Показать сообщение отдельно
Старый 02.10.2003, 11:03     # 2
list_id
Member
 
Аватар для list_id
 
Регистрация: 18.10.2002
Адрес: 50°53’ с.ш. 42°51’ в.д.
Пол: Male
Сообщения: 353

list_id Популярный человек на этом форумеlist_id Популярный человек на этом форумеlist_id Популярный человек на этом форумеlist_id Популярный человек на этом форумеlist_id Популярный человек на этом форумеlist_id Популярный человек на этом форумеlist_id Популярный человек на этом форуме
Cool

Вот ещё статейка->
Самое интересное = это "выпуск чипов будет с применением 45-нм!"

Биполярные кремний-германиевые транзисторы IBM сэкономят до 80% электроэнергии

IBM представила прототипы чипов, построенных на новом виде биполярных кремний-германиевых транзисторов и, как утверждается, потребляющих в пять раз меньше электроэнергии по сравнению с используемыми в настоящее время чипами для беспроводных коммуникаций.

Чип, детали которого IBM представила на Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting в Тулузе, состоит из тонкого слоя SiGe на SOI (Кремний-Окисел-Диэлектрик)-подложке.

Ожидается, что выпуск чипов будет освоен с применением 65 и, в дальнейшем, 45-нм норм. Компания прогнозирует, что новые чипы можно будет увидеть в коммерческих продуктах уже через пять лет.

gotfrom
__________________
LisT [#ls -AcFlt --color=never --full-time]
list_id вне форума