Показать сообщение отдельно
Старый 22.09.2004, 15:22     # 1
Бероэс
XxX password 2004
 
Аватар для Бероэс
 
Регистрация: 13.05.2004
Адрес: Россия, Санкт-Петербург
Сообщения: 1 641

Бероэс Имеются все основания чтобы гордиться собойБероэс Имеются все основания чтобы гордиться собойБероэс Имеются все основания чтобы гордиться собойБероэс Имеются все основания чтобы гордиться собойБероэс Имеются все основания чтобы гордиться собойБероэс Имеются все основания чтобы гордиться собойБероэс Имеются все основания чтобы гордиться собойБероэс Имеются все основания чтобы гордиться собойБероэс Имеются все основания чтобы гордиться собойБероэс Имеются все основания чтобы гордиться собойБероэс Имеются все основания чтобы гордиться собой
Samsung представила 8 Гбит микросхемы NAND-флэш памяти

Южнокорейская компания Samsung представила первые 8 Гбит микросхемы NAND-флэш памяти, построенные с применением 60-нанометровой технологии. Анонсированные чипы позволяют создавать флэш-карты емкостью до 16 Гб. Этого, теоретически, должно хватить для хранения примерно 4000 часов музыки в формате МР3 или 16 часов DVD-видео. Примечательно, что с выпуском 8 Гбит микросхемы NAND-флэш Samsung продолжила тенденцию ежегодного увеличения емкости соответствующих модулей в два раза. В частности, в 1999 году был продемонстрирован 256 Мбит чип, в 2000 – 512 Мб микросхема, в 2001 – 1 Гбит модуль. В 2002 и 2003 годах появились 2 Гбит и 4 Гбит микросхемы соответственно. Следует также добавить, что, по прогнозам аналитиков фирмы iSuppli, мировой рынок NAND-флэш памяти к концу 2005 года достигнет объема в $9,9 млрд. Для сравнения, расчетный объем продаж NAND-чипов в этом году составит порядка $7,2 млрд. Что касается самой Samsung, то компания из года в год демонстрирует стабильный рост NAND-флэш бизнеса. Так, в 2001 году доходы Samsung в соответствующем сегменте рынка составили $400 млн., а в 2003 году – уже $2,2 млрд. Таким образом, Samsung является одним из лидеров сектора NAND-флэш памяти.

Оригинал
Бероэс вне форума