DDR, DDR2, DDR3...

[grogi]

Kingston Technology просит 800 долларов за 2 Гб памяти DDR3 PC11000 со «сверхмалыми задержками»
Accent @ 07:52
В начале прошлого месяца, компания Kingston Technology анонсировала начало поставок модулей памяти DDR3 SDRAM HyperX 1375 МГц, которые были показаны на выставке Computex. Тогда речь шла о модулях объемом 512 Мб и 1 Гб (и наборах из них суммарным объемом 1 и 2 Гб) со следующими задержками: CAS Latency – 7, CL7-7-7-20.
_http://www.ixbt.com/short/images/KingstonTechnologyDDR3.jpg
Сегодня Kingston Technology пополнила семейство HyperX модулями DDR3 1375 МГц со сверхмалыми задержками (Ultra Low-Latency, ULL). Ориентированные на энтузиастов компьютерных игр и «разгона», модули характеризуются значением CL5 и являются первыми в отрасли модулями DDR3 с CL5 на частотах PC11000 (1375 МГц).

«Меньшая задержка CAS повышает производительность без увеличения теплоотдачи, которое потребовало бы дополнительных мер охлаждения системы», - отметил представитель компании.

Новые модули объемом 1 Гб доступны по одному и в наборах суммарным объемом 2 Гб, по цене 400 и 800 долларов, соответственно.

Источник: Kingston Technology

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Kingston представляет DDR3-1375 с задержками CL5
Lexagon / 13.07.2007 15:21 / ссылка на материал / версия для печати
Производители памяти поняли, что покорить сердца и кошельки оверклокеров можно, только предложив модули DDR-3 с низкими задержками или высокими частотами. Объединить эти два качества одновременно пока не представляется возможным. Точнее говоря, как всегда, приходится искать компромисс между задержками и частотами. Разгонный же потенциал у памяти типа DDR-3 достаточно высокий - производители то и дело демонстрируют модули памяти, работающие в режиме DDR3-2000.

Компания Kingston сегодня анонсировала новые модули DDR3-1375, обладающие низкими задержками уровня CL5, тогда как ранее компания предлагала только модули памяти DDR3-1375, работающие с задержками CL7. Производитель особенно гордится тем фактом, что для работы в таком режиме модули памяти не требуют охлаждения, отличного от штатного. Kingston рекомендует следующие розничные цены:

• KHX11000D3ULK2/2G -> 2 x 1 Гб, DDR-1375 (CL5), $800;
• KHX11000D3UL/1G -> 1 Гб, DDR-1375 (CL5), $400.

Для сравнения - аналогичные модули DDR3-1375 с задержками CL7 производитель оценивает в $518 за комплект 2 х 1 Гб, и в $259 за одиночный модуль объёмом 1 Гб. Таким образом, модули с низкими задержками обходятся как минимум в полтора раза дороже. Впрочем, стремящиеся быть первыми хотя бы в какой-то номинации производители памяти обычно не гнушаются задирать цены, так что удивляться не надо.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

Модули Kingston DDR3-1375 с ультранизкими задержками
16.07.2007 [09:01], Геннадий Пашкевич
Компания Kingston Technology расширила свою престижную линейку HyperX новыми высокопроизводительными модулями памяти DDR3 PC3-11000. Главной особенностью новой памяти является способность работать с ультранизкими задержками (ultra low-latency, ULL) на частоте 1375 МГц. По мнению производителя, заявленное значение CAS Latency 5 - рекордно малое в сфере памяти DDR3.

Представитель Kingston подчеркнул, что более низкие задержки позволяют добиться увеличения производительности подсистемы памяти без ухудшения тепловых характеристик модулей и ужесточения требований к их охлаждению.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/07/15/53994.jpg
Новая память DDR3-1375 от Kingston доступна как в виде отдельных модулей HX11000D3UL объёмом 1 Гб, так и в составе 2-Гб двухканальных наборов KHX11000D3ULK2. Стоимость продуктов установлена в соответствии с их классом и находится в пределах $400 за отдельный 1-Гб модуль. Двухканальный набор Kingston DDR3 PC3-11000 CL5 обойдётся экстремальному геймеру или энтузиасту разгона ровно в два раза дороже.

Напомним, что это уже не первая память DDR3 от Kingston с номинальной частотой 1375 МГц. На выставке Computex 2007 компания представила модули DDR3 SDRAM HyperX PC3-11000, обладающие большими задержками - CL7-7-7-20 (CAS Latency 7).

(C)_3dnews.ru

[grogi]

LegitReviews have done a roundup of DDR3 1333mhz memory
"Armed with four 2GB kits of DDR3 memory running at 1333MHz we set off to do our first DDR3 roundup to show those that are building the latest and greatest enthusiast systems which modules stand out from the crowd. Corsair Memory, Kingston Technology, OCZ Technology and Super Talent all sent out 2GB kits for us to try out and that is exactly what we did using the latest Intel Core 2 Duo E6750 processors on the Intel P35 chipset!"

[grogi]

OCZ предлагает DDR3-1600 с таймингами 7-6-6-20
Lexagon / 18.07.2007 11:12 / ссылка на материал / версия для печати
Производители памяти быстро усвоили, что ради стимулирования спроса на DDR-3 нужно не только наращивать частоты соответствующих модулей, но и снижать задержки. Некоторым производителям оверклокерских модулей памяти удаётся совместить эти два направления совершенствования DDR-3. Мы уже писали о выходе комплектов Super Talent, включающих два гигабайтных модуля DDR3-1600 с таймингами 7-7-7-18. Напомним, что в таком режиме память работала при напряжении 1.8 В, что на 0.3 В выше номинального для DDR-3 напряжения.

Чтобы убедиться в существовании аналогичных предложений от других брендов, достаточно обратиться на сайт OCZ Technology. Компания анонсировала комплекты памяти типа DDR3-1600 объёмом 2 х 1 Гб, которые работают при значении таймингов 7-7-7-20 и 7-6-6-20. Напряжение питания при этом равно 1.9 В.
http://www.overclockers.ru/images/ne.../18/ocz_01.jpg
Что характерно, OCZ привязывает эти модули к определённой платформе - в частности, к материнским платам Asus на базе чипсетов Intel P35 и Intel X38. Именно в них данные модули памяти могут работать в режиме DDR3-1600 с указанными таймингами. Впрочем, такая привязка к материнским платам в большей степени является рекламным ходом, ведь ничто не помешает модулям памяти работать в аналогичных режимах на других материнских платах, если напряжение на памяти можно поднять до 1.9 В. Просто OCZ гарантирует, что в платах Asus удастся достичь указанных режимов.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

OCZ представляет память типа DDR3-1800
Lexagon / 19.07.2007 11:18 / ссылка на материал / версия для печати
Производители памяти прекрасно осознают, что в погоне за длинным рублём следует рекламировать не только память с низкими задержками или оптимальным балансом между задержками и тактовой частотой, но и память с высокой частотой и достаточно высокими задержками. В конце концов, на некоторых покупателей безотказнее всего действует принцип "больших чисел", который и стимулирует покупку очередных модулей типа "DDR-посмотрите-какая-высокая-частота".

OCZ Technology на этой неделе уже представила память типа DDR3-1600 с таймингами 7-6-6-20, а сегодня официальный пресс-релиз возвестил о выходе одиночных модулей и двухканальных комплектов типа DDR3-1800, работающих с таймингами 8-8-8-27 при напряжении 1.9 В.
http://www.overclockers.ru/images/ne...cz3p18001g.jpg
Как и большинство последних комплектов памяти OCZ, этот оснащается "сотовыми" радиаторами с платиновым покрытием. Эта память предлагается как в одиночных гигабайтных модулях, так и в комплектах 2 х 1 Гб. Данный комплект памяти тоже "оптимизирован для использования в материнских платах Asus".

Напомним, что на выставке Computex 2007 многие производители демонстрировали модули памяти, работающие в режиме DDR3-2000. Как правило, для этого требовалось усиленное охлаждение. Появление серийных модулей DDR3-1800, оснащённых обычными пассивными теплораспределителями, обозначает ещё одну веху в развитии оверклокерской памяти типа DDR-3.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

Intel сертифицировала 50-нм DDR2-память Samsung
19.07.2007 [20:12], Александр Будик
В октябре прошлого года мы сообщали о разработке компанией Samsung 50-нм технологического процесса для производства микросхем оперативной памяти типа DDR2 DRAM. На днях 50-нм гигабитные чипы южнокорейского производителя прошли сертификацию компании Intel, которая подтверждает совместимость с её современными чипсетами, а также продуктами следующего поколения (вероятно, речь о чипсетах семейства Intel 3 Series) при работе со скоростью 800 Мбит/с.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/07/19/54310.jpg
Отмечается, что переход с 80-нм на 50-нм техпроцесс удвоит эффективность производства микросхем DDR2-памяти. В сравнении с 60-нм техпроцессом новая технология позволяет повысить продуктивность на 50%.

Массовый выпуск DDR2-чипов по 50-нм техпроцессу стартует в первой половине 2008 года. Новая технология будет также внедрена в производство микросхем типа DDR3, GDDR4, GDDR5 и Mobile DRAM.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Специальная память для Socket AM2 от OCZ: теперь в комплектах 4 х 2 Гб
Lexagon / 25.07.2007 08:24 / ссылка на материал / версия для печати
Компания OCZ Technology уже продемонстрировала общественности модули памяти типа DDR2-667, специально оптимизированные для работы с процессорами AMD в исполнении Socket AM2. За счёт использования 11-разрядных столбцов и размера страниц 16 Кб эта память позволяла повысить производительность системы в задачах с интенсивным использованием графики и видео. По независимым оценкам, прирост быстродействия от этих нововведений будет в лучшем случае измеряться единицами процентов. Позднее OCZ предложила комплекты памяти из четырёх модулей объёмом по 1 Гб каждый.

Позавчера OCZ Technology решила расширить ассортимент предлагаемой сторонникам AMD продукции. Компания анонсировала комплекты памяти DDR2-667 с 11-разрядными столбцами и размером страниц 16 Кб, которые состоят из модулей объёмом 2 Гб. В одном комплекте могут быть как два таких модуля, так и четыре. В первом случае общий объём оперативной памяти будет равен 4 Гб, во втором - 8 Гб.
http://www.overclockers.ru/images/ne.../25/ocz_01.jpg
Тайминги остались прежними - 5-5-5-15 при напряжении 1.8-2.0 В. Собственно говоря, вся новизна предложения заключается в том, что OCZ теперь продаёт такую память в комплектах 4 х 2 Гб. С системами на базе процессоров Intel эти модули памяти несовместимы, эксплуатировать их имеет смысл под управлением 64-битной операционной системы.

К 2009 году AMD представит альтернативу модулям памяти FB-DIMM
Lexagon / 25.07.2007 11:26 / ссылка на материал / версия для печати
AMD никогда не скрывала, что не в восторге от уровня энергопотребления систем с поддержкой полностью буферизованной памяти (FB-DIMM), поэтому в своих серверных решениях AMD не собиралась использовать память такого типа. Между тем, требования приложений к объёму оперативной памяти неуклонно растут, а AMD может предложить поддержку только восьми слотов DIMM на каждый процессорный разъём. Число ядер в одном процессорном разъёме возрастёт до четырёх уже в этом году. Что же AMD может предложить для увеличения числа поддерживаемых процессорами Opteron модулей памяти?

Как сообщается в официальном пресс-релизе, AMD в сотрудничестве с IDT и Inphi Corporation взялась за разработку технологии Socket G3 Memory Extender (G3MX), которая позволит увеличивать число поддерживаемых одним процессором Opteron модулей памяти. Ноу-хау будет внедрено в 2009 году, когда появятся процессоры Opteron очередного поколения. На один процессор придётся шестнадцать слотов памяти вместо нынешних восьми.

Разработчики подчёркивают, что технология G3MX позволит использовать сертифицированные JEDEC модули памяти типа DDR-3. Тем самым, AMD сможет увеличить максимальный объём памяти для серверных процессоров Opteron, одновременно избежав необходимости использовать FB-DIMM. Как сообщает сайт TG Daily со ссылкой на представителей AMD, технология G3MX прежде всего ориентирована на серверы с количеством процессоров больше четырёх, но может применяться и в двухпроцессорных системах.

Сайт The Inquirer сообщает, что Intel тоже откажется от использования FB-DIMM. Вместо этого специальные микробуферы будут размещать на материнской плате, что позволит удвоить количество поддерживаемых модулей памяти. При этом будет использоваться обычная память DDR-3, как и в настольных системах. Технология получила предварительное название Buffer on Board (BoB).

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

Новый частотный рекорд DDR3 теперь принадлежит Super Talent
BlackCat @ 02:20
В последние недели OCZ и Super Talent заочно соревнуются в том, кто же из них представит самые быстрые модули памяти DDR3 на рынке.

Предыдущий лучший результат OCZ не продержался и двух недель. Теперь же неофициальный рекорд принадлежит Super Talent, представившей новые 2-Гб наборы DDR3 W1866UX2G8(PC3-14900). Они работают на частоте 1866 МГц, обгоняя предыдущего чемпиона на 66 МГц.

При этом Super Talent удалось добиться от этих модулей еще и более низких задержек, чем у OCZ Platinum DDR3-1800: 8-8-8-24 против 8-8-8-27.
_http://www.ixbt.com/short/images/super_talent_ddr3_1333mhz_002.jpg
Рабочее напряжение новинок составляет 1,9 Вт. Производитель гарантирует их корректную работу при заявленных характеристиках на системных платах Asus P5K3 Deluxe.

Продажи модулей уже начались, рекомендуемая цена пары составляет 625 долларов.

Источник: Super Talent

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Элитные модули DDR3-1866 от Super Talent
01.08.2007 [18:26], Геннадий Пашкевич
Компания Super Talent Technology объявила о расширении линейки DDR3-памяти новыми оверклокерскими модулями PC3-14900, доступными в 2-Гб двухканальных наборах W1866UX2G8 (2 х 1 Гб). Продукты ориентированы, в первую очередь, на компьютерных энтузиастов и сторонников разгона, которые добиваются предельной производительности системы любой ценой. С новыми флагманскими модулями американская компания надеется повторить успех популярных наборов PC3-12800 (DDR3-1600, CL 7-7-7-18).

В распространённом по случаю анонса пресс-релизе производитель указывает на главное достоинство новых DRAM-модулей - способность работать на шине 933 МГц (эффективная частота - 1866 МГц) с достаточно низкими задержками CL 8-8-8-24. Кроме того, отмечается факт тщательного тестирования двухканальных наборов на парную совместимость на материнской плате Asus P5K3 Deluxe при напряжении питания 1,9 В.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/08/01/55213.jpg
По словам директора по маркетингу Super Talent Джо Джеймса (Joe James), команда ведущих инженеров сосредоточена на развитии линейки DDR3-памяти и достижения нового уровня производительности. Модули DDR3-1866 с отобранными и досконально протестированными компонентами претендуют на роль самой быстрой DDR3-памяти в мире.

Продажи новой оверклокерской памяти DDR3-1866 начинаются с момента анонса. Рекомендуемая производителем стоимость двухканального набора W1866UX2G8 составляет около $625.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

OCZ выпустила модули DDR3-1600 в рамках серии Gold
02 августа 2007, 20:27
Компания OCZ пополнила серию Gold новыми модулями памяти. В рамках данной серии известный производитель представил модули DDR3-1600, которые работают с задержками 8-8-8-26 при напряжении 1,8 в.

На прилавки попадут варианты как в виде одного модуля емкостью 1 Гбайт, так и комплекты, состоящие из пары таких модулей. Чипы памяти планок прикрыты фирменной системой охлаждения XTC Z3.
http://www.thg.ru/technews/images/oc...big-020807.jpg
Естественно, новые OCZ DDR3-1600 протестированы на работу при заявленных характеристиках, а также поставляются с гарантией на весь срок службы.

(C)_www.thg.ru

[grogi]

Первый взгляд на DDR3 Corsair, работающую на частоте 2 ГГц
BlackCat @ 15:14
В настоящий момент максимальная частота доступных в розничной продаже модулей памяти DDR3 составляет 1,866 ГГц.

Коллеги с ресурса HardOCP получили в свое распоряжение для тестирования лишь готовящиеся к выходу на рынок модули серии Corsair Dominator, чья номинальная частота составляет 2,0 ГГц.
_http://www.ixbt.com/short/images/1_2364.jpg
По умолчанию тайминги в SPD установлены в значение 10-10-10-24, что является крайне невысоким показателем. На что только не идут производители для того, чтобы первыми достичь заветной круглой частотной отметки. При этом напряжение при котором модули "согласились" работать на такой частоте и с такими таймингами на плате ASUS P5K3 составляет 2,25 В! Естественно, для DDR3, требующей 1,85-1,95 В, такие показатели не назовешь обычными. Это может быть чревато преждевременным выходом памяти из строя.

Впрочем, до выхода финальной версии таких модулей еще довольно много времени - Corsair планирует это событие на второй квартал следующего года. К тому моменту могут и снизиться тайминги и уменьшиться рабочее напряжение. Впрочем, даже в текущем состоянии инженерные образцы показывают беспрецедентную производительность в тестах пропускной способности подсистемы памяти.
_http://www.ixbt.com/short/images/1185203046dXOGjCfh6i_1_2_l.jpg

Источник: HardOCP

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Новые модули APOGEE DDR2 667/800 2GB SODIMM для ноутбуков
BESS! @ 18:31
Walton Chaintech анонсировала недавно появление на рынке памяти нового продукта high-end класса — памяти APOGEE DDR2 667/800 МГц 2GB SODIMM.
_http://www.ixbt.com/short/images/news7983021491.jpg
Эти модули памяти в состоянии справиться с требованиями к объему оперативной памяти новой операционной системы Microsoft Windows Vista и обеспечить высокую производительность мобильным ПК.

APOGEE DDR2 2GB 667/800 SODIMM создана не только для поддержки работы мощных процессоров в ноутбуках для энтузиастов и профессионалов, но также и для расширения возможностей систем с установленными 64-битными операционными системами. Увеличенный объем памяти до 4 Гб, при установке модулей в паре для работы в двухканальном режиме позволяет выполнять одновременно большее количество приложений на системах с 64-битными ОС. APOGEE DDR2 667/800 МГц 2GB SODIMM отвечает всем требованиям стандартов JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council), обеспечивая низкий расход энергии, хорошее охлаждение и стабильную работу. Отмечается, что чипы на модулях памяти подвергаются строгой сортировке и отбраковке, а также проходят температурную проверку на втором по величине в мире заводе по производству и упаковке памяти. Новое, более высокотехнологичное оборудование, приобретенное производством в 2006 году, гарантирует качественное изготовление и обеспечивает контроль выпускаемой продукции.

Источник: Walton Chaintech

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Только 15% настольных компьютеров имеют объём памяти 3 Гб
Lexagon / 06.08.2007 09:29 / ссылка на материал / версия для печати
Согласно данным исследований Valve Software, среди клиентов сервиса Steam компьютерами с объёмом памяти от 512 до 999 Мб владеют 44,95%, на долю владельцев систем с объёмом памяти от 1,5 до 1,99 Гб приходится 23,88%. Лишь 0,39% пользователей этого сервиса могут продемонстрировать наличие более чем 2,0 Гб оперативной памяти.

Как выясняется, существует и другая статистика, выдержки из которой со ссылкой на данные исследования CurrentAnalysisWest опубликовал сайт News.com. В США 90% покупаемых в розничной сети ноутбуков имеют объём оперативной памяти 1 Гб или 2 Гб, среди настольных компьютеров этот показатель равен 73%. Чуть более 15% настольных систем в США могут похвастаться наличием 3 Гб оперативной памяти, а системы с 4 Гб памяти вообще исчисляются единицами. Во всяком случае, в составе готовых компьютеров такой объём памяти не приобретается.

Не следует забывать, что для использования всех 4 Гб оперативной памяти нужно, чтобы операционная система и чипсет позволяли видеть полный объём. Относительно низкая популярность 64-разрядных операционных систем и комплектов памяти объёмом свыше 3 Гб взаимосвязаны. Как только один из этих факторов начнёт улучшаться, спрос на 64-разрядные операционные системы и комплекты памяти объёмом свыше 4 Гб начнёт расти интенсивнее. Многое будет зависеть и от цен на оперативную память. Программная инфраструктура в лице приложений и драйверов тоже должна созреть для массового перехода на 64-разрядность.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

Образцы памяти типа DDR-4 появятся не ранее 2009 года
Lexagon / 06.08.2007 11:45 / ссылка на материал / версия для печати
Пока производители компьютеров и материнских плат строят прогнозы относительно темпов экспансии памяти типа DDR-3, на прошедшей в конце июля конференции MEMCON07 представители JEDEC и производители памяти обозначили дальнейшие вехи на пути развития оперативной памяти. Отчёт об этом событии опубликовал японский сайт PC Watch.

Начнём с того, что разработка спецификаций DDR-4 началась ещё в 2005 году, однако до стадии инженерных образцов дело дойдёт не ранее 2009 года. Поставки серийных модулей DDR-4 будут развёрнуты в достаточных количествах не ранее 2011 года. К тому моменту DDR-3 почти полностью вытеснит с рынка память типа DDR-2.
http://www.overclockers.ru/images/ne...06/ddr4_01.jpg
О характеристиках памяти типа DDR-4 пока известно не так много. Пропускная способность будет удвоена с 1600 Мбит/с до 3200 Мбит/с в расчёте на один контакт.
http://www.overclockers.ru/images/ne...06/ddr4_02.jpg
Таким образом, у DDR-3 и даже DDR-2 ещё есть достаточно времени, чтобы успешно продаваться. Например, пик поставок памяти типа DDR-2 должен прийтись на рубеж 2008-2009 годов. В такой ситуации сложно утверждать, что DDR-3 активно вытесняет DDR-2 с рынка.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

Новая память FB-DIMM компании Apacer обеспечит серверу большой объем ОЗУ
BESS! @ 16:49
Компания Apacer Technology продолжает сотрудничество с корпорацией Intel в развитии технологии FB-DIMM. Новый продукт из этой линейки — модули DDR2 с тактовой частотой 667/533 МГц объемом 4 Гб для серверов с 2-ядерными процессорами Intel Xeon.
_http://www.ixbt.com/short/images/AH421.4.jpg
При установке новых модулей на серверную платформу с шестью каналами восьмимодульной конфигурации, память сервера можно расширить до обема в 192 Гб. Обладая большой емкостью, 4-Гб модуль FB-DIMM потребляет всего 1,8 Вт энергии.

При изготовлении модулей используются чипы DRAM 512Мх4х18 FBGA лидирующих производителей. 240-контактные модули соответствуют международному стандарту JEDEC по уровню рассеивания напряжения и тепла, что очень важно для тесно заполненных серверных стоек.
Дополнительно о модулях:

• Емкость: 4 Гб, 240-контактный модуль DIMM
• Организация: 512*8
• Тайминги (CAS): 5
• Напряжение питания: 1,8 В ±0,1 В

Производитель обеспечивает пожизненную гарантию на представленную паямять.

Источник: Apacer Technology

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

OCZ Technology предлагает утилиту для перепрошивки SPD модулей памяти
Lexagon / 08.08.2007 07:12 / ссылка на материал / версия для печати
"Глубокий тюнинг системы" в понимании оверклокера не должен ограничиваться выбором оптимальных для поставленной задачи частоты процессора, напряжений и частот видеокарты. Наиболее требовательные оверклокеры обстоятельно экспериментируют с таймингами памяти. Средства редактирования BIOS видеокарт нам давно известны. Они позволяют настроить видеокарту "под себя", сохранив в BIOS нужные частоты.

Производители оперативной памяти и чипсетов тоже стараются научить эти два компонента находить общий язык. Вспомним хотя бы инициативы EPP и XMP, подразумевающие наличие в SPD модулей памяти некоего оптимизированного под максимальное быстродействие профиля. К сожалению, модули памяти с расширениями EPP или XMP раскрывают весь свой потенциал только при использовании определённых материнских плат.

Компания OCZ Technology пошла другим путём. Она выпустила специальную утилиту SPD-Z, которая будет в режиме онлайн находить предназначенные для конкретного модуля памяти настройки, а затем прошивать их в SPD модулей памяти. Вся процедура занимает несколько секунд, если не учитывать само время поиска образов SPD в базе данных на сайте производителя. Естественно, утилита работает только с модулями памяти производства OCZ Technology.
http://www.overclockers.ru/images/ne.../08/ocz_01.jpg
Конкретные настройки SPD будут разрабатываться OCZ с учётом оптимизации быстродействия или улучшения совместимости с определёнными материнскими платами или чипсетами. Купив некий комплект памяти OCZ Technology, его можно будет в дальнейшем адаптировать под собственную систему.

Важно отметить, что пользователю не предоставляется возможность самостоятельно редактировать параметры SPD. Компания OCZ снабжает пользователей набором готовых настроек, которые можно прошить в SPD модулей памяти. Конечно, наиболее капризных энтузиастов такой подход огорчает, но большинство пользователей он избавляет от лишней головной боли. Впрочем, и сам производитель будет иметь меньше проблем с неправильно прошитыми модулями памяти. OCZ Technology сохраняет гарантию на все модули памяти, которые были перепрограммированы при помощи утилиты SPD-Z. Новые версии прошивок будут выкладываться на страницах форума OCZ Technology.

Если же подобные эксперименты не входят в ваши планы, а с модулями памяти OCZ возникли какие-то проблемы, устраняемые перепрошивкой SPD, рассматриваемая утилита позволит избежать отправки памяти в сервисный центр - всю работу можно будет сделать "на дому". Кстати, производитель предупреждает, что использовать утилиту SPD-Z можно только при 100% стабильности системы, поэтому рискованный разгон на момент прошивки памяти лучше снять.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

Elpida освоит выпуск памяти по 65 нм технологии в этом году
Lexagon / 13.08.2007 13:56 / ссылка на материал / версия для печати
Как и в производстве любых полупроводниковых изделий, при выпуске микросхем оперативной памяти техпроцессы сменяют друг на друга. Переход на более "тонкие" технологические нормы позволяет не только снизить себестоимость производства памяти, но и повысить её плотность. В результате модули памяти больших объёмов становятся дешевле в производстве, заодно снижается и энергопотребление.

Компания Elpida освоила 70 нм техпроцесс ещё в декабре прошлого года, чуть раньше об освоении 60 нм техпроцесса отчиталась компания Hynix. Теперь настал черёд Elpida заявить о переходе на следующий технологический процесс. Отчёт о покорении 65 нм рубежа появился на страницах одного японского сайта, как сообщает британский ресурс The Inquirer.

Elpida собирается освоить производство микросхем памяти по 65 нм техпроцессу в текущем финансовом году на своих мощностях в Хиросиме, Япония. По мере наращивания объёмов производства выпуск 65 нм микросхем памяти будет освоен в сотрудничестве с тайваньским партнёром Elpida по имени Rexchip.

Надеемся, что очередная технологическая модернизация позволит снизить цены на ёмкие модули памяти типа DDR-2 и DDR-3. Впрочем, разница между 70 нм и 60 нм техпроцессами не так велика, чтобы говорить о существенном выигрыше в себестоимости.

Hynix тоже получает лицензию на использование Z-RAM
Lexagon / 13.08.2007 14:46 / ссылка на материал / версия для печати
Компания AMD уже приобрела лицензию на использование технологии Z-RAM второго поколения, но пока так и не решила, в каких продуктах и когда найдёт применение память этого типа. Было лишь заявлено, что при производстве кэш-памяти 65 нм процессоров технология Z-RAM использоваться не будет. Кстати, компания IBM решила оснащать свои 45 нм процессоры кэш-памятью типа eDRAM. Нельзя исключать, что использующая разработки IBM компания AMD последует этому примеру, сохранив лицензию на Z-RAM для других целей.

Недавно на горизонте появился ещё один претендент на использование технологии Z-RAM. Как сообщает сайт TG Daily, им стала компания Hynix Semiconductor, являющаяся крупным производителем оперативной памяти. Разработчик технологии Z-RAM, компания Innovative Silicon, будет на протяжении последующих двух лет помогать Hynix разработать продукты, совместимые с сегодняшними конструктивными исполнениями, присущими памяти типа DRAM.

Hynix уже целый год присматривается к технологии Z-RAM, и проявляет серьёзный интерес к этому ноу-хау. От момента лицензирования до внедрения технологии в массовых продуктах обычно проходит три года. Стало быть, к 2010-2011 годам мы можем увидеть первые продукты, созданные с помощью технологии Z-RAM.

По сравнению с памятью типа SRAM, память типа Z-RAM обладает в пять раз большей плотностью. По сравнению с DRAM этот показатель у Z-RAM выше в два раза. Z-RAM может потреблять то же количество электроэнергии, что и DRAM, но при этом быть быстрее и компактнее в размерах. Сейчас образцы Z-RAM могут работать на частоте 500 МГц - это не так много, но при равной площади память типа Z-RAM может иметь в пять раз больший объём.

Z-RAM требует в производстве более простого оборудования и более простых технологических процессов по сравнению с DRAM. Производить Z-RAM можно только с использованием технологии SOI. Предполагается, что память типа Z-RAM найдёт применение в модулях оперативной памяти, процессорах и продуктах с высокой степенью интеграции. Нельзя исключать, что последними могут быть и гибридные процессоры класса Fusion.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

OCZ представляет память типа DDR3-1600 с жидкостным охлаждением
Lexagon / 15.08.2007 09:12 / ссылка на материал / версия для печати
Так называемые гибридные системы охлаждения могут работать как при пассивном охлаждении воздухом, так и при активном охлаждении при помощи циркулирующей в них жидкости. Наиболее свежим примером такой системы охлаждения является ноу-хау Asus по имени Fusion Block System. Тем не менее, гибридную систему охлаждения ещё раньше использовали и производители памяти. Например, с решением по имени FlexXLC от OCZ Technology мы знакомы не только по новостям, но и по обзору на страницах нашей лаборатории.

На этой неделе компания OCZ Technology представила комплект памяти типа DDR3-1600 с таймингами 6-6-6-18, оснащённый системой охлаждения FlexXLC.
http://www.overclockers.ru/images/ne.../15/ocz_01.jpg
Эта "гребёнка" может работать и как пассивный радиатор, и как водоблок для модулей памяти. На этот случай предусмотрены штуцеры типоразмера 1/4". Этот комплект памяти объёмом 2 х 1 Гб способен работать при напряжении 2.05 В без потери фирменной пожизненной гарантии. Собственно говоря, напряжение можно повышать и до 2.1 В, не опасаясь за гарантию.

Если учесть, что родственный комплект памяти DDR3-1600 производства OCZ с обычными радиаторами в американской рознице предлагается за $720, новинка может обойтись покупателю ещё дороже. Насколько полезным окажется для модулей памяти типа DDR-3 жидкостное охлаждение, покажут тесты.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

Память PRAM – что это и когда появится на рынке?
Accent @ 15:35
Память с произвольным доступом, построенная на переходе вещества из одного фазового состояния в другое (Phase-change Random Access Memory, PRAM) имеет потенциал стать альтернативой оперативной памяти (DRAM) и флэш-памяти.

Для записи информации в PRAM используются разные фазовые состояния материала – кристаллическое и аморфное. Изменение состояния происходит под действием электрических импульсов. Основы PRAM были заложены в шестидесятые годы прошлого века Стэнфордом Овшинским. Талантливый самоучка, инженер и изобретатель, он стал первым исследователем аморфных полупроводников. Гордон Мур, один из основателей Intel, написал статью о перспективах технологии, которая в сентябре 1970 года была опубликована в журнале Electronics. На пути к практическому использованию технологии было немало препятствий, но, похоже, все они уже преодолены.

Чтобы понять, насколько привлекательно выглядит PRAM на фоне современных технологий, достаточно сказать, что по быстродействию она примерно в 100000 раз превосходит флэш-память. Скорость записи составляет примерно 10 нс. Что касается надежности, флэш-память, как известно, расходует свой ресурс при каждой операции записи. Большинство чипов выдерживает 10000–100000 операций. У PRAM это значение составляет 100000000.


Среди минусов новой памяти называют невозможность программирования памяти до распайки на плату – высокая температура, сопровождающая процесс пайки, стирает информацию в памяти. Кроме того, для записи данных в PRAM необходимо более высокое напряжение, чем в случае флэш-памяти.

Подтверждая ранее прозвучавшую информацию, источники сообщают, что компании Intel и STMicroelectronics готовятся выпустить первые продукты PRAM уже в этом году. Производством новой памяти займется Numonyx– совместное предприятие Intel и ST Microelectronics, создание которого недавно одобрила Еврокомиссия. Возможной областью применения PRAM, указанной Intel, являются твердотельные накопители (solid state disk, SSD), которые имеют достаточное быстродействие, чтобы предохранить «системы на базе многоядерных процессоров от удушливых ограничений ввода-вывода». Компания Samsung намерена начать производство соответствующих продуктов в 2008 году.

Источники: Gizmodo, Wikipedia, Uber Review, TG Daily

(C)_www.ixbt.com