[RURIK]

У eSilicon готов 90-нм интерфейс памяти DDR2

Компания eSilicon добавила интерфейс памяти Double-Data Rate 2 (DDR2) SDRAM к своему набору решений, предназначенных для разработчиков и производителей полупроводниковых микросхем. Как утверждается, оптимизированный интерфейс, рассчитанный на интеграцию в микросхемы, выпускаемые по нормам 90 нм, способен обеспечить обмен данным на скоростях, превышающих 1 Гбит/с (в расчете на один разряд).

Поскольку требования к быстродействию специализированных интегральных микросхем постоянно увеличиваются, их конструкторы заинтересованы в наличии готовых высокоскоростных решений, позволяющих быстро добавлять в микросхемы целые функциональные блоки. В то же время, интерфейсы DDR2 относятся к сложным в реализации, и требующим значительных затрат при проектировании «с нуля», поскольку для них характерно большое количество сигналов и сложные временные диаграммы.

Предложение eSilicon включает интерфейсы DDR2, оптимизированные для конкретных применений. В частности, это контроллер DDR2, разработанный Northwest Logic и подсистема ввода-вывода с поддержкой DDR2, разработанная компанией ARM.

Как ожидается, наличие готового решения подтолкнет разработчиков к более широкому использованию DDR2 в своих проектах.

(c) ixbt.com