Модули памяти A-DATA Vitesta DDR3-1900 X Series
05.10.2007 [09:55], Александр Будик
Свои первые модули DDR3-памяти, работающие с эффективной частотой 1066 МГц, компания A-DATA представила общественности еще в прошлом году на выставке Computex 2006. С того момента A-DATA довольно продолжительное время не удивляла нас интересными разработками, но работу в этой области не прекращала, о чем свидетельствует новая DDR3-память X-серии из продуктовой линейки Vitesta, работающая с эффективной частотой 1900 МГц (рейтинг PC3-15200).
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/10/04/61694.jpg
Временные задержки производитель описывает формулой 9-9-9-24, что является хорошим достижением с учетом такой высокой частоты. Новые модули в тесте «Memory bandwidth read and write», входящем в программный пакет EVEREST, показали результат порядка 11000 Мб/с. Для более экономных пользователей, уделяющих особое внимание соотношению «цена/производительность», A-DATA также предлагает модули DDR3-1600 X Series (тайминги 7-7-7-20), которые тот же тест прошли с результатом 10000 Мб/с.
(C)_3dnews.ru
добавлено через 16 минут
В шесть раз быстрее, чем DDR2-800: Elpida выпускает самую быструю оперативную память в мире
Accent @ 10:21
_http://www.ixbt.com/short/images/70nm_512Mb_XDR_original_1_.jpg
Японская компания Elpida Memory представила самую быструю в мире память типа DRAM. В микросхемах плотностью 512 Мбит, работающих на эквивалентной частоте 4,8 ГГц, используется архитектура Rambus XDR. По словам производителя, новая память имеет пропускную способность 9,6 Гб/с (для одного прибора). Это делает ее идеальным выбором для приложений, особенно требовательных к производительности, таких, как телевизоры высокой четкости (HDTV), игровые консоли, ПК, серверы и рабочие станции.
Новая память Elpida плотностью 512 Мб (EDX5116ADSE-5E-E) имеет программируемую логическую организацию x16/x8/x4 (8 банков) и в шесть раз (в режиме x16) превосходит по пропускной способности память DDR2-800, являющуюся сейчас фактическим стандартом для отрасли. Среди ключевых особенностей новой памяти – технологии, разработанные Rambus: Differential Rambus Signaling Level (DRSL), снижающая уровень шумов; Octal Data Rate (ODR), передающая восемь бит данных за каждый такт, что эквивалентно частоте 4,8 ГГц (реальная тактовая частота – 600 МГц); FlexPhase, позволяющая точно подстроить временные параметры чипа. Память XDR DRAM является составной частью архитектуры XDR, включающей контроллер памяти XMC (XDR Memory Controller), контроллер ввода-вывода XIO (XDR IO controller interface cell) и генератор XCG (XDR Clock Generator). Вместе, перечисленные компоненты позволяют минимальным количеством микросхем реализовать самую быстродействующую подсистему оперативной памяти. Для выпуска 4,8-ГГц XDR-чипов используется техпроцесс Elpida с нормами 70 нм. Микросхемы оформлены в 104-контактных корпусах типа FBGA. Поставки ознакомительных образцов Elpida EDX5116ADSE-5E-E начнутся в декабре, а серийный выпуск намечено развернуть в апреле 2008 года.
Источники: Elpida Memory, Rambus
(C)_www.ixbt.com