IMHO.WS - Показать сообщение отдельно - Intel: больше процессоров хороших и разных

grogi · 12.10.2008, 14:17

Bloomfield и высокое напряжение на памяти: не всё так просто
Lexagon / 10.10.2008 07:24 / ссылка на материал / версия для печати
Вокруг рекомендаций по диапазону напряжений для модулей памяти, работающих в материнских платах на базе чипсета Intel X58, сложилась неоднозначная ситуация. С одной стороны, Asus со ссылкой на спецификации Intel рекомендует не устанавливать на памяти напряжение свыше 1.65 В, так как это может привести к повреждению центрального процессора. С другой стороны, некоторым энтузиастам удалось превысить рекомендуемый уровень напряжения без каких-либо последствий, наблюдаемых в краткосрочной перспективе.

Как обстоят дела в действительности, мы узнаем только после анонса процессоров Bloomfield, а пока можем ориентироваться только на предварительные данные. Коллеги с сайта AnandTech пока связаны обязательствами NDA, и не могут говорить обо всех нюансах разгона памяти в связке с процессорами Bloomfield, но обрисовать общую картину им удалось.

Как выясняется, многое зависит от настроек BIOS материнской платы. В общем случае Intel действительно не рекомендует повышать напряжение на модулях памяти за пределы 1.5-1.65 В, поскольку это может сократить срок службы процессора. Если задрать напряжение на памяти до 2.0 В без тонкой настройки параметров BIOS, процессор может выйти из строя почти моментально. Производители памяти уже готовят комплекты DDR-3, способные работать в режимах до DDR3-1600 при относительно низких напряжениях и агрессивных таймингах. Запустить в материнской плате с разъёмом LGA 1366 модули памяти с "паспортным" напряжением 1.8 В тоже возможно, если предварительно сделать все настройки с использованием менее "экстремальной памяти", а затем подменить её перед загрузкой.

Вполне возможно, что после тщательного подбора параметров BIOS модули памяти типа DDR-3 в рассматриваемых материнских платах можно будет безопасно эксплуатировать при напряжениях около 1.7-1.8 В, но дело даже не в этом. По большому счёту, интегрированный трёхканальный контроллер памяти процессоров Bloomfield обеспечивает такую пропускную способность, что её хватит большинству пользователей даже в режимах DDR3-1333 или DDR3-1600. Экстремалам же будут предназначены продвинутые материнские платы и трёхканальные наборы памяти, которые сделают былью разгон до режимов свыше DDR3-2000 без фатальных последствий для процессора. Очевидно, всю правду о нюансах разгона платформы Intel X58 мы узнаем только после анонса процессоров семейства Core i7.

Тесты памяти на Bloomfield: два канала против трёх
Lexagon / 11.10.2008 10:13 / ссылка на материал / версия для печати
Одним из самых очевидных для рядового обывателя нововведений платформы LGA 1366 был переход от двухканальной памяти к трёхканальной, плюс переезд контроллера памяти непосредственно в процессор. Между тем, оценить положительное влияние этих преобразований мы могли только теоретически, пока обстоятельных тестов никто не проводил. Казалось бы, тут нечего сомневаться - встроенный контроллер памяти должен работать эффективнее, да и третий канал памяти тоже не будет лишним.

На уровне "железа", однако, появление третьего канала памяти создавало дополнительные проблемы. Во-первых, нужно было покупать память в трёхканальных комплектах. Во-вторых, шесть слотов DIMM на материнской плате занимают достаточно много места. Если учесть, что многие оверклокерские комплекты памяти оснащаются габаритными системами охлаждения, места понадобится ещё больше.

Коллегам с китайского сайта PC Online удалось провести тестирование процессора Core i7-940 (2.93 ГГц) с различным количеством задействованных каналов памяти - от одного до трёх. В ходе этого эксперимента они установили, как в современных приложениях масштабируется производительность системы по мере увеличения количества каналов памяти процессоров Bloomfield.
http://www.overclockers.ru/images/ne...nehalem_01.jpg
Было установлено, что больше всего заметен прирост при переходе от одного канала памяти к двум, причём это касается не только игр. Разница же между производительностью с двумя каналами памяти и с тремя очень мала. Это позволяет предположить, что процессоры Lynnfield с двухканальным контроллером памяти в этом смысле почти не будут уступать Bloomfield. Впрочем, с ростом частоты процессора потребность в увеличении пропускной способности памяти тоже будет расти, и третий канал здесь раскроет свой потенциал.
http://www.overclockers.ru/images/ne...nehalem_02.jpg
Попутно китайские коллеги провели тестирование эффективности работы Hyper-Threading. Как известно, процессоры Bloomfield могут поддерживать до восьми виртуальных потоков, хотя физически они обладают только четырьмя ядрами. Современные приложения, тем временем, едва научились использовать потенциал четырёх ядер, а эффективно загрузить восемь виртуальных ядер им не всегда по силам. Это предположение нашло подтверждение в ряде тестов, когда включение Hyper-Threading на процессоре Bloomfield приводило к снижению производительности. Впрочем, в архивировании, рендеринге и шахматном бенчмарке включение Hyper-Threading даёт прирост производительности. А вот в приложении TMPGEnc 4.5 для конвертации видео из одного формата в другой вмешательство Hyper-Threading приводит к замедлению работы. Возможно, проблема будет устранена в будущих версиях программы.

Хотелось бы добавить пару слов о приросте быстродействия в играх при сравнении Yorkfield и Bloomfield, работающих на одной частоте. Обещанный Intel прирост в 50% может наблюдаться только в процессорном тесте 3DMark Vantage, что игрой в полном смысле слова считать нельзя. Прочие же игры едва ли обеспечивают Bloomfield преимуществом в районе 10%, а кое-где и вовсе не дают ему выиграть у предшественника. Не будем торопиться с выводами - нужно дождаться результатов тестирования серийных процессоров.

Разгон Bloomfield: до 4.2 ГГц без повышения множителя
Lexagon / 12.10.2008 07:47 / ссылка на материал / версия для печати
Первооткрыватели разгонного потенциала процессоров семейства Core i7 уже поделились с общественностью некоторыми нюансами разгона процессоров с ограниченным на повышение множителем, коих среди первых трёх моделей Bloomfield будет два. Опытным путём было установлено, что частота тактового генератора может быть увеличена со 133 МГц до примерно 220 МГц. Это позволит процессорам с ограниченным на повышение множителем разогнаться "на воздухе" до частот свыше 4.0 ГГц, но более серьёзное охлаждение целесообразно сочетать с разгоном процессора Core i7 Extreme 965 (3.2 ГГц), который получит свободный множитель.

На страницах тайваньского сайта OC.com.tw на этой неделе появилось ещё одно доказательство того, что для достижения приличных результатов в разгоне Bloomfield можно ограничиться повышением частоты тактового генератора, не возлагая особых надежд на множитель. Инженерный образец Core i7 Extreme 965 степпинга C0 был разогнан до 4.2 ГГц при значении множителя 21х и частоте тактового генератора 200 МГц.
http://www.overclockers.ru/images/ne...0/12/oc_01.jpg
Чем охлаждался процессор, и каким было реальное напряжение на ядре, не сообщается. Однако, этот результат вселяет надежду в сердца тех, кто не готов переплачивать при покупке Bloomfield за свободный множитель. Кстати, по сообщениям сайта Nordic Hardware, группа оверклокеров из стран Северной Европы уже работает над экстремальным разгоном процессоров Bloomfield с использованием жидкого азота. К сожалению, поделиться результатами в силу действия NDA они не могут, но с радостью сообщают, что многие из мифов о сложности разгона данных процессоров просто несостоятельны.

©_www.overclockers.ru

12.10.2008, 14:17	# 1434
grogi Moderator Регистрация: 09.08.2002 Адрес: Kaliningrad Пол: Male Сообщения: 15 485	Bloomfield и высокое напряжение на памяти: не всё так просто Lexagon / 10.10.2008 07:24 / ссылка на материал / версия для печати Вокруг рекомендаций по диапазону напряжений для модулей памяти, работающих в материнских платах на базе чипсета Intel X58, сложилась неоднозначная ситуация. С одной стороны, Asus со ссылкой на спецификации Intel рекомендует не устанавливать на памяти напряжение свыше 1.65 В, так как это может привести к повреждению центрального процессора. С другой стороны, некоторым энтузиастам удалось превысить рекомендуемый уровень напряжения без каких-либо последствий, наблюдаемых в краткосрочной перспективе. Как обстоят дела в действительности, мы узнаем только после анонса процессоров Bloomfield, а пока можем ориентироваться только на предварительные данные. Коллеги с сайта AnandTech пока связаны обязательствами NDA, и не могут говорить обо всех нюансах разгона памяти в связке с процессорами Bloomfield, но обрисовать общую картину им удалось. Как выясняется, многое зависит от настроек BIOS материнской платы. В общем случае Intel действительно не рекомендует повышать напряжение на модулях памяти за пределы 1.5-1.65 В, поскольку это может сократить срок службы процессора. Если задрать напряжение на памяти до 2.0 В без тонкой настройки параметров BIOS, процессор может выйти из строя почти моментально. Производители памяти уже готовят комплекты DDR-3, способные работать в режимах до DDR3-1600 при относительно низких напряжениях и агрессивных таймингах. Запустить в материнской плате с разъёмом LGA 1366 модули памяти с "паспортным" напряжением 1.8 В тоже возможно, если предварительно сделать все настройки с использованием менее "экстремальной памяти", а затем подменить её перед загрузкой. Вполне возможно, что после тщательного подбора параметров BIOS модули памяти типа DDR-3 в рассматриваемых материнских платах можно будет безопасно эксплуатировать при напряжениях около 1.7-1.8 В, но дело даже не в этом. По большому счёту, интегрированный трёхканальный контроллер памяти процессоров Bloomfield обеспечивает такую пропускную способность, что её хватит большинству пользователей даже в режимах DDR3-1333 или DDR3-1600. Экстремалам же будут предназначены продвинутые материнские платы и трёхканальные наборы памяти, которые сделают былью разгон до режимов свыше DDR3-2000 без фатальных последствий для процессора. Очевидно, всю правду о нюансах разгона платформы Intel X58 мы узнаем только после анонса процессоров семейства Core i7. Тесты памяти на Bloomfield: два канала против трёх Lexagon / 11.10.2008 10:13 / ссылка на материал / версия для печати Одним из самых очевидных для рядового обывателя нововведений платформы LGA 1366 был переход от двухканальной памяти к трёхканальной, плюс переезд контроллера памяти непосредственно в процессор. Между тем, оценить положительное влияние этих преобразований мы могли только теоретически, пока обстоятельных тестов никто не проводил. Казалось бы, тут нечего сомневаться - встроенный контроллер памяти должен работать эффективнее, да и третий канал памяти тоже не будет лишним. На уровне "железа", однако, появление третьего канала памяти создавало дополнительные проблемы. Во-первых, нужно было покупать память в трёхканальных комплектах. Во-вторых, шесть слотов DIMM на материнской плате занимают достаточно много места. Если учесть, что многие оверклокерские комплекты памяти оснащаются габаритными системами охлаждения, места понадобится ещё больше. Коллегам с китайского сайта PC Online удалось провести тестирование процессора Core i7-940 (2.93 ГГц) с различным количеством задействованных каналов памяти - от одного до трёх. В ходе этого эксперимента они установили, как в современных приложениях масштабируется производительность системы по мере увеличения количества каналов памяти процессоров Bloomfield. http://www.overclockers.ru/images/ne...nehalem_01.jpg Было установлено, что больше всего заметен прирост при переходе от одного канала памяти к двум, причём это касается не только игр. Разница же между производительностью с двумя каналами памяти и с тремя очень мала. Это позволяет предположить, что процессоры Lynnfield с двухканальным контроллером памяти в этом смысле почти не будут уступать Bloomfield. Впрочем, с ростом частоты процессора потребность в увеличении пропускной способности памяти тоже будет расти, и третий канал здесь раскроет свой потенциал. http://www.overclockers.ru/images/ne...nehalem_02.jpg Попутно китайские коллеги провели тестирование эффективности работы Hyper-Threading. Как известно, процессоры Bloomfield могут поддерживать до восьми виртуальных потоков, хотя физически они обладают только четырьмя ядрами. Современные приложения, тем временем, едва научились использовать потенциал четырёх ядер, а эффективно загрузить восемь виртуальных ядер им не всегда по силам. Это предположение нашло подтверждение в ряде тестов, когда включение Hyper-Threading на процессоре Bloomfield приводило к снижению производительности. Впрочем, в архивировании, рендеринге и шахматном бенчмарке включение Hyper-Threading даёт прирост производительности. А вот в приложении TMPGEnc 4.5 для конвертации видео из одного формата в другой вмешательство Hyper-Threading приводит к замедлению работы. Возможно, проблема будет устранена в будущих версиях программы. Хотелось бы добавить пару слов о приросте быстродействия в играх при сравнении Yorkfield и Bloomfield, работающих на одной частоте. Обещанный Intel прирост в 50% может наблюдаться только в процессорном тесте 3DMark Vantage, что игрой в полном смысле слова считать нельзя. Прочие же игры едва ли обеспечивают Bloomfield преимуществом в районе 10%, а кое-где и вовсе не дают ему выиграть у предшественника. Не будем торопиться с выводами - нужно дождаться результатов тестирования серийных процессоров. Разгон Bloomfield: до 4.2 ГГц без повышения множителя Lexagon / 12.10.2008 07:47 / ссылка на материал / версия для печати Первооткрыватели разгонного потенциала процессоров семейства Core i7 уже поделились с общественностью некоторыми нюансами разгона процессоров с ограниченным на повышение множителем, коих среди первых трёх моделей Bloomfield будет два. Опытным путём было установлено, что частота тактового генератора может быть увеличена со 133 МГц до примерно 220 МГц. Это позволит процессорам с ограниченным на повышение множителем разогнаться "на воздухе" до частот свыше 4.0 ГГц, но более серьёзное охлаждение целесообразно сочетать с разгоном процессора Core i7 Extreme 965 (3.2 ГГц), который получит свободный множитель. На страницах тайваньского сайта OC.com.tw на этой неделе появилось ещё одно доказательство того, что для достижения приличных результатов в разгоне Bloomfield можно ограничиться повышением частоты тактового генератора, не возлагая особых надежд на множитель. Инженерный образец Core i7 Extreme 965 степпинга C0 был разогнан до 4.2 ГГц при значении множителя 21х и частоте тактового генератора 200 МГц. http://www.overclockers.ru/images/ne...0/12/oc_01.jpg Чем охлаждался процессор, и каким было реальное напряжение на ядре, не сообщается. Однако, этот результат вселяет надежду в сердца тех, кто не готов переплачивать при покупке Bloomfield за свободный множитель. Кстати, по сообщениям сайта Nordic Hardware, группа оверклокеров из стран Северной Европы уже работает над экстремальным разгоном процессоров Bloomfield с использованием жидкого азота. К сожалению, поделиться результатами в силу действия NDA они не могут, но с радостью сообщают, что многие из мифов о сложности разгона данных процессоров просто несостоятельны. ©_www.overclockers.ru __________________ "Самый аккуратный водитель тот, кто забыл свои права дома" Дружно переходим по ссылке Строим город для имхо!!!