Samsung начнет производство 50-нм DRAM чипов в 2008 году
23 октября 2006, 18:56
Одна из крупнейших полупроводниковых компаний, корпорация Samsung, объявила о выпуске первого образца DDR2 Dynamic Random Access Memomry (DRAM) чипа, который произведен по техпроцессу 50 нм. Ожидается, что массовое производство будет начато уже в 2008 году.
Использование 50-нм техпроцесса в совокупности с трехмерным дизайном позволяет увеличить на 55% число годных чипов, - сообщает компания. Впрочем, воспринимать всерьез слова компании несколько рано.
http://www.thg.ru/technews/images/sa...0nm-231006.jpg
Пока не известно энергопотребление и тепловыделение новых чипов. С одной стороны новая упаковка чипа обеспечивает меньшие размеры, с другой стороны более плотное (объемное) расположение элементов влечет к несколько худшему отводу тепла. Аналогичные выводы можно сделать о техпроцецессе. Хотя на переключение затвора транзистора требуется меньше энергии, ввиду меньших размеров самого затвора, однако, опять мы наблюдаем же более плотное расположение транзисторов.
(C)_www.thg.ru
Характеристики, планы по развертыванию, цены памяти DDR3
BlackCat @ 06:54
Французский сайт Clubic опубликовал на своих страницах информацию, полученную им от одного из крупнейших производителей памяти, пожелавшего остаться неизвестным. Cведения касаются следующего типа памяти, который в ближайшие годы должен обосноваться в качестве ОЗУ в персональных компьютерах - DDR3.
Сообщается, что в настоящий момент такие продукты находятся в фазе окончательного тестирования, а их доступность в розничной продаже ожидается в начале 2007 года (HKEPC прямо говорит о том, что Samsung планирует начать поставки во втором квартале следующего года), вместе с выходом первых чипсетов семейства Intel Bearlake.
Что же до того, какими будут задержки памяти DDR3, то они, предсказуемо будут выше, нежели у DDR2. Полный перечень утвержденных JEDEC задержек для DDR3-1066/1333/1600 вы можете увидеть на следующем слайде, опубликованном HKEPC практически одновременно с появлением материала у французского источника.
_http://www.ixbt.com/news/digimage/bcat/ddr3_plans/2.jpg
Самая быстрая системная память, DDR3-1600 должна появиться к концу следующего года, предлагая вдвое большую пропускную способность, чем DDR2-800.
_http://www.ixbt.com/news/digimage/bcat/ddr3_plans/3.jpg
Еще одним преимуществом DDR3 должно стать заметно уменьшенное по сравнению с DDR2 энергопотребление.
_http://www.ixbt.com/news/digimage/bcat/ddr3_plans/4.jpg
Цены на DDR3, по информации источников должны быть, в среднем, на 50% выше, чем у DDR2, что должно замедлить приход таких модулей в массовый сегмент. Ожидается, что DDR3 займет большую часть рынка системной памяти лишь в 2009 году.
Источники: Clubic, HKEPC
(C)_www.ixbt.com