[grogi]

Чипсеты i915x обретают "вынужденную популярность"
Lexagon / 07.07.2005 18:41 / ссылка на материал
Как вы можете помнить, чипсеты семейств i865x и i845x уже давно отпускаются партнёрам Intel в строго ограниченных количествах. В прошлом году компания даже предпринимала непопулярные меры для продвижения чипсетов i915x на рынок, заставляя каждого покупателя партии чипсетов серии i865x нести "социальную нагрузку" в виде определённого количества чипсетов i915x. Причины непопулярности чипсетов i915x были очевидны: покупатель материнской платы на их основе чаще всего должен был приобретать дорогую память DDR-2, видеокарту с интерфейсом PCI Express x16, процессор в исполнении LGA 775. Оверклокеры относились к платформе с настороженностью из-за проблем с разгоном по шине.

В течение этого года чипсеты серии i865x и i845x должны быть полностью сняты с производства, и это обстоятельство одновременно с ограничением объёмов поставок стимулирует спрос на чипсеты семейства i915x. По крайней мере, об этом сообщают коллеги с сайта DigiTimes. Ожидается, что в этом квартале платформа i915x станет доминирующей в структуре поставок решений для процессоров Intel. Будут этому способствовать и снижения цен на чипсеты Intel, последнее из которых имело место третьего июля. Отпускная стоимость материнских плат этого класса упадёт ниже $80.

Интерес к платформе будет стимулироваться и снижением цен на видеокарты с интерфейсом PCI Express x16. По крайней мере, доступные видеокарты с поддержкой технологий TurboCache и HyperMemory привлекают к этим чипсетам покупателей новых систем, не готовых расставаться с большими суммами, но желающих приобщиться к прогрессивной инфраструктуре.

Между тем, ситуация с доступностью чипсетов серий i865x/i845x будет только ухудшаться в третьем квартале, и это открывает определённые шансы на завоевание части бюджетного сегмента рынка чипсетами VIA, ULi и SiS. Будем надеяться, что продвижение чипсетов серии i945x не будет сопровождаться ограничением объёмов поставок чипсетов поколения i915x. Популярность платформы i945x возрастёт после выхода процессоров CedarMill и Presler, которые появятся в первом квартале следующего года. Примерно в это же время выйдет бюджетный чипсет i945GZ.

Intel приступает к разработке фотомасок для 0.032 мкм техпроцесса
Lexagon / 08.07.2005 12:37 / ссылка на материал
Хотя освоить 0.032 мкм техпроцесс компания Intel рассчитывает только в 2009 году, подготовка технологической оснастки должна начаться уже сейчас, чтобы обеспечить соответствие намеченному графику миграции на новые технологические нормы. Процессоры Intel в 2009 году могут располагать не только несколькими ядрами, но и собственным контроллером памяти и графической подсистемой. Понятно, что для ядра с такой плотностью размещения функциональных блоков нужно использовать наиболее "тонкий" техпроцесс, поэтому график освоения новых норм и этапы архитектурной эволюции процессоров неразрывно связаны.

На днях компания Intel заявила о начале очередного этапа технологической подготовки к переходу на 0.032 мкм техпроцесс. Компании Intel и Corning заключили соглашение о совместной разработке основ фотомасок для литографии с использованием сверхжесткого ультрафиолетового излучения. В связи с этим был опубликован соответствующий пресс-релиз:

Корпорация Intel и компания Corning Incorporated заключили соглашение о разработке стеклянных основ фотомасок со сверхнизким распространением тепла ULE (Ultra Low thermal Expansion), необходимых для литографии с использованием сверхжесткого ультрафиолетового излучения (Extreme Ultraviolet, EUV). Эти основы нужны для разработки высококачественных фотомасок EUV, позволяющих наладить массовое производство полупроводниковых схем с размером узла 32 нанометра (нм).
"Опираясь на богатый опыт разработки инновационной продукции и глубокие знания оптических материалов и процессов, мы пришли к выводу, что для производства фотомасок для EUV-литографии лучше всего использовать основы ULE", — сказал Джим Стайнер (Jim Steiner), старший вице-президент и генеральный менеджер отделения специальных материалов компании Corning.

Лидерство корпорации Intel в области производства сложных полупроводниковых схем позволит компании Corning быстро реагировать на требования отрасли. В Intel рассчитывают, что благодаря этой программе совместной разработки инструментов литографии производство микросхем с использованием EUV-литографии будет начато уже в 2009 году.

"Совместные усилия компаний Corning и Intel позволят разработать стеклянные основы ULE, на базе которых можно будет создавать фотомаски для EUV-литографии", — заявил Джим Стайнер. — "Мы рады сотрудничать с лидером отрасли полупроводников, и это еще раз подтверждает нашу преданность постоянному улучшению оптических материалов для литографии".

"Одним из важнейших условий разработки коммерчески успешной технологии EUV-литографии является снижение числа дефектов в фотомасках EUV. Вместе с компанией Corning мы хотим устранить один из компонентов этой проблемы — дефекты основ масок", — заявила Дженис Голда (Janice Golda), руководитель отделения литографии корпорации Intel. — "Повышение качества масок EUV, а также усилия корпорации Intel, направленные на совершенствование источников света, литографического оборудования и фоторезиста, помогут сформировать инфраструктуру, необходимую для успешного развития и внедрения технологии EUV-литографии".

Литография используется при производстве микросхем для "рисования" схем на кремниевой подложке. В настоящее время применяются инструменты литографии, используемые для "рисования" транзисторов размером всего лишь 50 нм с длиной волны света 193 нм, что похоже на написание портрета малярной кистью. EUV-литография позволит использовать свет с длиной волны 13,5 нм (т.е. в 14 раз меньше, чем сейчас - Lexagon), благодаря чему разработчики микросхем получат очень тонкую "кисть" и смогут "рисовать" уменьшенные транзисторы.

EUV-литография была признана консорциумом International Roadmap of Semiconductor Technology самой перспективной технологией литографии следующего поколения, которая будет реализована после нынешнего поколения инструментов литографии с длиной волны 193 нм.

©_www.overclockers.ru