тоже получает лицензию на использование Z-RAM Lexagon / 13.08.2007 14:46 / ссылка на материал / версия для печати Компания AMD уже приобрела лицензию на использование технологии Z-RAM второго поколения, но пока так и не решила, в каких продуктах и когда найдёт применение память этого типа. Было лишь заявлено, что при производстве кэш-памяти 65 нм процессоров технология Z-RAM использоваться не будет. Кстати, компания IBM решила оснащать свои 45 нм процессоры кэш-памятью типа eDRAM. Нельзя исключать, что использующая разработки IBM компания AMD последует этому примеру, сохранив лицензию на Z-RAM для других целей. Недавно на горизонте появился ещё один претендент на использование технологии Z-RAM. Как сообщает сайт TG Daily, им стала компания Hynix Semiconductor, являющаяся крупным производителем оперативной памяти. Разработчик технологии Z-RAM, компания Innovative Silicon, будет на протяжении последующих двух лет помогать Hynix разработать продукты, совместимые с сегодняшними конструктивными исполнениями, присущими памяти типа DRAM. Hynix уже целый год присматривается к технологии Z-RAM, и проявляет серьёзный интерес к этому ноу-хау. От момента лицензирования до внедрения технологии в массовых продуктах обычно проходит три года. Стало быть, к 2010-2011 годам мы можем увидеть первые продукты, созданные с помощью технологии Z-RAM. По сравнению с памятью типа SRAM, память типа Z-RAM обладает в пять раз большей плотностью. По сравнению с DRAM этот показатель у Z-RAM выше в два раза. Z-RAM может потреблять то же количество электроэнергии, что и DRAM, но при этом быть быстрее и компактнее в размерах. Сейчас образцы Z-RAM могут работать на частоте 500 МГц - это не так много, но при равной площади память типа Z-RAM может иметь в пять раз больший объём. Z-RAM требует в производстве более простого оборудования и более простых технологических процессов по сравнению с DRAM. Производить Z-RAM можно только с использованием технологии SOI. Предполагается, что память типа Z-RAM найдёт применение в модулях оперативной памяти, процессорах и продуктах с высокой степенью интеграции. Нельзя исключать, что последними могут быть и гибридные процессоры класса Fusion. (C)_www.overclockers.ru |
OCZ представляет память типа DDR3-1600 с жидкостным охлаждением
Lexagon / 15.08.2007 09:12 / ссылка на материал / версия для печати Так называемые гибридные системы охлаждения могут работать как при пассивном охлаждении воздухом, так и при активном охлаждении при помощи циркулирующей в них жидкости. Наиболее свежим примером такой системы охлаждения является ноу-хау Asus по имени Fusion Block System. Тем не менее, гибридную систему охлаждения ещё раньше использовали и производители памяти. Например, с решением по имени FlexXLC от OCZ Technology мы знакомы не только по новостям, но и по обзору на страницах нашей лаборатории. На этой неделе компания OCZ Technology представила комплект памяти типа DDR3-1600 с таймингами 6-6-6-18, оснащённый системой охлаждения FlexXLC. http://www.overclockers.ru/images/ne.../15/ocz_01.jpg Эта "гребёнка" может работать и как пассивный радиатор, и как водоблок для модулей памяти. На этот случай предусмотрены штуцеры типоразмера 1/4". Этот комплект памяти объёмом 2 х 1 Гб способен работать при напряжении 2.05 В без потери фирменной пожизненной гарантии. Собственно говоря, напряжение можно повышать и до 2.1 В, не опасаясь за гарантию. Если учесть, что родственный комплект памяти DDR3-1600 производства OCZ с обычными радиаторами в американской рознице предлагается за $720, новинка может обойтись покупателю ещё дороже. Насколько полезным окажется для модулей памяти типа DDR-3 жидкостное охлаждение, покажут тесты. (C)_www.overclockers.ru |
Память PRAM – что это и когда появится на рынке?
Accent @ 15:35 Память с произвольным доступом, построенная на переходе вещества из одного фазового состояния в другое (Phase-change Random Access Memory, PRAM) имеет потенциал стать альтернативой оперативной памяти (DRAM) и флэш-памяти. Для записи информации в PRAM используются разные фазовые состояния материала – кристаллическое и аморфное. Изменение состояния происходит под действием электрических импульсов. Основы PRAM были заложены в шестидесятые годы прошлого века Стэнфордом Овшинским. Талантливый самоучка, инженер и изобретатель, он стал первым исследователем аморфных полупроводников. Гордон Мур, один из основателей Intel, написал статью о перспективах технологии, которая в сентябре 1970 года была опубликована в журнале Electronics. На пути к практическому использованию технологии было немало препятствий, но, похоже, все они уже преодолены. Чтобы понять, насколько привлекательно выглядит PRAM на фоне современных технологий, достаточно сказать, что по быстродействию она примерно в 100000 раз превосходит флэш-память. Скорость записи составляет примерно 10 нс. Что касается надежности, флэш-память, как известно, расходует свой ресурс при каждой операции записи. Большинство чипов выдерживает 10000–100000 операций. У PRAM это значение составляет 100000000. Среди минусов новой памяти называют невозможность программирования памяти до распайки на плату – высокая температура, сопровождающая процесс пайки, стирает информацию в памяти. Кроме того, для записи данных в PRAM необходимо более высокое напряжение, чем в случае флэш-памяти. Подтверждая ранее прозвучавшую информацию, источники сообщают, что компании Intel и STMicroelectronics готовятся выпустить первые продукты PRAM уже в этом году. Производством новой памяти займется Numonyx– совместное предприятие Intel и ST Microelectronics, создание которого недавно одобрила Еврокомиссия. Возможной областью применения PRAM, указанной Intel, являются твердотельные накопители (solid state disk, SSD), которые имеют достаточное быстродействие, чтобы предохранить «системы на базе многоядерных процессоров от удушливых ограничений ввода-вывода». Компания Samsung намерена начать производство соответствующих продуктов в 2008 году. Источники: Gizmodo, Wikipedia, Uber Review, TG Daily (C)_www.ixbt.com |
Transcend выпускает оверклокерские комплекты памяти DDR2-800
Lexagon / 17.08.2007 08:14 / ссылка на материал / версия для печати Популяризация оверклокинга притягивает на рынок соответствующих товаров всё новых производителей. Позавчера о начале производства оверклокерской памяти заявила компания Transcend. Серия ориентированной на любителей разгона памяти получила название aXeRam. Первенцем в этой серии стал двухканальный комплект памяти DDR2-800 объёмом 2 х 1 Гб, имеющий тайминги 4-4-4-12 при стандартном напряжении 1.8 В. Модули памяти выполняются на платах с шестислойным дизайном, и оснащаются "лучшими из доступных микросхем памяти" - имя производителя микросхем при этом не уточняется. Охлаждением модулей памяти будут заниматься радиаторы из алюминия высокой степени очистки. http://www.overclockers.ru/images/ne...7/trans_01.jpg По сравнению с модулями DDR2-800, имеющими задержки CL5, эти модули работают на 10% быстрее, как заявляет производитель. Модули памяти Transcend серии aXeRam снабжаются пожизненной фирменной гарантией. Хотелось бы надеяться, что столь привлекательное сочетание характеристик будет предложено покупателям по приемлемой цене. В Японии этот комплект памяти уже продаётся по цене порядка $131. (C)_www.overclockers.ru |
Patriot PC3-15000: 2 Гбайт комплект будет стоить $660
18 августа 2007, 17:33 Компания Patriot memory представила модули памяти стандарта DDR3 с частотой работы 1866 МГц. Новые PC3-15000 работают с таймингами CL 8-8-8-20 при напряжении 1.9 в. Чипы памяти прикрыты радиатором, на который нанесен логотип компании. Модули будут доступны в комплектах емкостью 2 Гбайт по цене около $660. Естественно, на новый комплект памяти будет распространяться гарантия на весь срок службы. Выпуск модулей PC3-15000 приурочен к анонсу набора системной логики Intel X38, который будет поддерживать DDR3 с частотой свыше 1800 МГц. Напомним, что материнские платы на базе этого чипсета появятся в течение следующего месяца, поэтому поставки Patriot PC3-15000 будут начаты в конце сентября или начале октября. (C)_www.thg.ru |
GEIL тоже предложит память с радиатором на тепловой трубке
Lexagon / 19.08.2007 12:01 / ссылка на материал / версия для печати Основательно прижившись в процессорных кулерах и системах охлаждения видеокарт, тепловые трубки начали экспансию в сфере систем охлаждения оперативной памяти. Соответствующие решения можно найти как в ассортименте продукции производителей систем охлаждения, так и непосредственно на модулях памяти крупнейших производителей оверклокерских продуктов. Если верить сообщениям сайта TechConnect Magazine, компания GEIL тоже готовит к анонсу продукты с интегрированной системой охлаждения, использующей тепловую трубку. Этот кулер для памяти из алюминиевых пластин, тепловой трубки и медного радиатора разработан тайваньской компанией CompTake. http://www.overclockers.ru/images/ne...19/geil_01.jpg Сообщается, что такими радиаторами будут оснащаться модули памяти типа DDR-3, которые GEIL готовит к анонсу. Об эффективности данной системы охлаждения судить по фотографиям сложно, но к её достоинствам следует отнести достаточно малую толщину - при размещении модулей памяти в соседних слотах DIMM этот фактор является решающим. IBM делает ставку на STT-RAM - новый тип "магнитной" памяти Lexagon / 20.08.2007 13:54 / ссылка на материал / версия для печати Одно из направлений дальнейшего развития технологий энергонезависимой памяти мы недавно рассмотрели - это так называемая память с фазовым переходом (PRAM), ставку на которую делает компания Intel и её партнёры. Предполагалось, что конкурентом для PRAM может стать технология MRAM - магнитно-резистивная память, в разработку которой вкладывала средства компания IBM. Между тем, сайт News.com со ссылкой на представителей IBM сообщил, что технология MRAM довольно плохо масштабируется в рамках перспективных технологических процессов, поэтому IBM решила вести дальнейшие разработки в сфере STT-RAM, которая снимает подобные ограничения. Название памяти STT-RAM содержит сокращение фразы Spin Torque Transfer - "передача спинового вращательного момента". Вращательные моменты электронов упорядочиваются определённым образом, что позволяет изменять направление магнитного поля частиц, из которых состоит память типа STT-RAM. Смена направления магнитного поля приводит к изменению сопротивления элемента, что приравнивается к переходу из состояния "0" в состояние "1". IBM собирается разрабатывать эту технологию совместно с TDK, первые прототипы должны быть выпущены по 65 нм техпроцессу в ближайшие четыре года. Надо сказать, что технологию STT-RAM также разрабатывает и калифорнийская компания Grandis, которая уже готова поставлять опытные образцы в этом году. По сравнению с технологией MRAM, данное ноу-хау позволяет не только добиться повышения плотности записи информации, но и снизить уровень энергопотребления. Если сравнивать PRAM и STT-RAM, последняя обладает более высоким быстродействием, но первая отличается более высокой плотностью. Кроме того, STT-RAM должна обладать более высокой долговечностью по сравнению с PRAM. Память типа STT-RAM может получить применение в будущих разработках IBM и её партнёров, одним из которых является и AMD. В любом случае, технология создания памяти типа STT-RAM пока находится на ранней стадии зрелости, поэтому говорить о близости момента её воплощения в жизнь силами IBM пока рано. (C)_www.overclockers.ru DDR3-1600 SDRAM: технологический прорыв или маркетинговый пшик? "Проведённое недавно тестирование платформ, основанных на наборе логики Intel P35 и снабжённых DDR3 памятью, показало, что на данном этапе новая память не может обеспечить видимого преимущества в производительности по сравнению с привычной высокочастотной DDR2 SDRAM. Относительно высокие задержки серийных DDR3 модулей приводят к тому, что память, функционирующая на частоте 1333 МГц, проигрывает в скорости широкодоступной DDR2-1066 c таймингами 4-4-4-12 в достаточно большом числе приложений различного характера. Однако такое положение дел не должно стать поводом для поспешных выводов. То, что самая скоростная DDR3 SDRAM, официально поддерживаемая чипсетами Intel на данный момент, имеет частоту 1333 МГц и тайминги 7-7-7 ещё ни чего не значит для тех производителей модулей, которые привыкли идти впереди отраслевых стандартов. Если вы следите за новостями, то знаете, что ведущие производители оверклокерских модулей памяти уже поставляют на рынок DDR3-1600 SDRAM и готовятся к началу продаж DDR3-1800. Достижение столь высоких частот стало возможно благодаря стараниям компании Micron, начавшей выпуск чипов Z9, продолжающих традиции знаменитых в среде оверклокеров микросхем DDR2 Micron D9, которые после проведения отбора и повышения напряжения питания оказываются способны к работе на частотах, значительно превышающих штатные. Несмотря на то, что номинально микросхемы Micron Z9 представляют собой чипы DDR3-1066, именно их использование позволило поднятие практических частот DDR3 SDRAM на новый уровень. Это даёт сторонникам всего нового отличный повод для надежды на превосходство DDR3 в производительности над DDR2 в реальных приложениях." |
OCZ выпустит DDR3-1600 с очень низкими таймингами
23 августа 2007, 14:11 Компания OCZ планирует выпустить модули памяти DDR3-1600. Согласно информации зарубежных коллег, новые модули могут похвастаться очень низкими задержками. Новые модули DDR3 работают на частоте 1600 Мгц при таймингах CL 7-6-6-24 и будут поставляться в комплектах 2x1 Гбайт. Этот продукт попадет на прилавки только после появления памяти DDR3-1800 или более быстрой. http://www.thg.ru/technews/images/ocz1600-230807.jpg Память стандарта DDR3 может работать с материнскими платами на базе последних чипсетов Intel. Особо стоит отметить набор системной логики Intel X38, выход которого запланирован на следующий месяц, поэтому, скорее всего, в сентябре мы увидим множество комплектов DDR3. (C)_www.thg.ru |
OCZ анонсирует DDR2-800 CL3 с охлаждением без воды...
[24.08.2007 12:54:00] Компания OCZ Technology анонсировала модули памяти стандарта DDR2-800 (PC2-6400) с весьма агрессивными таймингами – CL3-4-4-15. До сих пор в линейке продуктов компании память с подобными характеристиками выпускалась с гибридным жидкостно-воздушным охлаждением. Новинка, которая открыла серию PC2-6400 Reaper HPC CL3, оснащена выносным радиатором на тепловой трубке, что позволяет избежать необходимости приобретать систему водяного охлаждения для достижения наилучших параметров производительности подсистемы памяти. В арсенале компании OCZ как раз имеется решение для подобных случаев – система Reaper HPC (Heat Pipe Conduit): http://www.fcenter.ru/images/whatnew.../24/reaper.jpg PC2-6400 Reaper HPC CL3 Как повелось с прошлого года, в отношении самых производительных режимов функционирования памяти приходится делать оговорки. Таковые автоматически устанавливаются только в системах на платформах последних чипсетов компании NVIDIA благодаря специальным записям в SPD "домашних" EPP-профилей калифорнийского чипмейкера. В иных случаях оптимальные тайминги придётся выставлять вручную и поднимать напряжение питания памяти до 2.4 В. Со своей стороны, компания OCZ гарантирует работоспособность памяти до данной отметки. В продаже модули PC2-6400 Reaper HPC CL3 появятся в составе двухканальных 2-ГБ комплектов. Цена традиционно не раскрывается. Автор: GreenCo Европа признала Rambus виновной... [24.08.2007 15:59:00] Европейская Комиссия направила Бюллетень возражений (statement of objections) в адрес самой юридической компании IT-индустрии – скандально известной Rambus. Расследование неправомочных поборов Rambus с производителей чипов памяти и контроллеров затеяно было Евросоюзом два года назад (подробности см. в архиве наших новостей за 26 июня 2005 года). На основании изученных документов органы европейской власти пришли к выводу, что Rambus не имеет юридического права собирать отчисления за свои технологии заложенные в стандарт SDRAM путём обмана в процессе так называемой "патентной засады" (patent ambush). Аналогичное по сути решение в феврале нынешнего года вынесла американская Федеральная Торговая Комиссия. Ущемлённая в своих "правах" Rambus оспаривает сейчас заключение FTC в суде. Соответствующая апелляция будет подана в течение нескольких месяцев и против "обидевшей" Rambus Европейской Комиссии. Автор: GreenCo (C)_www.fcenter.ru добавлено через 21 минуту Память стандарта DDR3 появится в мобильном сегменте в 2008 году 24 августа 2007, 18:12 По сообщениям зарубежных коллег, память стандарта DDR3, которую пока сложно назвать популярной среди потребителей, относительно скоро должна появиться в мобильном сегменте. Корпорация Intel планирует использовать память стандарта DDR3 в следующей мобильной платформы компании. В течение следующего года Intel обновит платформу Santa Rosa. Помимо новых процессоров, новая Santa Rosa Refresh, судя по всему, получит в распоряжение память нового поколения. Будем надеятся, что в течение следующего года стоимость DDR3 снизится до показателей DDR2 по состоянию на текущий момент, ведь данный стандарт памяти способен обеспечить более высокую производительность при меньшем энергопотреблении по сравнению с DDR2, что особенно актуально в ноутбуках. (C)_www.thg.ru |
Kingmax выпускает память стандарта DDR3-1333 с таймингами 5-5-5-15
BESS! @ 17:05 В свете высоких требований ОС Windows Vista, как отмечено в пресс-релизе компании Kingmax, к подсистеме памяти, а именно, к ее объему и скорости, DDR2 уже не всегда отвечает запросам современных игроков. А потому уже стоит обратить внимание на память нового образца, которая обещает быть более эффективной во всех отношениях. _http://www.ixbt.com/short/images/Kingmax_DDR3_m.jpg Вчера состоялся анонс новых модулей оперативной памяти стандарта DDR3, которая рассчитана на работу при частоте 1333 МГц. Три процессора компании Intel: E6850, E6750 и 6650 уже поддерживают FSB 1333 МГц. Для игроков, требующих максимума скорости от системы, комбинация из памяти Kingmax DDR3 1333 и этих процессоров, как отмечается, будет оптимальным выбором. Представленная память с 8-битной предвыборкой данных удовлетворяет стандартам JEDEC и предлагается в упаковке CSP FBGA. Заявлено, что модули объемом 1 и 2 Гб могут работать в частотном диапазоне 1333-1600 МГц, что подчеркивает разгонный потенциал чипов Elpida, используемых для сборки модулей. Остальные параметры KINGMAX DDR3 1333 Long-DIMM:
(C)_www.ixbt.com |
Kingmax выпустила новые DDR3-1333
25 августа 2007, 19:42 Компания Kingmax анонсировала новые модули памяти стандарта DDR3. По словам представителей компании, модули обладают низкими задержками и предназначены для работы с процессорами c частотой системой шины 1333 МГц. Модули памяти работают на частоте 1333 МГц с таймингами CL7-5-5-5-15. К счастью, для работы при заявленных характеристиках компании не потребовалось увеличить напряжение по отношению к рекомендованному. Согласно спецификации JEDEC, рабочее напряжение DDR3 составляет 1,5 в. В основу модулей положены чипы Elpida, обладающие неплохим разгонным потенциалом. http://www.thg.ru/technews/images/kingmax-250807.jpg Емкость новых модулей DDR3 может составить как 1 Гбайт, так и 2 Гбайт. К сожалению, когда и по какой цене новые DDR3-1333 попадут на прилавки пока не известно. (C)_www.thg.ru |
OCZ 2GB DDR3-1333 Platinum Edition
"Welcome to Techgage's first DDR3 memory review, courtesy of OCZ. Up until now, we haven't seen much of a need to publish a slew of DDR3 reviews as it's slow to catch on, but we will begin publishing much more in the months to come, as it's beginning to become more popular among enthusiasts. This is not to say that you should run out to pick up a kit though, simply because it's "catching on". As I have mentioned in previous articles, I see absolutely zero need to move to a DDR3 platform. It offers no immediate benefits, unless you run absolutely hardcore bandwidth hogging applications. As it stands, I have a hard enough time trying to push DDR2 to it's limit, let alone DDR3. I consider myself to be a memory enthusiast, but when DDR3 launched, I felt no enthusiasm whatsoever. One reason might be the lack of overall performance gain, another might be the fact that it's ridiculously expensive. That said, it's up to you to decide whether DDR3 is for you. It -is- faster, but it's just a matter of pushing it the right way in order to notice the difference. You could almost compare the current state of memory to cars. Corvettes cost far less than Ferraris, but still offer great performance. So much so, that you will likely never reach the 'Vettes full potential. So while the Ferrari is beautiful to look at and enthusiasts all look at it in awe, there comes a time when something is overkill. In this case, most Ferraris cost 3x as much as a nice Corvette, and likewise with DDR3 vs DDR2. With all of my DDR3 rants out of the way, the fact is that DDR3 is faster and is the obvious choice of memory enthusiasts. While most companies released DDR3-1333 kits at launch, they quickly seemed obsolete with some overclocks that some were seeing, as high as DDR3-2000. So one thing is for sure, if you want a kit of ram that has loads of overclocking potential, most DDR3 kits will treat you well." |
Память DDR3-1800: модули от Corsair и OCZ
Новый стандарт памяти DDR3 начинает набирать обороты. Гонка частот в этом секторе не прекращается, и именитые производители памяти представили пары модулей DDR3-1800. Штатно такие частоты современными чипсетами не поддерживаются, поэтому данные DIMM пока предназначены, прежде всего, для оверклокеров. Они позволяет хорошо разогнать систему по FSB, не упираясь в ограничения памяти. http://www.thg.ru/mainboard/ddr3-1800/onepage.html grogi, до 8.09 осталось менее 140 часов :biggrin: |
Fujitsu добилась запрета продаж в Японии памяти Nanya... [03.09.2007 09:20:00]
Два года назад японская компания Fujitsu потребовала запретить на территории Японии продажи компьютерной памяти производства тайваньской компании Nanya Technology. Этот ближайший партнёр немецкой Infineon по производству DRAM был обвинён в нарушении патентов Fujitsu улучшающих адресные цепи компьютерной памяти. На днях токийский суд признал правоту притязаний истца и постановил остановить ввоз и продажу на территории страны памяти выпускаемой компанией Nanya. Также обвиняемая сторона обязана компенсировать Fujitsu потери от проданной в прошлом DRAM базирующейся на "похищенных" патентах. Интересно, данное решение затрагивает лишь вершину айсберга. Сегодня неизвестно всплывёт ли остальная его часть. В своё время Fujitsu грозилась потребовать запрета продаж памяти производства компании Nanya Technology в других странах. Кроме этого, DRAM для тайваньской компании по её технологиям выпускает компания Inotera Memories – огромный промышленный комплекс и одновременно совместное предприятие компаний Nanya и Infineon. Последняя, в лице компании Qimonda, являющейся производителем DRAM номер два в мире, тоже получает часть чипов компьютерной памяти от Nanya Technology и Inotera Memories. Так что юристам компании Fujitsu есть где развернуться. Право-то, прецедентное. Автор: GreenCo (C)_www.fcenter.ru fear factor а я уже практически готов..осталось так по мелочи:biggrin: самое главное уже готово:beer::biggrin: добавлено через 5 минут "Шустрая" 1600 МГц DDR3-память Patriot для самых взыскательных 03.09.2007 [15:15], Руслан Цап Наверное, наиболее требовательными в плане "железа" пользователями являются профессиональные геймеры и компьютерные энтузиасты, для которых такие параметры, как мощь и производительность системных компонентов их компьютеров, безусловно, играют первостепенную роль. Именно для этой привередливой публики компания Patriot Memory на днях и анонсировала выпуск нового набора модулей памяти DDR3 Extreme Performance Low Latency Memory Kit, работающих на частоте 1600 МГц, обладающих суммарным объёмом в 2 Гб и обеспечивающихся пожизненной гарантией качества. По словам разработчиков, главной отличительной особенностью изделий, предназначенных для совместного использования с новейшими наборами системной логики Intel P35 и X38 Express, являются впечатляющие сверхнизкие значения задержек, равные 7-7-7-18. При этом рабочее напряжение новинок составляет всего 1,8 В. Таким образом, можно смело констатировать, что данные устройства относятся к числу самых быстрых подобных решений на рынке. Огорчает лишь то, что о цене и сроках появления Patriot DDR3 Extreme Performance Low Latency Memory Kit в продаже производитель, увы, пока ничего не сообщил. (C)_3dnews.ru |
Скоростные планки памяти DDR2 PC2-9600 от Winchip
04.09.2007 [15:42], Тимур Садыков Компания Winchip Technologies представила новые скоростные модули памяти DDR2. Новые модули памяти PC2-9600 работают на частоте 1200 МГц и предоставляют пользователям отличную возможность повысить производительность подсистемы памяти не прибегая к переходу на дорогую память DDR3. http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/09/04/58355.jpg Модули памяти оснащены массивными радиаторами и выпускаются в цветовой гамме, состоящей из пяти цветов. Среди остальных характеристик новой памяти от Winchip, отметим тайминги 5-5-5-15 и напряжение на уровне 2,4 +/- 0,1 В. Подаваться такая память будет в комплектах по два модуля емкостью 512 Мб или 1 Гб. (C)_3dnews.ru |
OCZ Technology анонсирует память DDR3-1600 с поддержкой XMP
Lexagon / 10.09.2007 19:48 / ссылка на материал / версия для печати Как вы можете помнить, компания Intel решила представить одновременно с чипсетом X38 расширения для модулей памяти типа DDR-3, которые позволяли бы при использовании определённых материнских плат автоматически включать профили памяти, оптимизированные под разгон. Эти расширения получили название XMP (Extreme Memory Profiles). Как сообщает сайт TechConnect Magazine, компания OCZ Technology станет одним из первых производителей, представивших модули памяти с поддержкой XMP. Они прошли соответствующую сертификацию, и наиболее полно раскрывают свои качества в паре с чипсетом Intel X38. Данные модули памяти будут работать в режиме DDR3-1600 при значении таймингов 8-8-8, но при переходе к использованию второго прошитого в SPD профиля тайминги удастся снизить до 7-6-6. Как и все модули памяти производства OCZ Technology, память с поддержкой XMP будет снабжаться фирменной пожизненной гарантией. (C)_www.overclockers.ru Micron Original " В интернете, да и на страницах нашего сайта, есть много обзоров памяти DDRII как бюджетной, так и оверклокерской, я же хочу поведать вам о совершенно диких и редко встречающихся плашках от Micron original на основе чипов D9GKX. Данная память не является чем-то забугорно недоступным и водится в обычных магазинах, даже в таких мелких городишках, в котором я собственно и проживаю. В прайс листе данная память выглядела так: «DDR-II UDIMM 1024 MB 240 pin (PC2-6400,800MHz,CL5.0) Micron Original [CT12864AA80E]» и стоила 1650р., что же делать, пришлось взять все плашки, какие были в наличии, коих оказалось 6шт., кто-то скажет «зачем же стока?» я же отвечу - память лишней не бывает. К какой категорий отнести данную память, у меня лично сомнений не было, так как чипы D9GMH/GKX для меня являются культовыми, как когда-то BH-5/6. Это память истинного оверклокера." |
Спотовые цены DDR2 достигли очередного рекордного минимума
BESS! @ 20:05 Согласно информации, предоставленной DRAMExchange, спотовые цены на продукцию DRAM достигли своего очередного минимума. Стоимость протестированных еТТ-чипов плотностью 512 Мбит составила 1,30 долл. за чип. Предыдущий рекордный минимум был отмечен 16 мая этого года. Тогда стоимость этой памяти опускалась до 1,35 долл. Стоит отметить, что текущая цена на память DDR2 — результат падения цен с отметки чуть более 7 долл. за чип осенью 2006 года. В январе этого года цена составляла 5,50 долл. за чип. Впоследствии, как известно, всплеск цен был вызван появлением новой операционной системы Windows Vista, требования к подсистеме памяти которой являлись повышенными по сравнению с другими ОС. Вскоре спрос был удовлетворен и цены начали снижаться, до тех пор, пока крупные сборщики не стали массово закупать память для готовых ПК во второй половине года. Дальнейшее падение цен на память DDR2 видится DRAMExchange невозможным, т.к. отпускная цена почти вплотную приблизилась к себестоимости производства для большинства крупных производителей памяти. Источник: TG Daily (C)_www.ixbt.com |
OCZ анонсировала комплект памяти PC2-8500 Titanium
13 сентября 2007, 14:05 Память стандарта DDR3 медленно, но верно завоевывает рынок, однако, это не означает, что DDR2 уже пора списывать на покой. В настоящее время все процессоры AMD содержат контроллер памяти DDR2, а для платформ Intel еще не так много решений, которые поддерживают новейшую DDR3. Можно выделить лишь чипсеты семейства Bearlake - наборы системной логики Intel P35, Intel G3x, а также грядущий Intel X38. Следовательно, бурный рост интереса к стандарту памяти DDR3 предвидится только в течение 2008 года, пока же у производителей памяти, более того, у конечного потребителя есть смысл ориентироваться на DDR2. http://www.thg.ru/technews/images/oc...066-130907.jpg Компания OCZ объявила о скором появлении на прилавках очередного комплекта памяти DDR2. Модули PC2-8500 Titanium будут доступны в комплектах из двух планок емокостью 1 Гбайт каждая. Частота работы составит 1066 МГц, при таймингах 5-5-5-15 и напряжении 2.3 вольта. Каждый модуль оснащен фирменной системой охлаждения XTC (Xtreme Thermal Convection) и проверен на работу при заявленных характеристиках. Отметим также, что на PC2-8500 Titanium распространяется гарантия на весь срок эксплуатации. (C)_www.thg.ru |
G.Skill представила модули DDR3-1600
13 сентября 2007, 20:03 Компания G.Skill представила новые модули памяти DDR3-1600. Ожидается, что поставки будут начаты исключительно комплектами, которые будут состоять из двух планок суммарной емкостью 2 Гбайт. Отметим, что чипы памяти отрегулированы на работу при частоте 1600 МГц с таймингами 7-7-7-18. http://www.thg.ru/technews/images/gs...600-130907.jpg На модули будет распространятся гарантия на весь срок службы. К сожалению, информация о стоимости, а также дате начала продаж новых DDR3-1600 пока не доступна. (C)_www.thg.ru |
Производители оверклокерской памяти готовят DDR3 SDRAM с XMP
TOPMO3 / 15.09.2007 00:02 / ссылка на материал / версия для печати Как известно, одной из инноваций, которые привнесёт ожидаемый набор логики Intel X38, станет поддержка технологии XMP (Intel Extreme Memory Profiles). Эта технология предлагает расширения SPD, содержащие «оверклокерские» профили, позволяющие легко конфигурировать память для работы в разогнанных системах. Как сегодня стало известно, в преддверии появления на рынке материнских плат, основанных на наборе логики Intel X38, ведущие производители модулей памяти для энтузиастов поддержали инициативу Intel и анонсировали модули с XMP. О расширении своих линеек DDR3 SDRAM за счёт добавления в них продуктов с XMP заявили компании Corsair и OCZ. Компания Corsair предлагает сразу три варианта модулей DDR3 SDRAM с XMP. Это:
Компания OCZ же пока объявила единственный продукт:
Впрочем, о широкой доступности описанной памяти от Corsair и OCZ речь пока не идёт. Производители заявляют лишь о том, что покажут свои предложения на предстоящей сессии IDF на следующей неделе. (C)_www.overclockers.ru |
Мнение Intel: DDR3 придет в средний ценовой диапазон в 2008 году
25 сентября 2007, 20:00 В конце прошлого года AMD заявляла, что не планирует переходить на память стандарта DDR3 до конца 2008 или начала 2009 года. Как мы видим, так оно и есть. Пока процессоры компании поддерживают только DDR2. Ни о какой реализации DDR3 речи не идет. Впрочем, мы несколько лукавим, контроллер памяти новейших решений на базе микроархитектуры поддерживает DDR3, однако, в ближайшие три квартала AMD не собирается переводить свои платформы на новый стандарт памяти. Следовательно, будем считать, что поддержки нет. Посмотрим на платформы Intel. Как известно, Intel старается внедрить новые стандарты памяти как можно скорей (вспомним о переходе с DDR на DDR2). Уже сейчас ряд чипсетов компании поддерживают DDR3. В скором же времени выйдет Intel X38, а также его более быстрая версия Intel X48, которой суждено выйти в начале 2008 года. В мобильном сегменте также планируется внедрить DDR3. Уже во втором квартале 2008 года выйдет платформа Montevina, включающая чипсет с поддержкой DDR3. Большее число платформ с поддержкой DDR3 - большее число потребителей, следовательно, больший спрос на новую память. Это также значит, что производители памяти будут стараться увеличивать объемы производства DDR3, что должно привести к снижению стоимости и переходу DDR3 в рынок систем среднего ценового диапазона. (C)_www.thg.ru |
Elpida: первые в мире 2-гигабитные чипы памяти DDR2-1066
Bugz @ 13:17 Компания Elpida Memory анонсировала выпуск первых в мире 2-Гбит чипов DDR2 SDRAM, работающих на скорости 1066 Мбит/с. Сообщается, что новая память на 30% быстрее, чем DDR2-800 и потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с существующими 2-Гбит чипами DDR2 производства Elpida. _http://www.ixbt.com/short/images/elpida-2gddr2-1066.jpg На основе новых чипов будут создаваться как серверные модули регистровой памяти объёмом 8 Гб, так и 4-Гб модули небуферизированной памяти для ПК и ноутбуков (DIMM и SO-DIMM). Новая память будет доступна как два продукта: EDE2104ABSE и EDE2108ABSE. Поставка образцов начнется в октябре, а начало массового выпуска ожидается ближе к концу этого года. Источник: Elpida (C)_www.ixbt.com |
Цены на DDR-3 и DDR-2 сравняются к 2009 году
Как показали наши исследования, существующие модули памяти типа DDR-3 пока не могут однозначно опережать проверенные временем решения типа DDR-2 с точки зрения быстродействия, да и цена памяти типа DDR-3 пока высока. Однако, частотный потенциал DDR-3 стремительно улучшается, а задержки планомерно снижаются, так что обогнать DDR-2 по быстродействию ей удастся достаточно скоро. Когда же DDR-3 обретёт доступные цены? На этот вопрос в интервью сайту Legit Reviews ответил один из основателей компании Corsair Memory, господин Джон Бикли (John Beekley). По его мнению, для выравнивания цен на DDR-3 и DDR-2 потребуется примерно такой же срок, как и в случае с DDR и DDR-2. Другими словами, в 2009 году память типа DDR-3 будет стоить столько же, как и DDR-2. В ходе беседы с представителями сайта основатель Corsair Memory затронул и другие интересные темы. Например, было сказано, что в январе 2008 года компания представит модули памяти типа DDR3-2000 или даже более быстрые. В это легко поверить, если учесть, что все флагманские продукты производителей памяти сейчас оснащаются замысловатыми системами охлаждения, а модули DDR3-2000 были продемонстрированы ещё в июне этого года. Скорее всего, модули типа DDR3-2000 составят компанию чипсету Intel X48, который должен появиться в первом квартале следующего года, и предложить поддержку 1600 МГц шины и DDR3-1600. Популярность комплектов памяти объёмом 4 Гб сейчас была бы гораздо выше, считает представитель Corsair, если бы Microsoft активнее продвигала 64-битные операционные системы в потребительском секторе. Как известно, 32-битные версии Windows видят только часть оперативной памяти, если в системе установлены модули совокупным объёмом 4 Гб. overclockers.ru |
Hynix покидает спотовый рынок DRAM-памяти из-за низких цен
BESS! @ 09:37 Hynix Semiconductor, вторая по величине компания-поставщик чипов памяти, как сообщает Reuters, покидает спотовый рынок памяти. Данное решение связано с тем, что цены за последнее время упали до чрезвычайно низких показателей. "Мы прекратили поставки DRAM-памяти на спотовый рынок, чтобы защитить собственные интересы и улучшить наши позиции на рынке долгосрочных сделок", - сообщил представитель компании изданию Reuters. Он также отметил, что прекращение поставок памяти было уже принято в сентябре, но не сообщил, когда именно и как долго это продлится. Как обычно, Hynix реализовала на спотовом рынке около 15% общего запаса имеющейся на складах DRAM (dynamic random access memory) памяти, сообщил представитель компании, с тем, чтобы остаток продать на контрактном рынке. Аналитики рынка (Dongbu Securities) говорят, что шаг Hynix направлен на защиту собственных цен на память, продаваемую на контрактном рынке. Представитель Dongbu Securities, г-н Ли Минь-хи (Lee Min-hee), отметил также, что по оценке его компании спотовый рынок представляет собой порядка 20% общего рынка DRAM-памяти. Рыночные исследования DRAMExchange говорят о том, что спотовые цены на чипы DRAM снизились еще на 10% за последние 10 дней, поэтому DRAMExchange предсказывает соответствующее падение контрактных цен на примерно такую же величину (10%) еще в сентябре. Производители памяти столкнулись с острой проблемой падения цен из-за общего перенасыщения рынка памяти. Эта ситуация наблюдалась в течение всего года. Единственный небольшой всплеск цен был отмечен в начале лета. Это предвещало компаниям-производителям некоторые прибыли в этом квартале, но затем ситуация только ухудшилась. Источник: Reuters (C)_www.ixbt.com |
| Часовой пояс GMT +4, время: 07:08. |
Powered by vBulletin® Version 3.8.5
Copyright ©2000 - 2024, Jelsoft Enterprises Ltd.