[grogi]

Intel и STMicro поставляют образцы флэш-памяти будущего...
[07.02.2008 17:01:00]
Компании Intel и STMicroelectronics одними из первых начали рассылать полностью рабочие образцы энергонезависимой памяти на основе технологии изменения фазового состояния вещества (Phase Change Memory, PCM). Клиентам компании доступны экземпляры чипов 128-Мбит 90-нм PCRAM, которые продвигаются под брендом Alverstone.
Память PCRAM позиционируется как следующий тип энергонезависимой памяти, которая придёт на смену современной NOR и NAND-флэш. Преимущество PCRAM заключается в высоком быстродействии чтения и записи – до сотни раз по сравнению с нынешней флэш-памятью. Подобные характеристики сулят внедрение флэш-памяти в ранее недоступные для неё области. Например, в качестве оперативной памяти компьютеров и ноутбуков.
Также, что немаловажно, память с изменяемым фазовым состоянием вещества экономичнее по потреблению, поскольку информация в ячейках хранится не в виде электрических зарядов, а определяется её физическим состоянием, структурой – кристаллической или аморфной. Подобным образом хранится информация на оптических RW-дисках. Поразительно, но Intel сумела приспособить к производству памяти PCM технологию MLC – запись двух бит в каждую ячейку!
Говоря о тандеме Intel-STMicro, следует иметь в виду, что компании находятся в завершающей стадии формирования совместного предприятия по выпуску NOR-флэш – компании Numonyx. В дальнейшем именно это СП будет выпускать чипы PCRAM. Наконец, напомним, технологии изобретения памяти на основе изменения фазового состояния вещества порядка 20 лет и лишь в последние три года данное изобретение вплотную подошло к коммерческой реализации.
Автор: GreenCo

В этом году ждём от SanDisk 32-Гбит чипы флэш-памяти...
[07.02.2008 15:30:00]
Четыре года назад объём флэш-памяти в полгигабайта казался фантастикой, а сегодня мы говорим об энергонезависимых микросхемах каждая из которых способна нести по 4 ГБ данных. Буквально – однослойный DVD в одной микросхеме! Благодарить за это мы должны жесточайшую конкуренцию на рынке NAND-флэш и лично лидеров рынка – компании Samsung и Toshiba. Последняя, напомним, работает в паре с американской компанией SanDisk. Свежим пресс-релизом SanDisk рассказывает об очередном достижении американо-японского тандема на поприще производства флэш-чипов.
По заявлению компании, партнёры разработали техпроцесс производства 43-нм двухбитовых ячеек NAND-флэш (технология MLC). По новым нормам во втором квартале компании начнут поставки 16-Гбит чипов, а во втором полугодии – 32-Гбит. По сравнению с современным производством с нормами 56 нм чипы с нормами 43 нм обладают вдвое большей плотностью записи: 43-нм кристалл объёмом 32 Гбит равен по площади 56-нм кристаллу объёмом 16 Гбит. Скорость записи и чтения при переходе на новый техпроцесс не ухудшилась. Разработчики заявляют о переходе с 4-КБ на 8-КБ страницы, что должно улучшить скоростные характеристики новых чипов.
Главный конкурент тандема компания Samsung, напомним, в сходные сроки также намечает освоить выпуск 40-нм 32-Гбит чипов. В перспективе компания готова наладить производство 64-Гбит микросхем NAND-флэш по нормам 30-нм, но произойдёт это лишь в следующем году.
Автор: GreenCo

SanDisk совершенствует флэш-память – три бита на ячейку...
[07.02.2008 14:35:00]
Тема наращивания плотности флэш-памяти, путём записи большего чем два бита объёма информации в каждую ячейку, как-то заглохла. Точнее, прототипы есть, но до по-настоящему массового производства дело не дошло. И если применительно к "мобильной" NOR-флэш памяти компании Spansion четырёхбитовые ячейки понемногу выпускаются, то "компьютерные" NAND-флэш чипы компании SanDisk в лице памяти x4 всё ещё находятся в стадии опытного или мелкосерийного производства.
Причина может крыться в более сложном подходе SanDisk к реализации мультибитовой записи в ячейку. Если Spansion эксплуатирует физическую разбивку ячейки на две изолированные зоны с последующей записью двухуровневого сигнала, то SanDisk сразу опирается на запись четырёхуровневого сигнала в каждую ячейку из которого впоследствии вычисляется четыре бита информации. Процесс кодирования и декодирования данных в ячейке сложен сам по себе, не говоря уже о замедлении реакции чипа на чтение и запись.
За последние лет десять компании так и не пошли дальше удвоения плотности записи в ячейку флэш-памяти (технология MLC). Однако на горизонте появился промежуточный вариант!
Официальным пресс-релизом компания SanDisk объявила о разработке технологии x3. Не без помощи, очевидно, купленной ею израильской компании M-Systems. Как нетрудно догадаться, с помощью x3 в каждую ячейку флэш-памяти можно записывать три бита информации. По словам компании, по сравнению с двухбитной ячейкой MLC скорость работы памяти x3 и надёжность хранения данных в ней не ухудшились (запись на уровне 8 МБ/с). Выигрыш виден в наращивании плотности памяти на 20%. Иными словами, микросхем флэш-памяти x3 на каждой 300-мм пластине разместится на 20% больше по сравнению с числом чипов памяти MLC аналогичного объёма.
К массовому производству памяти x3 компания обещает приступить в марте или апреле. Нормы производства – 56 нм.
Автор: GreenCo

(C)_www.fcenter.ru