DDR, DDR2, DDR3...

[grogi]

Super Talent выпускает 4-Гб наборы памяти DDR2-800
BlackCat @ 00:09
Пока в наших форумах идёт активное обсуждение того, как скоро играм понадобится 4 Гб оперативной памяти (и большинство из пользователей склоняются к тому, что такой объём не лишний уже сегодня, благодаря тому, что на оптимизацию своих продуктов разработчики не желают тратить слишком много ресурсов), производители модулей памяти уже готовы к такой ситуации.

Очередным из них, представившим 4-гигабайтные наборы DDR2-800, стала компания Super Talent со своими T800UX4GC5. Каждый из таких наборов объёдиняет в себе два модуля небуферируемой памяти выполненной в 240-контактном форм-факторе.
_http://www.ixbt.com/news/digimage/bcat/st_4gb/1.jpg
Заявленные тайминги составляют 5-5-5-15 при номинальном напряжении 2,1 В. В модулях использованы чипы в упаковке FBGA.

Охлаждение обеспечивается фирменными алюминиевыми радиаторами Super Talent HE.

Новинки поступят в продажу уже на текущей неделе, а рекомендуемая производителем цена набора составит 438 долларов.

Источник: Super Talent Technology

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Разгон памяти DDR2-800: какая пара по 1 Гбайт лучше?
" Память DDR2-800 становится стандартом, в результате чего снижаются цены, да и совместимость с материнскими платами улучшается. Мы решили отобрать девять 1-Гбайт модулей PC2-6400 и посмотреть, как они справляются с разгоном. Какие из современных недорогих модулей можно рекомендовать оверклокерам?"

[grogi]

Обновление подсистемы памяти для Vista: OCZ Vista Upgrade за $340
30 марта 2007, 16:33
Редакции THG.ru стало известно, что некоторые сетевые магазины начали продажу комплектов памяти OCZ Vista Upgrade. Данный комплект предоставляет емкость 4 Гбайт (2 x 2 Гбайт). Модули памяти, синхронизированные на работу при частоте 667 МГц, доступны по цене $340.

К сожалению, данную цену нельзя назвать небольшой. Особенно если учитывать тайминги, которые составляют CL5-5-5-15. Впрочем, мы уверены, что при этих таймингах данные модули памяти будут способны работать на частоте 800 МГц.
http://www.thg.ru/technews/images/ocz-300307.jpg
Помимо этого комплекта памяти, компания планирует начать поставки OCZ DDR2 PC2-6400 Vista Performance Gold 4GB Dual Channel, отличающихся от OCZ Vista Upgrade лишь частотой работы.

(C)_www.thg.ru

[grogi]

OCZ выпускает модули PC2-6400 с параметром Command Rate 1T
BlackCat @ 10:33
Новые модули, сертифицированные для систем NVIDIA SLI, представила OCZ Technology. Модули PC2-6400 SLI-Ready DDR2 не бьют частотных рекордов, но отличаются минимально возможным параметром Command Rate, составляющим 1T.

Отметим, что ранее производитель уже анонсировал память с аналогичными параметрами, но её работоспособность в таком режиме гарантировалась лишь на одной системной плате - DFI NF590 SLI-M2R.

Тайминги вновь представленных модулей весьма агрессивны, что позволит достичь неплохой производительности владельцам как SLI-систем, так и обычных ПК.
_http://www.ixbt.com/news/digimage/bcat/ocz_1t/1.jpg
Технические характеристики OCZ PC2-6400 SLI-Ready DDR2:
Рабочая частота: 800 МГц
Тайминги: 4-4-4-15 1T (CAS-TRCD-TRP-TRAS)
Объём: 1 Гб или комплект из двух модулей по 1 Гб
Тип: 240-контактные небуферируемые модули DIMM
Рабочее напряжение: 2,1 В (2,3 В в режиме Extended Voltage Protection)

Источник: OCZ Technology

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Virtium представляет малогабаритные модули DDR2 для встраиваемых приложений
Accent @ 23:34
По традиции, конференция по встраиваемым системам (Embedded Systems Conference) стала местом презентации новых решений – напомним, в рамках этого мероприятия компания AMD представила плату для разработчиков, намеревающихся использовать в своих проектах процессоры для разъема AMD Socket S1 и чипсет AMD M690. Компания Virtium Technology, специализирующаяся на модулях памяти для встраиваемых систем, объявила о выпуске модулей памяти DDR2 сверхмалых профилей: Very Low Profile (VLP) и Ultra Low Profile (ULP). Как утверждается, модули не просто соответствуют стандарту JEDEC, но и превосходят его требования с некоторым запасом.

Были представлены модели шести типов: DDR2 VLP SODIMM, VLP SO-RDIMM, VLP SO-CDIMM, ULP Mini-RDIMM, ULP RDIMM и ULP UDIMM.

По сравнению с требованиями JEDEC новые модули VLP имеют большую плотность – до 4 Гб; модули ULP – высоту 0,70 дюйма (17,8 мм), а не 0,72 дюйма (18,3 мм), как предписывает стандарт. Модули VLP рассчитаны на эксплуатацию в так называемом промышленном диапазоне температур, а ULP – в расширенном промышленном диапазоне температур. Таким образом, они прекрасно подходят для установки в оборудование средств связи и промышленной автоматики (AdvancedTCA, AdvancedMC, MicroTCA, PicoTCA, AMC и PICMG SBC).

Источник: Virtium Technology

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

OCZ PC2-9200 Reaper HPC: пока что - самая быстрая память с охлаждением на тепловых трубках
Accent @ 07:30
Компания OCZ Technology, специализирующаяся на высокопроизводительной оперативной памяти, представила модули OCZ PC2-9200 Reaper HPC (Heat Pipe Conduit) Edition. Как ясно из названия, в системе охлаждения модулей, помимо радиаторов, используются тепловые трубки, что, по мнению компании, повышает эффективность ее работы.

Созданная специалистами OCZ Technology конструкция позволяет быстро отводить тепло от участков радиатора, расположенных рядом с наиболее чувствительными к перегреву элементами – микросхемами памяти. За счет этого, как утверждается, удается улучшить качества модулей, востребованные при эксплуатации на повышенных частотах, и повысить надежность работы.
_http://www.ixbt.com/short/images/Reaper_HPC_1_.jpg
Модули PC2-9200 Reaper HPC (1150 МГц, CL 5-5-5) «оптимизированы для новейших системных плат» и будут доступны в виде комплектов суммарным объемом 2 Гб (2 x 1024 Мб), рассчитанных на работу в двухканальных конфигурациях. Рекомендованное напряжение питания – 2,3 В. Как и в случае других модулей памяти OCZ Technology, новинки сопровождаются пожизненной гарантией.

Напомним, в феврале компания представила модули PC2-8500 Reaper HPC.

Источник: OCZ Technology

(C)_www.ixbt.com

Очень дешевая DDR2 для ноутбуков от Corsair
03 апреля 2007, 17:05
Редакции THG.ru стало известно, что онлайн-магазин NewEgg начал продажи комплекта памяти CORSAIR ValueSelect 2GB (2 x 1GB) по цене $130. Модули синхронизированы на работу при частоте 667 МГц, и предназначены для ноутбуков, то есть они выполнены в форм-факторе SO-DIMM.

Сумма, которую просят за данный комплект памяти действительно очень низкая. Несколько месяцев назад такой комплект памяти, состоящий из двух модулей емкостью по 1 Гбайт, обошелся бы в сумму трехкратно превышающую запрошенные $130.
http://www.thg.ru/technews/images/co...2gb-030407.jpg
Если объем оперативной памяти вашего ноутбука составляет 512 Мбайт или 1 Гбайт, то вполне разумно потратиться на CORSAIR ValueSelect 2GB. Естественно, в случае, если материнская плата ноутбука не поддерживает частоту 667 МГц, то память перейдет в режим DDR2-553 или DDR2-400.

(C)_www.thg.ru

[grogi]

Тест двухканального комплекта памяти G.Skill F2-6400CL4D-2GBHK объемом 2x1Гб
"В самом начале 2007 года тайваньская компания G.Skill, широко известная в кругах компьютерных энтузиастов, выпустила несколько новых двухканальных комплектов оперативной памяти стандарта DDR2. С одним из них – G.Skill F2-6400CL4D-2GBHK – мы и познакомим вас в небольшой сегодняшней статье.

Память поставляется в небольшой картонной коробочке с изображением на лицевой стороне болида F1 команды Рено прошлогодней раскраски"

[grogi]

Дефицит и дороговизну DDR3-1333 компенсируют модули DDR2-1333
Lexagon / 12.04.2007 09:10 / ссылка на материал / версия для печати
Чипсет nForce 680i SLI уже давно предлагает поддержку памяти DDR2-1200 путём разгона, но сопутствующее такому режиму эксплуатации высокое напряжение безопасным для микросхем памяти не является. Между тем, оверклокерам хочется непрерывно наращивать частоту памяти. Неужели единственным способом дальнейшего повышения пропускной способности подсистемы памяти является переход на DDR-3?

Известно, что поддержку DDR3-1333 предложит выходящий в третьем квартале этого года чипсет Intel X38. Очевидно, память этого типа будет дефицитной и дорогой, да и достаточно высокие задержки пока не внушают доверия. Как сообщает сайт The Inquirer, уже в следующем месяце на рынке начнут появляться комплекты памяти типа DDR2-1333 объёмом 2 x 1 Гб, способные работать при значении таймингов 5-5-5-8. Скорее всего, необходимым условием функционирования в таком режиме станет повышение напряжения питания до 2.4-2.5 В, что небезопасно в долгосрочной перспективе. Однако, коллеги считают, что производители модулей памяти могут решить проблему как путём подбора более выносливых микросхем, так и путём использования эффективных систем охлаждения.

К началу Computex 2007 в июне свои комплекты DDR2-1333 представят многие производители модулей памяти. Появятся и более доступные комплекты DDR2-800 объёмом 2 х 2 Гб, к концу года они могут обзавестись таймингами 3-3-3-5. Что касается модулей памяти типа DDR3-1333, то первое время они могут прилагаться к материнским платам на основе чипсета Intel X38, чтобы лишить владельца платы необходимости искать их самостоятельно.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

Chaintech выходит на рынок с новыми модулями памяти
12 апреля 2007, 21:12
Не так давно редакцией THG.ru сообщалось, что компания Chaintech решила выйти на рынок памяти, представив общественности Apogee GT DDRII 800. Спустя месяц стало известно, что производитель выпустил модулей памяти Apogee GT DDRII 1066.

Согласно заявлениям компании, новые модули будут великолепно сочетаться с процессорами Intel Core 2 Duo/Extreme/Quad или же AMD Athlon 64/64 X2/FX. Кроме того, Apogee GT DDRII 1066 обладают очень низкими задержками, правда, компания решила не раскрывать точные цифры. Впрочем, если учесть, что Apogee GT DDRII 800 работают с задержками 4-4-4-12, то тайминги новых Apogee GT DDRII 1066 представить не сложно.
http://www.thg.ru/technews/images/apogee_gt-090307.jpg
Компания также заявляет, что пропускная способность Apogee GT DDRII 1066 на 32% больше, чем DDRII 800. Модули использую архитектуру 64M x 8 BGA чипов, что дает объем 1 Гбайт.

(C)_www.thg.ru

[grogi]

Dataram: 8-Гб RDDR2-модули ОЗУ для серверов Sun
13.04.2007 [16:48], Александр Будик
Известный производитель памяти для серверов и рабочих станций Dataram Corporation сообщил о доступности на рынке 16-Гб (2 х 8 Гб) наборов модулей ОЗУ для систем Sun Fire X4100 M2 и X4200 M2 компании Sun Microsystems. Благодаря новым 8-Гб модулям владельцы этих серверных машин смогут установить до 64 Гб памяти.

16-Гб наборы памяти включают две планки RDDR2-667 с коррекцией ошибок (ECC). Новинки поддерживают технологию Chipkill (усовершенствованная ECC), позволяющую увеличить надежность системы. Новые продукты имеют пожизненную гарантию производителя. Код изделия: DRSX4200M2/16GB.


(C)_3dnews.ru

[grogi]

IDF Spring 2007: Intel разрабатывает стеклянную память
18.04.2007 [09:48], Тимур Садыков
Полупроводниковый гигант планирует в рамках IDF озвучить новые подробности относительно собственного типа памяти. Пока лишь известно, что компания Intel в данный момент готовит производство своей собственной памяти с изменением фазового состояния (phase change memory, PCM), которая носит обозначение PRAM.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/04/18/46194.jpg
Известно, что такая память будет энергонезависимой подобно флэш-памяти. Далее, скорость записи и чтения такой памяти будут на уровне типичных модулей памяти DDR, доступных на рынке уже сегодня. Но главной особенностью PRAM-памяти является материал, из которого она будет изготавливаться. В данном случае материалом служит стекло, которое позволяет обеспечивать фактически бесконечный срок службы. Известно также, что применение стекла при создании памяти дает возможность функционирования при частом изменении сопротивления вследствие воздействия тепла, генерируемого электрическими потоками.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Micron удалось снизить энергопотребление модулей памяти DDR2 почти вдвое
Accent @ 11:31
Компания Micron Technology представила семейство модулей памяти Aspen Memory, характеризующееся пониженным энергопотреблением. По утверждению производителя, речь идет о первых в отрасли изделиях с пониженным напряжением питания (LV DDR2) и сокращенным количеством чипов (reduced chip count, RCC). Первые модели нового семейства предназначены для серверов (модули FBDIMM); в будущем компания рассчитывает расширить предложение за счет модулей для других категорий вычислительной техники.

Сегодняшние компоненты DDR2 обычно работают при напряжении питания 1,8 В. Применив новые технологии производства и несколько нововведений в области схемотехники, специалистам Micron удалось понизить напряжение питания DDR2 до 1,5 В. Еще одним резервом понижения оказался переход на чипы памяти большей плотности – 1 гигабит вместо 512 мегабит, позволивший сократить количество компонентов в расчете на один модуль. Суммарное снижение энергопотребления, по оценке компании, доходит до 50%.

Первые изделия семейства Aspen Memory уже доступны OEM-заказчикам. Список новинок включает модули MT9GTF12872FY-667 (объем - 1 Гб, логическая организация - 128 x72, тип - DDR2-667, задержки - 5-5-5), MT9GTF12872FY-53E (1 Гб, 128 x72, DDR2-533, 4-4-4), MT18GTF25672FDY-667 (2 Гб, 256 x72, DDR2-667, 5-5-5), MT18GTF25672FDY-53E (2 Гб, 256 x72, DDR2-533, 4-4-4) и MT36GTF51272FY-667 (4 Гб, 512 x72, DDR2-667, 5-5-5).

Источник: Micron Technology

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Серия памяти для "избранных" от GeIL
20.04.2007 [16:40], Тимур Садыков
Американская компания GeIL, специализирующаяся на выпуске памяти, анонсировала новую серию “Esoteria Series”. В соответствии с современным понятием "эзотерия", подразумевающем тайные учения, предназначенные только для посвященных, новая серия памяти ориентирована на узкий круг самых требовательных пользователей.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/04/20/46524.jpg
Очевидно, что в гонках, как и на войне – нет места ничему лишнему. Так и почти каждый элемент дизайна новых модулей направлен на улучшение характеристик памяти. В частности, инженеры компании GeIL применили углеродной волокно, производимое небезызвестной BMW Tuner-Vorsteiner, обладающей уникальными технологиями, применяемыми в Формуле-1. Для того, чтобы воспользоваться преимуществом высоких технологий распределения тепла, сотрудникам компании придется подгонять радиаторы из углеродного волокна вручную. В итоге, по заявлению представителей компании, получились модули памяти с большим разгонным потенциалом и высокой стабильностью.

Краткие характеристики:
DDR2 PC2-6400 800 МГц или DDR2 PC2-8500 1066 МГц;
До 2 Гб в двухканальном исполнении (2х1 Гб);
Тайминги 4-4-4-12;
Напряжение 2,1В – 2,5В;

Apacer представила 4 Гб модули FB-DIMM для серверов Apple
20.04.2007 [17:51], Вячеслав Кононов
Компания Apacer Technology Inc., одна из первых компаний, начавших сотрудничество с компанией Intel по развитию технологии буферизированной памяти (FB-DIMM), выпустила модули DDR2 с частотой 667 МГц типа FB-DIMM для использования в серверах 1U Xserve компании Apple. Объем представленных модулей варьирует от 512 мегабайт до 4 гигабайт, что является самым высоким объемом подобного вида модулей на сегодняшний день.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/04/19/46498.jpg
Напомним, что серверы пятого поколения компании Apple – Xserve – оснащены двумя двухъядерными 64-разрядными процессорами Intel Xeon с тактовой частотой до 3,0 ГГц. Архитектура с высокой пропускной способностью включает два слота PCI Express x8, две независимые системные шины с частотой 1,33 ГГц для каждого процессора и восемь слотов DIMM. При использовании модулей DDR2 FBDIMM от компании Apacer, общий объем серверной памяти может достигать 32 гигабайт.

Как утверждается в официальном пресс-релизе, тестовая лаборатория компании Apacer проводит тщательное испытание каждого модуля, чтобы обеспечить максимальную совместимость и надежность работы FB-DIMM на сервере Apple Xserve. Компания предоставляет бессрочную гарантию на модули DDR2667 МГц FB-DIMM для серверов 1U Xserve компании Apple.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Технология TSV помогла Samsung существенно повысить плотность памяти
Accent @ 10:45
Компания Samsung Electronics объявила о разработке, в которой используется технология «связи сквозь кремний» (through silicon via, TSV). Как сообщается, это достижение поможет вскоре создать модули памяти, которые превзойдут существующие образцы по показателям размера, скорости и энергопотребления.

«Упаковка» новой памяти, формируемая на уровне кремниевой пластины (wafer-level-processed stacked package, WSP) состоит из четырех типов DRAM DDR2 плотностью 512 Мбит – другими словами, итоговая плотность равна 2 Гбит. Используя TSV-продукты плотностью 2 Гбит, Samsung может создать первые 4-Гб модули памяти DIMM с использованием технологии WSP.
_http://www.ixbt.com/short/images/l_070423_1_.jpg
В выпускаемой сегодня памяти MCP, чипы соединены между собой проволочными проводниками, проложенными в пространстве между ними. В случае WSP, непосредственно в толще кремния лазерным лучом «вырезаются» микроскопические отверстия, которые, будучи заполнены проводником (медью) избавляют от необходимости оставлять зазоры между чипами для прокладки проводников по бокам. По утверждению Samsung, это дает возможность создавать более компактные микросхемы.

Специальные меры позволили также повысить производительность и снизить энергопотребление новой памяти.

Напомним, о своих успехах в технологии TSV совсем недавно сообщала компания IBM.

Источник: Samsung

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Buffalo: память DDR3 "D3/1066 series" и "D3/1066X2 series" будет выпущена еще до конца этого месяца
BESS! @ 15:57
Сегодня японская компания Buffalo сообщила о том, что еще до конца апреля начнет поставки высокоскоростных модулей памяти следующего поколения (DDR3): "D3/1066 series" и "D3/1066X2 series".
_http://www.ixbt.com/short/images/d3_1066-1g_t_bw.jpg
Память Buffalo "D3/1066 series" и "D3/1066X2 series" будет доступна в наборах из 512 и 1024-Мб модулей. Она имеет пониженное относительно DDR2 энергопотребление (примерно на 40%), а ее рабочее напряжение составляет 1,5 В (против 1,8 В у DDR2).

Ассортимент новой памяти будет представлен в таком виде:
D3/1066-512M: 1066 МГц SDRAM (PC3-8500) 240Pin DIMM / 512 Мб — 315 долл.
D3/1066-1G: 1066 МГц SDRAM (PC3-8500) 240Pin DIMM / 1024 Мб — 595 долл.
D3/1066-512MX2: 1066 МГц SDRAM (PC3-8500) 240Pin DIMM / 512 Мб ×2 — 630 долл.
D3/1066-1GX2: 1066 МГц SDRAM (PC3-8500) 240Pin DIMM / 1024 Мб ×2 — 1140 долл.

Такие модули памяти будут востребованы в ПК на основе платформ с чипсетом Intel Bearlake (в середине 2007 года), а также в ПК на платформах компании AMD, которые должны появиться в 2008 году.

Источник: Buffalo

И снова о DDR3
Bugz @ 15:17
Как мы знаем, память типа DDR3 появится уже в следующем квартале. По понятным причинам, наиболее заинтересована в её продвижении компания Intel и производители памяти. Как известно, одним из достоинств DDR3 является пониженное энергопотребление. Так, память DDR3-800, DDR3-1067 и DDR3-1333 потребляет на 28%, 17% и 5% меньше энергии, чем DDR2-800, соответственно:
_http://www.ixbt.com/short/images/ddr3-power.jpg
Если верить Ким Гйоу Джунг (Kim Gyou Joong), представителю компании Samsung Electronics, DDR3 будет быстрее DDR2 благодаря меньшим значениям CAS. По его словам, DDR2-533 (CL 4-4-4), DDR2-667 (CL 5-5-5) и DDR2-800 (CL6-6-6) имеют CAS, равную 15 нс. В то же время, CAS для DDR3-1066 (7-7-7), DDR3-1333 (8-8-8), и DDR3-1600 (9-9-9) будет равны 13,125 нс, 12 нс и 11,25 нс. Ведь, чем выше рабочая частота памяти, тем короче каждый цикл, а, значит, и общая задержка.
_http://www.ixbt.com/short/images/ddr3-latency-imporvement.jpg
Конечно же, данное сравнение нельзя назвать корректным, оно может служить лишь дополнением к тому факту, что DDR3 позволяет поднять "частотный потолок" памяти. Вряд ли DDR3-800 будет быстрее DDR2-800 в общем случае.

В соответствии с планами Samsung, чипы DDR3-800/1066 будут выпущены на рынок уже в текущем квартале, а DDR3-1666 - в третьем квартале 2007 года. DDR3-800/1066 для мобильных приложений увидит свет лишь в первом квартале 2008 года, а DDR3-1333 - в начале 2009 года.
_http://www.ixbt.com/short/images/ddr3-hb.jpg
По мнению Intel, DDR3 станет основной технологией памяти для ПК в 2009 году. С ней согласна и аналитическая компания iSuppli.

Источник: HKEPC

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Buffalo начнет продажи DDR3-памяти уже в конце апреля
26.04.2007 [17:28], Александр Будик
Японская компания Buffalo планирует начать продажи своих новых модулей памяти типа DDR3 уже до конца этого месяца, о чем она сообщила в своем пресс-релизе. Вначале новинки будут доступны только на японском рынке.
http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/04/26/46994.jpg
Линейка модулей ОЗУ включает наборы 2 х 512 Мб (D3/1066-512MX2), 2 x 1 Гб (D3/1066-1GX2), а также одиночные модули емкостью 512 Мб (D3/1066-512M) и 1 Гб (D3/1066-1G). Как нетрудно догадаться по названиям моделей, все модули могут работать на частоте 1066 МГц (PC3-8500). Как и ожидалось, ориентировочные розничные цены на новую память без преувеличения "зашкаливают":

D3/1066-512M - $318 (37700 йен);
D3/1066-1G - $600 (71000 йен);
D3/1066-512MX2 –$632 (75000 йен);
D3/1066-1GX2 - $1190 (141000 йен).

Напомним, что для DDR3-памяти компания Intel предложит свои наборы системной логики семейства Bearlake. На мартовской выставке CEBIT’07 многие производители материнских плат уже продемонстрировали свои решения на базе чипсетов “3 Series” с поддержкой DDR3.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Тепловые трубки для охлаждения памяти – на поток?... [27.04.2007 13:17:00]
Компания OCZ Technology, одной из первых введя для охлаждения модулей памяти пассивные теплорассеиватели на основе тепловых трубок, начала использовать столь нетрадиционную систему охлаждения для рядовой, в общем-то, памяти. Официальным анонсом компания объявила о выпуске двух двухканальных 2-ГБ комплектов стандарта DDR2-800 оборудованных радиаторами с тепловой трубкой:

http://www.fcenter.ru/images/whatnew.../27/reaper.jpg
Тепловые трубки для памяти DDR2-800

Впрочем, один из новых комплектов PC2-6400 Reaper получил индекс EB – Enhanced Bandwidth, что означает улучшенную пропускную способность модулей. Данный комплект ориентирован на последние топовые наборы системной логики компании NVIDIA, в частности на nForce 680i. Благодаря специальной записи в SPD-регистрах модулей инструкций NVIDIA EPP, в материнских платах на основе чипсетов NVIDIA модули PC2-6400 Reaper EB автоматически установятся в минимальные тайминги – CL4-3-3, тогда как "не-EB" редакция будет работать только с таймингами CL4-4-4.
В остальном новинки отметить нечем. Их официальная страничка находится здесь. Автор: GreenCo

(C)_www.fcenter.ru

[grogi]

OCZ: память PC2-6400 Reaper Enhanced Bandwidth Edition для nForce 680i
BESS! @ 17:49
Компания OCZ Technology сообщила сегодня о расширении модельного ряда памяти PC2-6400 серии Reaper. Reaper Enhanced Bandwidth Edition — память, специально разработанная и оптимизированная для работы с чипсетом NVIDIA nForce 680i.
_http://www.ixbt.com/short/images/Reaper_HPC.jpg
Утверждается, что PC2-6400 Reaper EB повысит эффективность полосы пропускания благодаря оптимизации задержек между чипсетом и памятью. Новые 800-МГц модули памяти Reaper EB имеют пониженные относительно обычных Reaper HPC (Heat Pipe Conduit) задержки: CL4-3-3 против CL4-4-4.

Поддерживается новыми модулями PC2-6400 Reaper и профайлы EPP (Enhanced Performance Profiles), позволяющие осуществлять авторазгон на nForce-системах. Так же на месте и оригинальная система охлаждения, представленная ранее.

PC2-6400 Reaper HPC EB будут доступны в наборах 2 Гб (2x1024 Мб), подобранных для гарантированной работы в двухканальном режиме.

Источник: OCZ

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Модули DDR3-1066 продаются в Японии
Lexagon / 29.04.2007 12:56 / ссылка на материал / версия для печати
Всю неделю перед нашими глазами появлялись фотографии материнских плат на базе чипсетов поколения Bearlake. Часть этих материнских плат оснащалась исключительно слотами DIMM для памяти типа DDR-3, другие платы объединяли слоты DIMM этого типа с разъёмами под модули DDR-2. Эксперты пока осторожно оценивают перспективы экспансии памяти типа DDR-3 на рынок, но с появлением материнских плат на базе чипсета Intel P35 дело сдвинется с мёртвой точки. Напомним, что чипсет Intel X38, анонс которого состоится в следующем квартале, должен поддерживать исключительно память типа DDR-3. Владельцы материнских плат на его основе будут вынуждены покупать память соответствующего типа. Можно ли её купить уже сейчас? Да, можно, если вы живёте, например, в Японии.

В японские магазины на этой неделе поступили модули памяти типа DDR3-1066 (CL7) объёмом 512 Мб и 1 Гб производства компании CFD - D3U1066K-512 и D3UK1066K-1G соответственно. Каждый модуль упакован в отдельную коробку.
http://www.overclockers.ru/images/ne...29/ddr3_01.jpg
Напряжение питания памяти типа DDR-3 снижено с 1.8 В до 1.5 В. Данные модули основаны на чипах ELPIDA.
http://www.overclockers.ru/images/ne...29/ddr3_02.jpg
Можете сравнить модуль типа DDR-3 (на фото снизу) с модулем типа DDR-2 (на фото сверху).
http://www.overclockers.ru/images/ne...29/ddr3_03.jpg
В Японии модуль DDR3-1066 объёмом 512 Мб стоит $183, модуль DDR3-1066 объёмом 1 Гб стоит $363. Сравнивая эти суммы с ценами российской розницы, не забывайте о том, что Япония является достаточно "дорогой страной".

(C)_www.overclockers.ru

[Alex666]

Память Hynix DDR3 сертифицирована Intel, массовый выпуск DDR3 в третьем квартале 2007 года

Как сообщает источник, компания Hynix Semiconductor сообщила о том, что получила сертификацию на свою новую продукцию, модули памяти стандарта DDR3 емкостью 1 Гб, от Intel.
Новые сертифицированные 1-Гбит компоненты DDR3 SDRAM производятся по 80-нм техпроцессу. Из них собираются небуферизованные модули Unbuffered-DIMM DDR3 емкостью 1 и 2 Гб. Как и сообщалось ранее, эта память работает на частотах 800 и 1066 МГц, а ее рабочее напряжение питания 1,5 В.
Тайминги 800-МГц памяти составляют 5-5-5 и 6-6-6, а для 1066-МГц модулей это уже 7-7-7. Напомним, что DDR3 потребляет энергии меньше примерно на 25%, чем DDR2 (другие производители заявляют о 40% разнице между DDR2 и DDR3).
Массовое производство 1-Гб модулей памяти стандарта DDR3 компания все также планирует начать в третьем квартале этого года. В конце 2007 года планируется перейти на 66-нм нормы производства.
Источник: ixbt.com