В Ibm разместили биполярные и полевые транзисторы на одном чипе - HiTech - новости и новинки компьютерного мира

georgebukki · 01.10.2003, 19:51

Исследовательское подразделение корпорации IBM сообщило о новом успехе в сфере создания перспективных микросхем. Специалистам по полупроводниковым технологиям удалось разместить на одной и той же подложке биполярные и полевые (КМОП-) транзисторы. Стоит отметить, что полевые транзисторы, используются во всех современных процессорах, чипах памяти и других микросхемах, основным предназначением которых являются вычисления. Биполярные транзисторы на базе кремний-германиевой технологии используются в системах связи для усиления сигналов, подавления шумов и т.п.

В силу ряда различий между этими транзисторами, разместить их на одном чипе до сих не удавалось, поэтому в беспроводных устройствах всегда применялись отдельные микросхемы контроллеров, выполненные по КМОП-технологии, и радиочастотные чипы на базе биполярных транзисторов. В IBM нашли способ преодолеть это ограничение, сумев разместить биполярный кремний-германиевый транзистор на подложке, выполненной по технологии "кремний-на-изоляторе" (SOI) и пригодной для размещения полевых транзисторов.

Электроны, поступающие с поликристаллического кремниевого эмиттера, разгоняются на кремний-германиевой базе, а затем проходят через слой размещенного на изоляторе кремния к коллектору. Если к схеме прилагается малое или нулевое напряжение, путь тока достаточно велик (розовая стрелка), и схема может использоваться в системах высокой мощности. Если же на чип подать высокое напряжение, путь тока уменьшится (зеленая стрелка), и чип сможет работать в высокоскоростных системах.

Прототип биполярного транзистора на SOI-подложке был продемонстрирован специалистами IBM на конференции Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, проходящей в Тулузе, во Франции. IBM обещает освоить технологию в промышленном масштабе в течение пяти лет. В результате, на рынке должны появится универсальные чипы, с помощью которых энергопотребление модулей радиосвязи удастся уменьшить в пять раз по сравнению с современными системами. Глава полупроводникового подразделения IBM Research Гхавам Шахиди отметил в интервью Reuters, что чипы будут выпускаться по 65- или даже 45-нанометровой технологии.

list_id · 02.10.2003, 11:03

Вот ещё статейка->
Самое интересное = это "выпуск чипов будет с применением 45-нм!"

Биполярные кремний-германиевые транзисторы IBM сэкономят до 80% электроэнергии

IBM представила прототипы чипов, построенных на новом виде биполярных кремний-германиевых транзисторов и, как утверждается, потребляющих в пять раз меньше электроэнергии по сравнению с используемыми в настоящее время чипами для беспроводных коммуникаций.

Чип, детали которого IBM представила на Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting в Тулузе, состоит из тонкого слоя SiGe на SOI (Кремний-Окисел-Диэлектрик)-подложке.

Ожидается, что выпуск чипов будет освоен с применением 65 и, в дальнейшем, 45-нм норм. Компания прогнозирует, что новые чипы можно будет увидеть в коммерческих продуктах уже через пять лет.

gotfrom

georgebukki · 02.10.2003, 11:32

list_id
Пасиб за дополнение

01.10.2003, 19:51	# 1
georgebukki ::VIP:: Регистрация: 16.03.2002 Адрес: Jerusalem Сообщения: 1 132	В Ibm разместили биполярные и полевые транзисторы на одном чипе Исследовательское подразделение корпорации IBM сообщило о новом успехе в сфере создания перспективных микросхем. Специалистам по полупроводниковым технологиям удалось разместить на одной и той же подложке биполярные и полевые (КМОП-) транзисторы. Стоит отметить, что полевые транзисторы, используются во всех современных процессорах, чипах памяти и других микросхемах, основным предназначением которых являются вычисления. Биполярные транзисторы на базе кремний-германиевой технологии используются в системах связи для усиления сигналов, подавления шумов и т.п. В силу ряда различий между этими транзисторами, разместить их на одном чипе до сих не удавалось, поэтому в беспроводных устройствах всегда применялись отдельные микросхемы контроллеров, выполненные по КМОП-технологии, и радиочастотные чипы на базе биполярных транзисторов. В IBM нашли способ преодолеть это ограничение, сумев разместить биполярный кремний-германиевый транзистор на подложке, выполненной по технологии "кремний-на-изоляторе" (SOI) и пригодной для размещения полевых транзисторов. Электроны, поступающие с поликристаллического кремниевого эмиттера, разгоняются на кремний-германиевой базе, а затем проходят через слой размещенного на изоляторе кремния к коллектору. Если к схеме прилагается малое или нулевое напряжение, путь тока достаточно велик (розовая стрелка), и схема может использоваться в системах высокой мощности. Если же на чип подать высокое напряжение, путь тока уменьшится (зеленая стрелка), и чип сможет работать в высокоскоростных системах. Прототип биполярного транзистора на SOI-подложке был продемонстрирован специалистами IBM на конференции Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, проходящей в Тулузе, во Франции. IBM обещает освоить технологию в промышленном масштабе в течение пяти лет. В результате, на рынке должны появится универсальные чипы, с помощью которых энергопотребление модулей радиосвязи удастся уменьшить в пять раз по сравнению с современными системами. Глава полупроводникового подразделения IBM Research Гхавам Шахиди отметил в интервью Reuters, что чипы будут выпускаться по 65- или даже 45-нанометровой технологии. __________________ Не яйца красят человека, а человек яйца.

02.10.2003, 11:03	# 2
list_id Member Регистрация: 18.10.2002 Адрес: 50°53’ с.ш. 42°51’ в.д. Пол: Male Сообщения: 353	Вот ещё статейка-> Самое интересное = это "выпуск чипов будет с применением 45-нм!" Биполярные кремний-германиевые транзисторы IBM сэкономят до 80% электроэнергии IBM представила прототипы чипов, построенных на новом виде биполярных кремний-германиевых транзисторов и, как утверждается, потребляющих в пять раз меньше электроэнергии по сравнению с используемыми в настоящее время чипами для беспроводных коммуникаций. Чип, детали которого IBM представила на Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting в Тулузе, состоит из тонкого слоя SiGe на SOI (Кремний-Окисел-Диэлектрик)-подложке. Ожидается, что выпуск чипов будет освоен с применением 65 и, в дальнейшем, 45-нм норм. Компания прогнозирует, что новые чипы можно будет увидеть в коммерческих продуктах уже через пять лет. gotfrom __________________ LisT [#ls -AcFlt --color=never --full-time]

02.10.2003, 11:32	# 3
georgebukki ::VIP:: Регистрация: 16.03.2002 Адрес: Jerusalem Сообщения: 1 132	list_id Пасиб за дополнение __________________ Не яйца красят человека, а человек яйца.