[grogi]

Разработка Rambus для памяти DDR3 поддерживает частоты до 1600 МГц
Accent @ 07:45
Специалисты компании Rambus успешно завершили разработку в области контроллеров памяти DDR3 DRAM. Полностью интегрированная макро-ячейка реализует интерфейс физического уровня (PHY) между логикой контроллера и приборами DDR3 или DDR2 DRAM на эффективных частотах до 1600 МГц.

Оптимизированная по критериям энергопотребления и площади кристалла, интерфейсная ячейка контроллера памяти DDR3 рассчитана на широкий спектр приложений, включая системную память ПК, бытовую электронику, серверы, рабочие станции и сетевое оборудование. По словам Rambus, разработка выполнена таким образом, чтобы упростить интеграцию в другие продукты, включая заказные интегральные схемы (ASIC).

В качестве одной из основных особенностей изделия компания называет наличие цепей для гибкой подстройки временных параметров (технология FlexPhase). К другим ключевым моментам можно отнести поддержку скоростей передачи (эффективных частот) 800-1600 МГц; поддержку режимов DDR3 и DDR2; наличие встроенных цепей автоматической подстройки частоты. Кроме того, решение предусматривает работу с шинами данных разной разрядности (8, 16, 32 и 64 бит) с опциональной поддержкой коррекции ошибок (ECC).

Выпуск продукта сопровождается исчерпывающим набором сопутствующих средств разработки и сервисов Rambus, включая модели для пакетов автоматизированного проектирования и технические руководства.

Источник: Rambus

Virtium выпускает VLP- и ULP-модули памяти DDR3 для встраиваемых систем
Accent @ 12:42
На конференции AdvancedTCA Summit, компания Virtium Technology, специализирующаяся на модулях памяти для встраиваемых систем и blade-модулей, анонсировала выпуск сразу нескольких новинок. Речь идет о модулях памяти DDR3, выполненных в форм-факторе Very Low Profile (VLP) и Ultra Low Profile (ULP). Как утверждается, новинки превосходят требования стандарта JEDEC.
_http://www.ixbt.com/short/images/ddr3.jpg
Сейчас в ассортименте Virtium есть модули DDR3 VLP SODIMM, VLP SO-RDIMM, VLP SO-CDIMM, ULP RDIMM, ULP UDIMM и ULP Mini-RDIMM. Примечательно, что специалистам Virtium удалось превысить очерченную стандартом границу плотности памяти модуля VLP: модели RDIMM доступны в вариантах до 2 Гбайт, а в будущем компания обещает выпустить 4-Гбайт модули. Высота модулей ULP – всего лишь 0,7 дюйма (17,8 мм), тогда как стандартом JEDEC закреплено значение 0,72 дюйма (18,3 мм).

Все изделия Virtium типоразмеров VLP и ULP рассчитаны на эксплуатацию в расширенном диапазоне температур, что автоматически открывает им дорогу в системы с усиленным исполнением, выполненные в соответствии со спецификациями AdvancedTCA, AdvancedMC, MicroTCA, PicoTCA и AMC, в модули хранилищ данных Storage Bridge Bay (SBB) и одноплатные компьютеры PICMG SBC.

Источник: Virtium Technology

Компания Cypress выпускает память nvSRAM плотностью 4 Мбит
Accent @ 02:00
В ассортименте компании Cypress Semiconductor появилась энергонезависимая статическая память с произвольным доступом (nvSRAM) плотностью 4 Мбит. Новинку выгодно характеризует малое время доступа - 15 нс, неограниченное количество циклов записи и чтения, и 20-летный период хранения данных в отсутствие источника питания.

По словам производителя, nvSRAM хорошо подходит для приложений, в которых востребована высокая скорость записи и абсолютная сохранность данных, связанная с тем, что память является энергонезависимой. В частности, речь идет о RAID-массивах; промышленном оборудовании, работающем в сложных условиях; системах сбора данных в бортовых системах автомобилей; медицинских приборах и средствах связи.
_http://www.ixbt.com/short/images/4_mbit_nvsram_photo_14_1_.jpg
По сравнению с памятью SRAM, подпитываемой резервными батареями, новая память позволяет экономить место на печатной плате. В то же время, она экономичнее и надежнее памяти MRAM и FRAM.

К настоящему моменту Cypress предлагает приборы nvSRAM плотностью 256 Кбит и 1 Мбит. Очередное пополнение ассортимента ожидается в первой половине 2008 года.

Микросхемы nvSRAM плотностью 4 Мбит стали первыми приборами nvSRAM, выпускаемыми с использованием техпроцесса S8 (0,13-мкм SONOS - Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon).

Доступны изделия плотностью 4 Мбит с логической организацией 512 Кбит x 8 (CY14B104L) и 256 Кбит x 16 (CY14B104N). Пока можно говорить об ознакомительных образцах, а серийный выпуск компания обещает развернуть в первом квартале 2008 года.

Источник: Cypress Semiconductor

(C)_www.ixbt.com