DDR, DDR2, DDR3...

[grogi]

OCZ выпустила DDR3 для ноутбуков
09 июля 2008, 12:30
Постепенно оперативная память нового поколения DDR3 вытесняет память DDR2 в настольном сегменте. Тенденция замещения памяти DDR2 модулями DDR3 стала зарождаться и на рынке ноутбуков. Так, например, недавно компания OCZ анонсировала начало выпуска оперативной памяти DDR3 SO-DIMM для ноутбуков.
http://www.thg.ru/technews/images/oc...ops-090708.jpg
OCZ выпустила комплекты памяти PC3-8500 2 x 2 Гбайт и комплекты 2 x 1 Гбайт. Память будет работать на частоте 1066 МГц при таймингах 8-8-8-27 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Позже будут выпущены комплекты ещё более быстрой памяти PC3-10666, работающей на частоте 1333 МГц при таймингах 9-9-9-24 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Хотя даже предполагаемая стоимость новинок пока неизвестна, одно известно точно: производитель предоставит пожизненную гарантию на память DDR3 для ноутбуков.

(C)_www.thg.ru

[grogi]

2 Гб памяти DDR3-2133 серии DOMINATOR от Corsair
09.07.2008 [23:15], Руслан Цап
Желая приятно удивить заядлых геймеров и компьютерных энтузиастов, компания Corsair добавила в ассортимент предлагаемых ею продуктов популярной серии DOMINATOR новый двухканальный набор памяти DDR3, состоящий из пары планок общим объёмом 2048 Мб, функционирующих на впечатляющей частоте 2133 МГц с задержками 9-9-9-24.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/09/88069.jpg
Как сообщается, данный комплект с серийным номером TW3X2G2133C9DF был подвержен тщательному тестированию на материнской плате, основанной на чипсете NVIDIA nForce 790i SLI, и обеспечивается пожизненной гарантией качества. При этом каждый из двух модулей характеризуется напряжением питания 2,0 В и оборудован фирменным четырёхслойным радиатором, созданным по запатентованной технологии Dual-path Heat Xchange (DHX) Technology. Кроме того, для организации ещё более эффективного воздушного охлаждения решений в комплект поставки дополнительно включён модуль Dominator Air-Flow Block.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/09/88070.jpg
Вот только ориентировочная цена и сроки начала массовых продаж описанного выше продукта его разработчиками пока не уточняются.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Qimonda считает, что эра GDDR-5 продлится не менее пяти лет
Lexagon / 11.07.2008 12:22 / ссылка на материал / версия для печати
Компания Qimonda ещё весной прошлого года выразила своё отношение к перспективам развития графической памяти: на смену GDDR-3 предлагалось сразу представить GDDR-5, поскольку память типа GDDR-4 не оправдала ожиданий по снижению уровня энергопотребления. Что ж, отчасти такую позицию можно считать справедливой, ведь память типа GDDR-4 действительно нашла применение только на видеокартах Radeon HD 3870, и даже двухчиповый Radeon HD 3870 X2 ограничился использованием памяти GDDR-3.

У микросхем GDDR-5, судя по всему, таких проблем не возникнет, ведь они будут использоваться не только одиночными видеокартами Radeon HD 4870, но и двухчиповыми R700. Кроме того, в обозримой перспективе на использование GDDR-5 может перейти компания NVIDIA, которая GDDR-4 попросту игнорировала.

Qimonda очень гордится тем, что именно её микросхемы GDDR-5 размещаются на видеокартах Radeon HD 4870, хотя выпуском этого типа памяти начинают заниматься и другие производители. Уже сейчас Qimonda освоила выпуск микросхем GDDR-5 с частотой 5.0 ГГц DDR, а следующее поколение памяти этого типа будет работать на частоте 6.4 ГГц DDR.

Представители Qimonda сделали несколько интересных заявлений, которые цитирует сайт EE Times. Прежде всего, Qimonda считает GDDR-5 перспективным стандартом, который закрепится на рынке на период не менее пяти лет. Высокая пропускная способность GDDR-5 обеспечивает более высокую производительность по сравнению с GDDR-3 - прирост достигает 40%, по оценкам Qimonda. Микросхемы GDDR-5 можно производить с использованием четырёхслойного дизайна, тогда как для GDDR-3 требуется шестислойный дизайн. Разумеется, это снижает себестоимость производства GDDR-5.

В плане энергопотребления GDDR-5 выигрывает у GDDR-3 около 30%. К осени инженерам Qimonda удастся снизить рабочее напряжение микросхем GDDR-5 с 1.2 до 1.0 В, что также благоприятно скажется на энергетической экономичности памяти этого типа. Плотность микросхем GDDR-5 тоже будет повышаться, что позволит создавать видеокарты с большим объёмом памяти. Qimonda активно наращивает объёмы производства памяти типа GDDR-5, надеемся, что этим воспользуются производители видеокарт.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

OCZ выпустила оперативную память для SLI-систем
13 июля 2008, 12:02
Компания OCZ выпустила модули оперативной памяти DDR2-1000, сертифицированные для работы в SLI-системах. Новая серия модулей оперативной памяти включает в себя два комплекта. Первый: два модуля объемом по 1 Гбайт каждый, второй: два модуля объемом по 2 Гбайт. Комплекты модулей памяти обозначаются как PC2-8000 SLI Ready.
http://www.thg.ru/technews/images/oc...ady-130708.jpg
Модули памяти оснащены радиаторами охлаждения XTC. Производитель заявляет, что PC2-8000 SLI Ready способна работать на частоте 1 ГГц при таймингах 5-5-4-15 (CAS-TRCD-TRP-TRAS) и напряжении питания 2,1 В. Как обычно, модули памяти имеют пожизненную гарантию от производителя.

(C)_www.thg.ru

[grogi]

Память на мемристорах будет работать подобно мозгу человека
14.07.2008 [11:35], Андрей Горьев
В апреле Hewlett Packard доказала факт сущеcтвования мемристоров. Мемристоры — четвертый элемент электротехнической теории цепи, наряду с резисторами, емкостями и индуктивностями. Сейчас HP продемонстрировала как можно контролировать мемристор, который изменяет сопротивление в зависимости от протекающего по нему тока, и тем самым сделала шаг в направлении создания прототипа и выпуска нового запоминающего устройства — RRAM (resistive random-access memory) — к 2009 году.

"Мы сейчас получили экспериментальное доказательство того, что наши мемристоры ведут себя согласно теории", — сказал Дункан Стюарт (Duncan Stewart), основной исследователь мемристоров в HP Labs. "К тому же, мы продемонстрировали как можно управлять мемристорными структурами, что позволит в скором времени построить работающие микросхемы."

Мемристор представляет собой двухстороннюю и двухслойную структуру. Слои из оксида титана зажаты между двумя металлическими электродами перемычкой. Один слой оксида титана покрыт кислородными вакансиями, что делает его полупроводником, соседний слой этого покрытия не имеет и играет роль изолятора. По наличию сопротивления между электродами можно определить состояние памяти — включенное или выключенное.

С одним слоем оксида титана, имеющим в обычных условиях свойства изолятора, память переключается в выключенное состояние. Прикладывая напряжение к перемычке, кислородные вакансии переходят в слой оксида титана без специального покрытия, и устройство переключается во включенное состояние. Аналогично, изменив направление тока, кислородные вакансии возвращаются обратно, и устройство "выключается". Большое преимущество мемристора в том, что изменения сопротивления энергонезависимы и сохраняются до тех пор, пока не будет подано обратное напряжение. На данный момент, время переключения оставляет около 50 нс.

"Ученые долгое время работали над материалами, способными изменять сопротивление подобно мемристорам, но были неизвестны причины такого поведения", — говорит Стюарт. "Наша демонстрация дает этому механизму очень серьезное обоснование. Мы знаем что при этом происходит — кислородные вакансии изменяют характеристики контакта металл-оксид."

Тем не менее, знание того, что кислородные вакансии изменяют сопротивление оксида титана недостаточно для проведения технических испытаний над материалом. Исследователям также необходимо было детальное описание параметров этого материала. Первоначально предполагалось, что кислородные вакансии являются причиной объемных свойств металл-оксидного материала. Теперь же известно, что изменения в наноструктуре контакта оксида и металла в электроде оказывают большее влияние на изменение сопротивления мемристора.

"Мы доказали экспериментально, что кислородные вакансии изменяют электронный барьер контакта металл-оксид", — сказал Стюарт. Исследователи также утверждают, что мемристорный материал работает благодаря снижению барьера Шоттки (электронный барьер контакта между металлом и полупроводником), а не из-за изменения объемных характеристик оксида титана.

Исследователи разработали решение для выполнения детального исследования взаимодействий между слоями мемристора, размещая экспериментальный образец на чипе горизонтально, а не вертикально. "Мы использовали монокристаллический оксид титана, чтобы встроить мемристор в полупроводниковый прибор с вертикальной структурой", — сказал исследователь HP Labs Джош Янг (Josh Yang). Таким путем мы можем исследовать взаимодействие слоев отдельно и определить какой их них оказал влияние на свойства мемристора.

HP Labs изготовила горизонтальные устройства в нескольких конфигурациях для полного описания свойств мемристора. Горизонтальные устройства также позволяют оценить электрические параметры каждого слоя в различных условиях, создавая базу знаний для постройки основанных на мемристорах КМОП-полупроводников. "Теперь мы знаем как проектировать новые устройства, имеющие особые электрические характеристики", — сказал Янг. "Например, для выключения мемристора положительным напряжением слой оксида титана должен располагаться сверху. Для включения мемристора этим же напряжением слои нужно поменять местами".

Прототип представленных HP Labs чипов будет использоваться в RRAM. Металлические линии, расположенные между собой на расстоянии менее 50 нм, служат нижними электродами, а в верхнем электроде они выстроены перпендикулярно. Между металлическими линиями инженеры планируют поместить двойной слой диоксида титана, один из слоев будет иметь покрытие из кислородных вакансий, а другой — нет. Пуская ток между двумя металлическими линиями — одна находится сверху, другая снизу — устройство может адресовать индивидуальный битовый элемент, изменяя их сопротивление.

HP Labs планирует представить прототип RRAM-микросхемы на мемристорах в 2009 году. Это также потребует использования перемычек для точного фиксирования изменения сопротивления в микросхеме. Утверждается, что массив из мемристоров с настраиваемыми сопротивлениями может обучаться подобно человеческому мозгу. В мозге синапс всякий раз усиливается, когда по нему протекает ток. Таким же образом понижается сопротивление, когда по мемристору протекает ток. Такие нейронные сети могут учиться приспосабливаться, пуская ток любом необходимом направлении.

"Создание RRAM-памяти — наша ближайшая цель, но в более отдаленной перспективе мы хотим преобразовывать вычисления с помощью адаптивных контролирующих контуров с функцией обучения", — говорит Стюарт. Аналоговые цепи, использующие электронный синапс, потребуют 5 лет исследований.

По оценкам разработчиков, через 5 лет появятся первые прототипы аналоговых мемристоров, их коммерческое применение начнется приблизительно через 10 лет.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Elpida Memory представила «самую энергоэффективную» память DDR3 SDRAM
BESS! @ 16:47
Elpida Memory сегодня объявила о разработке и выпуске, как отмечается, самой энергоэффективной памяти плотностью 1 Гбит. Новая 65-нм память относится к DDR3 SDRAM и характеризуется высокой скоростью работы — 2 Гбит/с.
_http://www.ixbt.com/short/images/2008-07-15_DDR3_2Gbps_s.jpg
В ассортименте компании имеется несколько видов новой памяти, отличающейся таймингами и частотой работы. Память DDR3-1600, как отмечается, имеет напряжение питания 1,5 В и потребляет при этом энергии на 35% меньше, чем продукты предыдущего поколения.

Наиболее энергоэффективной 1-Гбит памятью называется дополнение к этой линейке памяти версия с напряжением питания 1,35 В и частотой 1600 МГц.

Характеристики новой памяти:

• P/N: EDJ1104BBSE, EDJ1108BBSE, EDJ1116BBSE
• Скорость / тайминги: DDR3-2000 (11-11-11), DDR3-1867 (11-11-11),
• DDR3-1600 (9-9-9)
• Питание: 1,5 В ± 0,075 В
• Тип упаковки: 78 Ball FBGA (x4/x8) 8 х 11,5 мм и 96 Ball FBGA (x16) 8 х 13,5 мм
• Техпроцесс: 65 нм

Ознакомительные образцы памяти будут доступны с сентября этого года а массовое производство должно начаться в октябре.

Источник: Elpida Memory

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

4-гигабайтный комплект модулей Apacer DDR2-1066
великолепный разгонный потенциал при минимальном повышении напряжения и нечто странное в SPD
"Очевидно, что развитие оперативной памяти в направлении новых стандартов временно приостановилось. Компании Intel не удалось убедить потребителей форсировать переход на DDR3, что и не удивительно — желающие просто ради «прогресса» платить гораздо больше и получать в результате ту же самую производительность находятся в явном меньшинстве (из-за ограничения системной шины на интеловской платформе, которая даже для процессора с FSB1600 соответствует по пропускной способности возможностям всего лишь двухканальной DDR2-800, даже не DDR2-1066). Для AMD-платформы такого ограничения нет, однако и собственно поддержку DDR3 в контроллер памяти (встроенный в данном случае, в процессор), планируется добавить лишь в конце нынешнего или начале следующего года.

Но вопрос даже не столько в архитектуре процессоров, сколько в том, что пользовательские приложения, включая и многие профессиональные, в массе своей не слишком сильно нуждаются в расширении пропускной способности памяти, равно как, например, не способны загрузить все ядра четырехъядерных процессоров. Но означает ли это, что четырехъядерные процессоры, как и наращивание пропускной способности подсистемы памяти, на текущем временном отрезке оправдано лишь для сегмента суперкомпьютеров и серверов? Не совсем так. Ведь многоядерные процессоры для настольных компьютеров предлагаются в первую очередь для повышения комфорта многозадачной среды (и действительно на это способны). И даже если пользовательские задачи не создают интенсивные потоки данных, то, как минимум, будучи запущенными одновременно, увеличивают требования к объему оперативной памяти. Поскольку, если уж мы задались целью получить «отзывчивую» многозадачную среду, первое, что приходит на ум — устранить торможения, вызванные подкачкой данных с винчестера.

Пожалуй, именно на внимание активных пользователей, знающих для чего нужен большой объем памяти, и желающих при этом не проиграть в скоростных характеристиках и ориентированы 4-гигабайтные комплекты DDR2-1066. Своего рода «хит» нынешнего сезона, если обратить внимание на дружное появление таких комплектов в линейках фактически всех известных (и не очень известных) производителей модулей памяти. Мы для разнообразия рассмотрим модули от компании Apacer, чья продукция на российском рынке известна очень давно, но модули памяти в гораздо меньшей степени, чем флэш-память, плееры, карт-ридеры и прочие сопутствующие товары."

[grogi]

Модули памяти для Sculltraill от Silicon-Power
17 июля 2008, 11:13
Тайваньская компания Silicon-Power приступила к выпуску модулей оперативной памяти для геймерской платформы Skulltrail. Модули памяти DDR2-800 FB-DIMM (FB - Fully Buffered) будут выпускаться в двух исполнениях: емкостью 1 Гбайт и емкостью 2 Гбайт.
http://www.thg.ru/technews/images/si...imm-170708.jpg
Модули базируются на чипах памяти с корпусировкой FBGA (Fine Ball Grid Array). В этих модулях реализована технология AMB (Advanced Memory Buffer), значительно повышающая стабильность работы модулей памяти за счёт коррекции их ошибок в режиме реального времени. Модули памяти прошли сертификацию на работу при частоте 800 МГц и напряжении питания 1,8 В с задержкой CL5. Память обеспечивается пожизненной гарантией.

(C)_www.thg.ru

[grogi]

Набор памяти G.Skill PI Series DDR2-1200 CL5 на 4 Гб
17.07.2008 [21:13], Руслан Цап
Компания G.Skill официальным пресс-релизом уведомила общественность о появлении в её продуктовой линейке PI Series нового 4-гигабайтного набора F2-9600CL5D-4GBPI, состоящего из пары 240-контактных DIMM-модулей памяти DDR2 PC2-9600, функционирующих на частоте 1200 МГц с задержками 5-5-5-15.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/16/88762.jpg
Как сообщается, входящие в данный комплект планки сформированы на 8-слойных печатных платах, характеризуются напряжением питания 2,1 В и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. Кроме того, отмечается, что для поддержания оптимального температурного режима изделий в них применены фирменные двухсторонние алюминиевые RAM-кулеры пассивного типа охлаждения с особой формой теплораспределительных пластин, благодаря которой удалось значительно улучшить эффективность рассеивания выделяемого тепла.

Вот только пока точно не известно, когда и по какой именно цене описанный выше продукт появится в продаже.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Серверная память DDR2-800 FB-DIMM от Silicon Power
19.07.2008 [12:48], Руслан Цап
Компания Silicon Power объявила о расширении ассортимента предлагаемых ею продуктов за счёт выпуска новых 240-контактных модулей памяти DDR2-800 FB-DIMM ёмкостью 1 и 2 Гб, специально оптимизированных для эффективного использования в высокопроизводительных серверных системах на базе чипсета Intel 5400.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/17/88863.jpg
Как сообщается в опубликованном официальном пресс-релизе, данные планки сформированы на 8-слойных печатных платах, основаны на высококачественных брендовых чипах с корпусировкой Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA) и построены в полном соответствии с требованиями стандартов JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). При этом изделия функционируют на частоте 800 МГц с задержками CL5, характеризуются напряжением питания 1,8 В и для поддержания оптимального температурного режима оборудованы алюминиевыми радиаторами особой конструкции. Кроме того, особо отмечается, что решения снабжены передовой технологией Advanced Memory Buffer (AMB), которая значительно повышает стабильность их работы за счёт коррекции в режиме реального времени ошибок, найденных в процессе передачи информации.

Вот только о стоимости и сроках начала массовых продаж новинок разработчики пока каких-либо сведений не предоставили.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Память Patriot Signature DDR3-1066 SO-DIMM для Montevina
22.07.2008 [09:55], Руслан Цап
Компания Patriot Memory решила последовать примеру своих "коллег по цеху" и тоже анонсировала выпуск собственных модулей памяти DDR3 PC3-8500 SO-DIMM, которые вошли в продуктовую линейку Signature и предназначены для использования в портативных компьютерах, построенных на базе недавно официально представленной передовой мобильной платформы Intel Centrino 2 (кодовое название Montevina).
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/20/88989.jpg
Как сообщается в опубликованном пресс-релизе, данные планки функционируют на частоте 1066 МГц с задержками CL5 и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. При этом изделия предлагаются как поштучно в модификациях объёмом 1 или 2 Гб, так и в виде наборов общим объёмом 4 Гб.

Что же касается стоимости и времени вероятного появления новых продуктов в продаже, то на сей счёт какой-либо информации от разработчиков пока не поступало.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Новинка Numonyx заменяет память типа NOR, NAND и RAM
Accent @ 12:27
Компания Numonyx B.V. представила семейство продуктов NV-RAM под названием Velocity LP. По словам компании, это самая быстрая в отрасли энергонезависимая память с малым энергопотреблением и передачей данных по фронту и срезу тактовых импульсов (LPDDR). Она предназначена для сотовых телефонов и другой потребительской электроники.

Новая память по скорости чтения в два-три раза опережает традиционно используемую в таких приложениях флэш-память типа NOR. Кроме того, она представляет собой экономичную альтернативу платформам, в которых используется большой объем DRAM. Немаловажно, что семейство Velocity LP NV-RAM обеспечивает плавный путь миграции к подготавливаемым к выпуску продуктам Numonyx, в которых будет использоваться эффект фазового перехода (PCM).

Как известно, сейчас конструкторы мобильной электроники вынуждены одновременно применять несколько видов памяти — NOR, NAND и RAM. Каждый из них требует собственной аппаратной и программной «обвязки», что неминуемо заставляет идти на компромиссы и повышает стоимость изделий. Память Numonyx Velocity LP NV-RAM объединяет возможности разных типов памяти, позволяя упростить и удешевить продукцию.

Память Numonyx Velocity LP NV-RAM соответствует стандарту JEDEC Low Power Double Date Rate (LPDDR) NVM, принятому в ноябре прошлого года.

Источник: Numonyx B.V.

Aeneon выпустила производительную память DDR3 SO-DIMM для ноутбуков
BESS! @ 14:22
Компания Aeneon, партнер производителя памяти Qimonda, объявила о выходе новой памяти стандарта DDR3 SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Modules), которая имеет высокую производительность и предназначена для работы с новыми ноутбуками на базе платформы Intel Centrino 2.
_http://www.ixbt.com/short/images/aeDDR3-1066_SO-DIMM.jpg
Как отмечается, Aeneon одной из первых представила на рынке память в модулях SO-DIMM ёмкостью 1 ГБ и 2 ГБ, удовлетворяющую требованиям стандарта DDR3-1066.

Новая память имеет плотность чипов 1 Гбит и, как отмечается, является энергоэкономичной. Рабочие тайминги — 7-7-7-21, напряжение питания — 1,5 В.

Начало массовых поставок компания планирует начать в августе этого года. Кроме новой памяти DDR3 у Aeneon есть в её портфолио также память для ноутбуков класса DDR2-800 SO-DIMM (AET860SD00-25D).

Источники: Aeneon, VR-Zone

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Walton Chaintech выпустила низковольтную память APOGEE GT Blazer DDR3 1800
BESS! @ 17:18
Компания Walton Chaintech, вслед за выпуском в июне памяти серии APOGEE GT (DDR3-1600 и DDR3-1800), которая, соответственно, работала на частоте 1600 и 1800 МГц при напряжении питания 1,8 и 1,9 В, представила еще один набор общим объемом 4 ГБ.
_http://www.ixbt.com/short/images/DDR3-1800-All.jpg
Вновь представленная память APOGEE GT Blazer DDR3 1800 4GB Low Voltage имеет весьма похожие характеристики. Как и в случае с представленной ранее памятью DDR3, она поддерживает профайлы EPP 2.0, но может работать при более низком напряжении — 1,8 В. Тайминги новой памяти повторяют значения, приводимые ранее для модулей DDR3-1800 — CL 8-8-8-24.

Источником сообщается, что в памяти серии APOGEE GT Blazer (8 слоев PCB, 16 FBGA-микросхем Samsung 128x8) достигнут хороший баланс высокой производительности при низком напряжении питания. Производительность памяти при операциях чтения (пропускная способность памяти, ПСП) в популярном тестовом пакете EVEREST составила 28,8 ГБ/с.

С каждой вновь выпущенной моделью памяти, как правило, растет и рабочая частота памяти, а следовательно, ее нужно охлаждать. Для этих целей у производителя имеется запатентованный, высокопроизводительный радиатор — Cool It Smart.

Источник: VR-zone

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Три цвета: черный, белый, красный — новые 4-ГБ наборы модулей памяти DDR2 Mushkin X-Line
Accent @ 15:35
Ассортимент компании Mushkin, специализирующейся на высокопроизводительной компьютерной памяти и блоках питания, пополнился тремя наборами модулей памяти 2x 2 ГБ DDR2.

Особенностью новинок является применение оригинальных печатных плат, не привычного зеленого цвета, а черного. Кроме того, разные модели серии X-Line получили радиаторы разных цветов. Видимо, по замыслу компании, внешний вид модулей может сыграть роль дополнительного фактора при выборе памяти. Такая точка зрения имеет под собой основания, поскольку многие компьютерные энтузиасты собирают системы в корпусах, обеспечивающих обзор расположенных внутри компонентов, и мало что способно так согреть увлеченную душу, как удачно подобранное сочетание цвета печатных плат, радиаторов и кабелей.

Для тех, кто интересуется не только цветом, но и производительностью компонентов, компания приводит некоторые данные модулей памяти, входящих в наборы X-Line (напомним, объем памяти каждого набора равен 4 ГБ):

_http://www.ixbt.com/short/images/11a_002.jpg
996580X (черные радиаторы) — XP2-6400, 4-4-4-12, EPP;

_http://www.ixbt.com/short/images/11b_002.jpg
996580wX (белые радиаторы) — XP2-6400, 4-4-4-12, EPP;

_http://www.ixbt.com/short/images/11c.jpg
996593X (красные радиаторы) — XP2-8000, 5-5-5-15, EPP;

Источник: Mushkin

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Оперативная память Crucial Ballistix в вариантах DDR3-1333 и DDR3-1800
26.07.2008 | 00:12 | IvTK
Оверклокерам со стажем наверняка знаком замечательный разгонный потенциал чипов памяти от Micron Technology. Клиентами компании являются многие производители модулей RAM, в т.ч. основанная самой Micron фирма Lexar Media. Накануне маркетинговый отдел последней объявил о выпуске новой серии линеек DDR3 с рабочими частотами 1333 и 1800 MHz.
http://www.overclockers.com.ua/news/...x-DDR3-kit.jpg
Память Crucial Ballistix DDR3 PC3-10600 уже поступила в розничную сеть по рекомендованной цене $172 за двухгигабайтный комплект или по $86 за 1 GB модуль. Продукт имеет 240-контактное исполнение, эффективную частоту 1333 MHz и формулу задержек 6-6-6-20. Рабочее напряжение микросхем составляет 1,8 V, что несколько выше рекомендованных JEDEC стандартных значений 1,5 V (DDR3) и 1,35 V (DDR3L).

О спецификациях Ballistix DDR3 PC3-14400, к сожалению, пока ничего не известно.

Кроме вышеупомянутых изделий, под маркой "Crucial Ballistix" продаются планки DDR третьего поколения номиналом в 1600 и 2000 мегагерц. С их характеристиками вы можете ознакомиться в следующей сравнительной таблице:


(C)_www.overclockers.com.ua

[grogi]

4 Гб памяти APOGEE GT Blazer DDR3-1800 от Chaintech
27.07.2008 [15:37], Руслан Цап
Пресс-служба компании Walton Chaintech анонсировала выпуск нового набора высокопроизводительной памяти APOGEE GT Blazer DDR3-1800, состоящего из пары 240-контактных DIMM-модулей общим объёмом 4 Гб.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/07/25/89820.jpg
Как сообщается, входящие в данный комплект планки построены на 8-слойных печатных платах в полном соответствии с требованиями стандартов JEDEC и основаны на высококачественных чипах памяти Samsung со схемой организации 128Mх8 и корпусировкой FBGA. При этом особо указывается на то, что изделия снабжены поддержкой EPP 2.0, функционируют на частоте 1800 МГц с задержками CL 8-8-8-24 и характеризуются напряжением питания 1,8 В, тогда как понижением их температуры занимается фирменная система охлаждения Cool It Smart.

Напоследок сообщим, что, по мнению разработчиков, целевой аудиторией для их детища в первую очередь являются наиболее взыскательные пользователи, увлекающиеся современными 3D-играми, экспериментирующие с экстремальным разгоном своих настольных компьютерных систем либо активно работающие с очень ресурсоёмкими программными приложениями.

В продаже новый продукт появится уже в следующем месяце, однако его ориентировочная стоимость пока не уточняется.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Модули памяти Aeneon DDR3 SO-DIMM для мобильной платформы Centrino 2
01 августа 2008, 15:22
Aeneon, бренд компании Qimonda, ориентированный на дистрибьюторов и розничную торговлю, объявил о начале производства модулей памяти DDR3-1066 SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Modules), обеспечивающих энергосбережение и высокую производительность новой серии ноутбуков с памятью DDR3 на базе Intel Centrino 2.
http://www.thg.ru/technews/images/ae...00s-010808.jpg
Aeneon стал одним из первых брендов, ориентированных на розничные компании, представивших на рынке модули памяти DDR3-1066 SO-DIMM объёмом 1GB и 2GB. Рабочие тайминги модулей памяти: 7-7-7-21, а напряжение питания - 1,5 В. Модули памяти Aeneon DDR3 SO-DIMM появятся в розничной продаже в августе 2008 года.

(C)_www.thg.ru

[grogi]

DDR3-2580: новый рекорд разгона памяти Corsair
Lexagon / 03.08.2008 10:13 / ссылка на материал / версия для печати
Подобно тому, как производители массовых малолитражек вкладывают средства в содержание собственных команд "Формулы 1", некоторые производители оверклокерской памяти выступают спонсорами отдельных энтузиастов, устанавливающих рекорды с использованием их продукции.

Очевидно, именно по такой схеме компанией Corsair Memory на прошедшей неделе был установлен новый мировой рекорд разгона памяти типа DDR-3. Впрочем, сам производитель утверждает, что эксперимент проводился в собственной лаборатории. Модуль памяти типа DDR3-1333 с задержками 9-9-9-24 был разогнан в материнской плате Asus Rampage Extreme (Intel X48) до частоты 2580 МГц DDR. Это на 118 МГц выше, чем предыдущий рекорд Corsair, установленный в конце мая текущего года.
http://www.overclockers.ru/images/ne...03/corsair.png
По словам Corsair, добиться такого прироста удалось за счёт охлаждения всей тестовой платформы до температуры минус 20 градусов по Цельсию. Очевидно, материнскую плату просто поместили в "морозилку". Кстати, процессор Core 2 Duo E8400 в ходе эксперимента был разогнан до 645 МГц по шине. Рекорд официально зафиксирован здесь.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

Elpida готовит 16 Гб модули памяти DDR2 FB-DIMM
05.08.2008 [17:20], Руслан Цап
По данным сетевого ресурса TechConnect Magazine, компания Elpida в ближайшее время собирается вывести на рынок новые модули памяти DDR2 FB-DIMM, которые будут обладать рекордной на сегодняшний день ёмкостью 16 Гб.

Как сообщается, разработчики намерены выпустить планки PC2-6400F и PC2-5300F, функционирующие на частоте 800 МГц и 667 МГц соответственно. При этом отмечается, что решения толщиной всего 7,7 мм построены на базе характеризующихся низким энергопотреблением чипов памяти DDR2 DRAM ёмкостью 2 Гбит с корпусировкой FBGA и для обеспечения оптимального температурного режима оборудованы фирменными радиаторами особой конструкции.

Ожидается, что поставки первых пробных образцов изделий, предназначенных для применения в высокопроизводительных серверных системах и мощных рабочих станциях, начнутся уже в этом месяце, тогда как массовый выпуск новых модулей стартует в четвёртом квартале текущего года.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Память Apacer DDR3-1333/1066 SO-DIMM для Intel Centrino 2
06.08.2008 [13:03], Руслан Цап
Пресс-служба компании Apacer Technology объявила о выпуске новых модулей памяти DDR3 SO-DIMM объёмом 1 и 2 Гб, которые предназначены для использования в портативных компьютерах, построенных на базе передовой мобильной платформы Intel Centrino 2 (кодовое название Montevina).
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2008/08/05/90869.jpg
Как сообщается, потребителям будут доступны два типа 204-контактных планок, одни из которых функционируют на частоте 1333 МГц с задержками CL9, а другие работают на частоте 1066 МГц с таймингами CL7. При этом в обоих случаях изделия характеризуются напряжением питания 1,5 В и обеспечиваются пожизненной гарантией качества.

О цене и сроках начала массовых продаж вышеуказанных продуктов пока ничего не известно.

(C)_3dnews.ru