Hynix перейдёт на 0.10 мкм к концу года
 

Hynix Semiconductor сообщила о своем намерении начать производство 512-мегабитных чипов памяти по новой 0.10-микронной технологии в конце этого года. Чипы соответствуют стандартам PC2100, РС2700 и могут использоваться в модулях памяти DDR400. В первой половине 2003 года кроме 512-мегабитных чипов по новому технологическому процессу будут выпускаться чипы 256 Мбит и 1 Гбит. Переход на новый производственный процесс должен несколько снизить цену на память Hynix.

[3DNews]