Toshiba заявила о разработке SDHC-карт емкостью 32 Гб
24.08.2007 [16:18], Арсений Герасименко
Представители компании Toshiba официально подтвердили слухи касательно ведения работ по созданию новых карт памяти типа SDHC емкостью 16 Гб и 32 Гб. Нужно сказать, что эти новинки станут первыми в мире картами такого типа и такой емкости, которая, очевидно, станет предельной для накопителей формата SDHC. Как известно, сейчас на рынке доминируют SDHC-решения емкостью 4 Гб или 8 Гб. Согласно данным официальных источников, SDHC-модуль объемом 16 Гб сейчас также находится на стадии разработки, более того в скором времени инженеры Toshiba пообещали порадовать пользователей мобильных телефонов анонсом карты памяти типа microSDHC емкостью 8 Гб. Важно отметить, что Toshiba избрала стратегию создания накопителей, соответствующих классу 4 (скорость 4 Мб/с), в то время как первые SDHC-модели разрабатывались согласно нормам класса 2. Инженеры компании уверены, что новые модели будут востребованы в первую очередь пользователями, работающими с большими объемами данных – владельцами цифровых камер, камкордеров.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/08/23/57150.jpg
Предварительно, модель емкостью 16 Гб появится на рынке в октябре и будет стоить примерно 200 долларов, а SDHC-карты объемом 32 Гб разработчики представят в январе. Аналитики утверждают, что за столь прогрессивное решение пользователю придется отдать не менее 350 долларов.
(C)_3dnews.ru
добавлено через 5 минут
Intel переводит производство флэш-памяти типа NOR на 65 нм
24 августа 2007, 12:48
Корпорация Intel опубликовала планы по расширению ассортимента встраиваемой флэш-памяти типа NOR за счет 65-нанометрового поколения продукции - этот шаг ориентирован на заказчиков, выпускающих интегрированные системы. По заявлению компании, переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии позволит сбалансировать соотношение между ценой и производительностью, а также продлить жизненный цикл продукции; эти факторы имеют большое значение для OEM-производителей, создающих встраиваемые решения. Начало поставок опытных партий 65-нанометровой продукции Intel, которая обычно используется в устройствах бытовой электроники, в проводном коммуникационном оборудовании и в промышленных приложениях, запланировано на первую половину 2008 г.
"Большинство встраиваемых решений остается в производстве дольше, чем сотовые телефоны или другие устройства бытовой электроники, - говорит Глен Хоук, директор подразделения Intel Flash Products Group. - Беспроводные компоненты Intel типа NOR для беспроводных коммуникаций уже выпускаются в массовых объемах по этой передовой производственной технологии. Мы используем полученные знания и опыт для ускорения разработок и поставок своей продукции".
Переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии для выпуска встраиваемых компонентов позволит Intel продлить жизненный цикл своей продукции, а также расширить ее функциональные возможности и повысить экономическую эффективность. Предлагаемая Intel продукция типа NOR для сегмента встраиваемых систем включает решения с параллельной и с последовательной выборкой. Встраиваемая память Intel StrataFlash (P30/P33) выполнена на одной микросхеме, содержит код и данные, отличается высокой плотностью данных и производительностью, а также наименьшей стоимостью в расчете на 1 бит. Встраиваемая флэш-память Intel Embedded Flash Memory (J3 v.D) позволяет обновлять устаревшие конструкции методом вставки (drop-in). Ее расширенные функциональные возможности обеспечивают поддержку серийных встраиваемых приложений, которым требуются соответствующие функции и масштабируемость. Флэш-память Intel Serial Flash Memory (S33), отвечающая отраслевым стандартам, позволяет упростить конструкцию плат, экономит место на плате, имеет меньшее число выводов, более компактный корпус и применяется в широком спектре устройств, таких как телевизоры, DVD-проигрыватели, ПК, модемы и принтеры.
(C)_www.thg.ru