Кремний может излучать свет
 

Исследовательская группа французской компании STMicroelectronics разработала кремниевые светоизлучающие элементы, по эффективности не уступающие таким полупроводникам, как арсенид галлия. В компании полагают, что данное открытие позволит впервые создать полупроводниковые элементы, которые смогут выполнять одновременно как электрические, так и оптические функции. Первые экземпляры новых приборов появятся уже к концу этого года.

http://pics.rbc.ru/img/cnews/2002/11/01/sil.gif

Несмотря на то, что кремний является идеальным материалом для изготовления микропроцессоров, устройств памяти и других сложных электронных схем, вплоть до последнего времени к числу эффективных светоизлучателей он не относился.

Специалистам компании STMicroelectronics удалось разработать новую структуру, в которой ионы редкоземельных металлов, таких как эрбий или церий, имплантируются в слой, носящий название обогащенного кремнием оксида - иными словами, двуокиси кремния, в который внедрены нанокристаллы кремния размером 1-2 нм в поперечнике. Частота излучаемого таким полупроводником света определяется типом внесенных в полупроводник редкоземельных добавок. При этом квантовая эффективность такой структуры примерно на два порядка превышает значения, которые ранее удавалось получать с помощью кремния, и стала сравнимой с квантовой эффективностью арсенида галлия и других сложных полупроводников, традиционно используемых для производства светоизлучающих диодов.

Возможность обработки и электронных, и оптических сигналов в рамках одной микросхемы открывает чрезвычайно широкие возможности перед разработчиками радиоэлектронных устройств. При этом удастся использовать для их производства уже имеющиеся производственные мощности и оборудование, так что вполне возможно, что массовое производство новых полупроводниковых устройств развернется уже в самое ближайшее время.

www.cnews.ru