В ноябре 2003 года корпорация Intel объявила о создании первых микросхем SRAM (static random access memory) емкостью 4 Мбит на базе 65-нанометровой производственной технологии. И вот сейчас Intel на базе этой новейшей технологии представляет первые полнофункциональные микросхемы памяти стандарта SRAM емкостью 70 Мбит, содержащие более 0,5 млрд. транзисторов. Тем самым Intel продолжает выполнять свой план по разработке новой производственной технологии каждые 2 года в соответствии с законом Мура. Транзисторы в полупроводниковых микросхемах, изготавливаемых по новой 65-нанометровой технологии (нанометр – одна миллиардная часть метра), имеют затворы (переключатели, включающие и выключающие транзисторы) размером 35 нм, что приблизительно на 30\% меньше, чем при производстве по 90-нанометровой технологии. Для сравнения, на диаметре красного кровяного тельца человека можно разместить около 100 таких затворов. Новая производственная технология увеличивает количество крошечных транзисторов, помещающихся на одной микросхеме, и дает корпорации Intel основу для создания процессоров будущего, содержащих несколько ядер, а также возможность разработки инновационных функций для новых моделей продукции, в том числе функций виртуализации и безопасности. В 65-нм технологии также используются 8 промежуточных слоев из меди и диэлектрический материал с низким коэффициентом проводимости (low-k-диэлектрик), увеличивающих скорость передачи сигнала в микросхеме и сокращающий энергопотребление. Также корпорация Intel включила в микросхемы SRAM на базе 65-нанометровой производственной технологии так называемые транзисторы сна (sleep transistors). Транзисторы сна отключают подачу тока на большие блоки памяти SRAM, когда они не используются, что значительно снижает энергопотребление микросхемы. Эта функция особенно полезна для устройств с питанием от батареи, например, для мобильных ПК. Дополнительную информацию, посвященную полупроводниковым технологиям, можно найти на сайте корпорации Intel по адресу
http://www.intel.com/research/silicon.