Samsung представила 8 Гбит микросхемы NAND-флэш памяти
 

Южнокорейская компания Samsung представила первые 8 Гбит микросхемы NAND-флэш памяти, построенные с применением 60-нанометровой технологии. Анонсированные чипы позволяют создавать флэш-карты емкостью до 16 Гб. Этого, теоретически, должно хватить для хранения примерно 4000 часов музыки в формате МР3 или 16 часов DVD-видео. Примечательно, что с выпуском 8 Гбит микросхемы NAND-флэш Samsung продолжила тенденцию ежегодного увеличения емкости соответствующих модулей в два раза. В частности, в 1999 году был продемонстрирован 256 Мбит чип, в 2000 – 512 Мб микросхема, в 2001 – 1 Гбит модуль. В 2002 и 2003 годах появились 2 Гбит и 4 Гбит микросхемы соответственно. Следует также добавить, что, по прогнозам аналитиков фирмы iSuppli, мировой рынок NAND-флэш памяти к концу 2005 года достигнет объема в $9,9 млрд. Для сравнения, расчетный объем продаж NAND-чипов в этом году составит порядка $7,2 млрд. Что касается самой Samsung, то компания из года в год демонстрирует стабильный рост NAND-флэш бизнеса. Так, в 2001 году доходы Samsung в соответствующем сегменте рынка составили $400 млн., а в 2003 году – уже $2,2 млрд. Таким образом, Samsung является одним из лидеров сектора NAND-флэш памяти.

Оригинал

Мировой рынок памяти: ожидание контрактных цен

Как и предполагалось, трейдеры снизили спекулятивную активность, предполагая, что в ближайшее время спотовый рынок будет стабильным: во-первых, производители памяти перестали осуществлять массовый сброс микросхем на рынок, а, во-вторых, спрос на компоненты в США и Китае может сохраниться еще несколько дней, поскольку в первой половине месяца покупатели приобретали только те объемы, которые были им необходимы для выполнения текущих заказов, а впереди – достаточно затяжные новогодние каникулы.

Пока ожидания оправдываются: на Тайване цена маркеров, 256 Мбит (32x8) компонентов DDR 266/333/400 SDRAM составляет 3,65/3,85 и 4,03 доллара, изменение с последних торгов — +0,16/+0,07 и +0,24%. Обращает на себя внимание низкий темп роста цен компонентов DDR333 SDRAM. Похоже, это – «эхо» существовавшего стабильно высокого спроса на этот тип памяти в течение последних нескольких недель (когда цена DDR333 превышала цену DDR400 SDRAM). Высокий спрос привел к увеличению поставок и избыточному насыщению рынка, но пока в регионе переизбытка не зафиксировано.

http://www.ixbt.com/short/2k4-12/dramex-16-12.png

Чего не скажешь о Гонконгской бирже, где цена DDR333 SDRAM вчера опустилась на 0,78% — до 3,80 доллара. Цена 256 Мбит (32x8) компонентов DDR266/400 SDRAM выросла на 0,54 и 1,01% — до 3,70 и 4,02 доллара. Подобная разница в направлении изменения цен вполне укладывается в рамки «региональных флюктуаций». Стоит отметить, что на гонконгский спотовый рынок прибыла новая партия оригинальных модулей, причем, в объемах, которые вчера поспособствовали серьезному снижению цен:

http://www.ixbt.com/short/2k4-12/face-16-12.png

Это явление носит также исключительно региональный характер, а обозреватели продолжают придерживаться точки зрения о том, что участники рынка будут удерживать цены на текущем уровне минимум до обновления контрактных цен.

Источник:http://www.ixbt.com/news/news.php?id=111826