Тема: DDR, DDR2, DDR3...
Показать сообщение отдельно
Старый 11.03.2006, 18:48     # 135
grogi
Moderator
 
Аватар для grogi
 
Регистрация: 09.08.2002
Адрес: Kaliningrad
Пол: Male
Сообщения: 15 485

grogi - Гад и сволочь
Исследование основных характеристик модулей памяти DDR. Часть 6:
Модули G.Skill DDR-500

"Исследованные модули памяти G.Skill DDR-500 суммарным объемом 2 ГБ обладают умеренными скоростными характеристиками и умеренным разгонным потенциалом по таймингам — минимальные значения таймингов, которые удалось достичь в режиме DDR-400, составляют всего 2.5-3-3-5. Учитывая, что модули памяти DDR большого объема является новым направлением — как для данного производителя, так и для индустрии в целом, можно ожидать, что в дальнейшем мы сможем увидеть модули такого типа, обладающие лучшими характеристиками."

Консорциум QDR принял спецификации памяти QDRII+ и DDRII+
— Accent @ 12:12
В 1999 году был образован консорциум QDR, целью которого стала совместная выработка нового семейства архитектур памяти SRAM (static random access memory - статическая оперативная память), ориентированной на применение в средствах связи. В настоящее время QDR объединяет компании Cypress, IDT, NEC Electronics, Renesas и Samsung. Участники QDR разрабатывают конкретные модели памяти по собственным графикам и производят продукцию на собственных производственных мощностях, продолжая оставаться конкурентами на рынке.

На днях было объявлено о выходе полных спецификаций памяти SRAM Quad Data Rate II+ (QDRII+) и Double Data Rate II+ (DDRII+). Они обеспечивают работу памяти на частоте до 500 МГц, что позволит повысить скорость на 50% по сравнению с существующими моделями, в которых использована архитектура QDRII и DDRII. Пропускная способность QDRII+ и DDRII+ увеличена до 72 Гбит/с. Новая память предназначена для использования в сетевых коммутаторах, маршрутизаторах и другом коммуникационном оборудовании. По конструктивным и электрическим параметрам новая память совместима с существующими образцами QDRII и DDRII. В частности, унаследован 165-выводный корпус типа FBGA (Fine-pitch Ball Gate Array).

Участники консорциума полагают, что первые образцы памяти QDRII+ и DDRII+ появятся во втором квартале текущего года.

Источник: Cypress Semiconductor Corporation

(C)_www.ixbt.com
__________________
"Самый аккуратный водитель тот, кто забыл свои права дома"
Дружно переходим по ссылке
Строим город для имхо!!!
grogi вне форума