Показать сообщение отдельно
Старый 01.12.2004, 10:08     # 47
Brainiacs
Member
 
Регистрация: 28.02.2004
Адрес: Москва
Пол: Male
Сообщения: 352

Brainiacs СэнсэйBrainiacs СэнсэйBrainiacs СэнсэйBrainiacs СэнсэйBrainiacs СэнсэйBrainiacs СэнсэйBrainiacs СэнсэйBrainiacs СэнсэйBrainiacs СэнсэйBrainiacs СэнсэйBrainiacs СэнсэйBrainiacs СэнсэйBrainiacs Сэнсэй
Компания Infineon создала самый маленький в мире транзистор на нанотрубке

Компания Infineon Technologies AG (FSE/NYSE: IFX) совершила прорыв в производстве нанотранзисторов на основе нанотрубок. Ей удалось создать работоспособный нанотранзистор с длиной проводящего канала всего 18 нанометров. Современные нанотранзисторы — и экспериментальные, и работающие — уже в серии полупроводниковых устройств характеризуются в четверо раз большими размерами проводящего канала. Исследователи из Мюнхенской лаборатории компании Infineon использовали в новом полупроводниковом устройстве нанотрубку диаметром от 0.7 до 1.1 нм, которая была выращена специалистами компании.


Полевой нанотранзистор на основе нанотрубки от Infineon

Электрические характеристики углеродных нанотрубок сделали их идеальными кандидатами для использования в микро- и наноэлектронике. Благодаря «баллистическому электронному транспорту» нанотрубки проводят электроэнергию с наименьшим сопротивлением. Поэтому они характеризуются электропроводностью в 1000 раз большей, чем у меди.

Более того, нанотрубки могут выступать как в роли проводников, так и в роли полупроводников. Компания Infineon первой задумалась над промышленным применением полупроводниковых устройств на основе нанотрубок. Исследовательский состав компании разработал новые методы производства нанотрубок для их использования в нанотранзисторах.


Также исследователи смогли выращивать нанотрубки на определенных поверхностях. Новый нанотранзистор может проводить токи до 15 мA при подаче на него напряжения всего 0.4 В (обычные нанотранзисторы работают на напряжении 0.7 В). При производстве микроэлектронных компонентов на основе нового чипа плотность размещения транзисторов будет в десять раз больше, чем в современных чипах. Также из-за низкого напряжения питания исследователи из Infineon предполагают, что чипы на новых транзисторах станут более экономичными, чем современные.

Уменьшение напряжения питания до 35 В не предполагалось производителями чипов до 2018 года, а новый транзистор работает на 0.4 В уже сейчас.


Источник

---------------------------------------------------------------------

Если кому интересно как обстоят дела с Нанотехнологиями в России, как финансируется у нас и за рубежем прошу сюда ---->>> Нанофинансирование нанотехнологий в России

Regards
__________________
Лучше не знать вкуса сахара, чтобы потом не мучатся от недостатка сладкого!
Brainiacs вне форума