DDR, DDR2, DDR3...

[grogi]

Samsung: ситуация на рынке памяти DDR2
— BESS! @ 07:46
По состоянию на середину января цены на память DDR2 продолжают свой рост, который, как ожидается, продлится еще некоторое время и компании-производители, Samsung и Hynix продолжают увеличивать свои контрактные цены на память DDR2, которые выше цен DDR-модулей.

Как сообщается, производители DRAM-памяти начали сокращать продажи DDR2 и NAND флэш-памяти с сентября 2005 с целью улучшить ситуацию с производством DDR2-модулей на фоне их вялых продаж. В последнее время спрос несколько увеличился и компания прекратила работу по такой схеме, а ее "коллеги по цеху" должны пойти вслед за лидером рынка.

По мнению исследовательской фирмы InSpectrum такие специальные предложения привели к снижению запасов DDR2 SDRAM на складах до нормального уровня. Кроме того, OEM-производители увеличивают закупки DDR2, а некоторые поставщики в Китае начинают закупать DDR2 для клонового рынка, опережая расписание.

Увеличившийся спрос и снижение объема поставок привели к подавлению DDR2 рынка после его роста и компании Samsung и Hynix продолжат увеличивать контрактные цены во второй половине этого месяца, в то время как цена на DDR память должна будет упасть.

По данным InSpectrum средняя цена на 512 Мбит DDR2 533 во второй половине январе должна установиться на уровне 4,08 долл., что выше на 2,51%, чем в первой половине месяца. Цена на 256 Мбит DDR 400 упадет на 2% и составит 2 долл.

Тайваньские производители модулей памяти считают, что объемы поставок DDR2 в январе должны увеличиться на 15-20%.

Источник: DigiTimes

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Все проблемы с DRAM - в том, что ее слишком много…
— Archont @ 14:22
Как сообщает источник со ссылкой на DRAMeXchange, хотя в декабре и наблюдалось небольшое снижение объемов производства оперативной памяти (DRAM), по сравнению с прошлым годом памяти производится в полтора раза больше – на 51,6%, в пересчете на 256-Мбит эквивалентные чипы, коих за месяц было поставлено 680,5 млн. Наблюдается также ускоренный переход на производство DDR2, скорость роста которого в 20 раз выше, чем была в свое время скорость роста выпуска DDR.

Итак, по данным DRAMeXchange, мировой выпуск DRAM в декабре упал по сравнению с предыдущим месяцем на 3,34% - впервые с июля. Наблюдатели связывают это с переводом части производственных мощностей на выпуск NAND флэш-памяти.
http://www.ixbt.com/short/2k6-01/DDR_DDR2.jpg
В конце 2005 года рост выпуска DDR2 составил 212,7% по сравнению с 2004 годом – до 237 млн. 256-Мбит эквивалентных микросхем в месяц. Производство DDR SDRAM, в свою очередь, выросло лишь на 10% - до 347 млн.

Источник: Digi Times

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Память Kingmax для ноутбуков Intel
23/01/2006 16:47, Алексей Талан
Компания Kingmax объявила о начале продаж модулей памяти с красивым названием Venus, ориентированную на новую мобильную платформу Intel с 667 МГц FSB. ОЗУ является 333 МГц (667) DDR2 SO-DIMM, включает технологию ODT (on-die-termination), минимизирующую интерференционные шумы и предназначена для ноутбуков. Стоит отметить отсутствие свинца в электронных схемах модулей, что соответствует современным экологическим стандартам.
http://3dnews.ru/_imgdata/img/2006/01/21/12879.jpg
Технические характеристики Venus:
200 контактная 667 DDR2;
Задержки: 5-5-5-15;
Напряжение питания: 1,8 В;
Ёмкость: 256 Мб, 512 Мб, 1 Гб;
Пожизненная гарантия.

Оптимальные модули памяти DDR2
23/01/2006 20:11, Марат Габитов
Системные платы для последних процессоров Intel Pentium все чаще используют модули памяти стандарта DDR2, так что на рынке этот тип памяти представлен весьма широко, да и цена на них существенно снизились за последние месяцы. Компания с длинным названием Optimum Care International (OCI) представила целых три линейки новых модулей памяти емкостью от 256 Мб до 1 Гб, которая отличается различными таймингами и частотами работы.
http://3dnews.ru/_imgdata/img/2006/01/22/12882.jpg
http://3dnews.ru/_imgdata/img/2006/01/22/12883.jpg
Модули работают на частоте 533 или 667 МГц, а тайминги их либо 4-4-4-14 либо 5-5-5-15. Планки памяти оснащаются теплораспределителем для лучшего отвода тепла от чипов. Приблизительная стоимость новинок и доступной на территории нашей страны остаются неизвестными.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Небольшое тестирование памяти...
"Вот однажды взял себе домой 4 плаки памяти Хуникс (у самого Патриот стояла), а то дескать говорят хорошая дешовая оверклокерская память. Вот 4 планки по 512Мб односторонние маркировки такие Hynix 550A HY5DU12822CTP-D43 KOR и такая Hynix 548A HY5DU12822CTP-D43 KOR и шильдики на них такие маленькие желтенькие с надписью "512 Mb Test OK" и тех и других было по паре...."

[grogi]

OCZ представляет модули DDR2 для оверклокеров
01/02/2006 16:31, Алексей ТаланКомпания
OCZ Technology представила очередной модуль ОЗУ DDR2 для оверклокеров и энтузиастов - PC2-6400 EL Platinum Edition XTC. Новинка включает уже применявшийся компанией радиатор OCZ XTC (Xtreme Thermal Convection) с сотами, отводящими горячий воздух от микросхем из недоступных при традиционных методах охлаждения мест, так называемых "мёртвых зон".
В продажу модули ёмкостью 512 Мб поступят в комплекте для двухканального режима (две микросхемы 512 Мб) и обычном. Интересно, что по условиям гарантии компания позволяет изменять напряжение питания на чипах до 2,2 В +5%.
http://3dnews.ru/_imgdata/img/2006/01/31/13311.jpg
Технические характеристики PC2-6400 EL Platinum Edition XTC:

800 МГц DDR2
Задержки: CAS 4 TRCD 5 TRP 4 TRAS 15;
Небуферизованная;
Пожизненная гарантия;
240-контактный корпус;
Напряжение питания 2,1 В;
Маркировка: OCZ2P800512.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Память Corsair XMS-3200C2 XPERT специально для геймеров
03 февраля 2006, 08:40
Корпорация Corsair представила модули памяти DDR XMS-3200C2 XPERT объемом 2 Гб. Память позиционируется на энтузиастов и тех, кому необходима высокая производительность. Corsair утверждает, что модули сочетают качество и высокую функциональность.
http://www.thg.ru/technews/images/20060202-corsair1.jpg
Память, на которую распространяется пожизненная гарантия, стабильно работает на частотах 400 МГц при 2.75В с задержками 2-3-3-6. XMS-3200C2 XPERT выполнен в виде 184-пинового DDR модуля. Большой объем в сочетании с низкими таймингами призван обеспечить комфортную работу в самых требовательных приложениях. В частности в игре Battlefield2, требующей не только больших объемов памяти но и ее быстрой работы, удалось достигнуть 30% прироста.
http://www.thg.ru/technews/images/20...ert_ddr400.jpg
Особенностью памяти так же является встроенный микро-контроллер и сенсор, отслеживающие вольтаж, температуру и частоту работы модуля. Каждый из этих параметров выводится на специальный дисплей, прилагающийся к модулю.

(C)_www.thg.ru

[grogi]

DDR2 800 с сотовой системой охлаждения
06 февраля 2006, 18:40
OCZ Technology, изготовитель модулей памяти, сообщила на этой неделе, что ее новые модули DDR2, работающие на частоте 800 МГц, будут использовать недавно представленную "сотовую" систему охлаждения. Представленные модули предназначены для энтузиастов и оверклокеров, компьютеры которых работают на пределах возможного.
http://www.thg.ru/technews/images/20060204-logo.gif
Модули памяти OCZ DDR2 PC2-6400 Platinum Enhanced Latency XTC сертифицированны для работы на частоте 800 МГц с задержками CL4 5-4-15 и напряжением 2.1 В. OCZ гарантирует, что напряжение памяти может быть увеличено до 2.2 В без потери гарантии, что означает, что эти модули, вероятно, будут иметь некоторый дополнительный разгонный потенциал, поскольку увеличенное напряжение обычно позволяет повышать частоту работы памяти.
http://www.thg.ru/technews/images/20...atency_xtc.jpg
Система охлаждения XTC (extreme thermal convection) производится из алюминия. OCZ утверждает, что дизайн системы охлаждения, выполненый подобно пчелиным сотам, имеет большую площадь поверхности, чем обычные теплораспределители, а интенсивная перфорация позволяет естесственному потоку воздуха отводить тепло более эффективно. Компания не сообщила, насколько XTC эффективнее обычных теплораспределителей. Размер перфораций, высота и толщина теплораспределителя должны быть очень хорошо сбалансированы для эффективной работы, это означает, что OCZ затратила немало усилий, разрабатывая эту систему охлаждения.
В то же время, новые модули PC2-6400 Platinum Enhanced Latency XTC не предлагают более высокой производительности в сравнении с OCZ PC2-6400 Enhanced Bandwidth Platinum, которые могут похвастаться более агрессивными таймингами CL4 3-3-8.
http://www.thg.ru/technews/images/20...atency_xtc.jpg
Отметим также, что модули памяти, способные работать на номинальных частотах за пределами отметки в 667 МГц, разработаны прежде всего для оверклокеров, так как современные чипсеты, официально не поддерживают частоты памяти более 667MHz.

Новая память OCZ DDR2 PC2-6400 PEL XTC доступна в модулях 512 МБайт и наборах емкостью 1 ГБайт, состоящих из двух 512 МБайтных планок двухканальной памяти.

(C)_www.thg.ru

Nantero: оперативная память на нанотрубках в продаже уже в 2007 году
— BlackCat @ 14:57
Компания Nantero объявила о том, что ею ведется разработка нового типа памяти по технологии углеродных нанотрубок (carbon nanotube, CNT). Благодаря такому решению, заявляет производитель, компьютер будет загружаться практически мгновенно, потребляя при этом меньше электроэнергии и выделяя существенно меньше тепла.

Технологии CNT уделяется всё большее внимание со стороны ведущих производителей - компания Motorola работает над топливными элементами, изготовленными с её использованием, Fujitsu планирует охлаждать полупроводники при помощи нанотрубок, Infineon и Intel ведут разработки, в области задействующих нанотрубки транзисторов, жидкокристаллические дисплеи будущего также будут использовать CNT.

Nantero, впрочем, стала первой компанией, которая объявила о том, что выпустит готовую продукцию, произведенную с использованием CNT, которую можно будет купить уже в 2007 году. Президент компании, Грэг Шмергель (Greg Schmergel) сказал, что первым продуктом этой области будет память, объединяющая скорость SRAM со способностью сохранять данные при отключенном питании флэш-памяти. Жизненный цикл памяти такого типа будет многократно превышать то количество циклов записи/стирания, которое свойственно флэш-накопителям. Принцип работы такой памяти заключается в следующем: углеродные нанотрубки находятся в виде суспензии над электродами. Электрические заряды изменяют позицию нанотрубок в двух положениях, каждое из которых определяет значение бита информации, записанной в память. После отключения питания трубки останутся в заданном положении, удерживаемые на молекулярном уровне.

К сожалению, не было приведено точных данных о плотности и скоростных характеристиках чипов CNT-памяти, однако было заявлено о 2 млрд. циклов чтения/записи в секунду. При этом обещается полная совместимость с существующими материнскими платами.

Заметим, что непосредственно Nantero не имеет своего производства, а лишь намерена закупать нанотрубки у сторонних производителей, занимаясь только их упаковкой в чипы. В настоящий момент компания уже имеет рабочие образцы, проходящие испытания. Что же касается цены на принципиально новые модули памяти, то здесь Шмергель также воздержался от конкретики, сказав, что она будет немногим выше, чем на традиционные решения.

Источник: TGDaily

(C)_www.ixbt.com

dd2 не на ем будет полным потенциалом пока. Когда оно amd finnally поддержит использующ его с там C P U

[grogi]

Создана память, работающая при напряжении питания 0,4 В
— Accent @ 18:59
Снижение потребления энергии является на протяжении многих лет одним из основных направлений работы исследователей, создающих новые полупроводниковые приборы. Благодаря их усилиям в нашем распоряжении оказались сотовые телефоны, персональные проигрыватели и другая портативная электроника, по автономности соперничающая с самыми смелыми ожиданиями писателей-фантастов прошлого века.

Поскольку практически все мобильные устройства содержат в своем составе память, снижение напряжения питания памяти - один из ключей к новым достижениям в миниатюризации устройств и увеличении времени их автономной работы.

Исследователям компании Texas Instruments и Массачусетского технологического института (Massachusetts Institute of Technology, MIT) удалось создать статическую память (SRAM), которая, как они утверждают, является наиболее низковольтной памятью этого типа в отрасли на данный момент.

Выполненные по 65-нм технологии 256-килобитные чипы работают от источника напряжением 0,4 В.

Ячейка новой памяти отличается от существующих образцов, работающих от напряжения 0,6 В, значительно пониженным током утечки - в 2,25 раза. Сообщается, что ячейка построена из 10 транзисторов, а не из 6, как ранее. Важным фактором в уменьшении энергопотребления стало усовершенствование структуры транзистора.

Ожидается, что разработка откроет дорогу сверхнизковольтным приборам, изготавливаем по 45-нм технологии.

Источник: EE Times

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

Суперталантливая память DDR2
17/02/2006 15:43, Алексей Талан
Малоизвестная у нас компания с нескромным названием Super Talent Technology анонсировала набор небуферизованной памяти DDR2 для двухканального режима. Продукт маркирован T800UX2GC4 и включает два 1 Гб модуля DDR2 800 PC2-6400 в конфигурации 128M x 64. Как заявляет производитель, каждый комплект чипов тестируется на совместимость в двухканальном режиме при 800 МГц и задержках 4-3-4-8.
http://3dnews.ru/_imgdata/img/2006/02/16/14123.jpg
Ориентирована память, как нетрудно догадаться, на энтузиастов и оверклокеров. Компания обеспечивает пожизненную гарантию и уже начала распространение комплекта. Стоимость новинки не указывается.

Transcend представила модули памяти DDR2-533 Mini-DIMM
17/02/2006 20:13, Александр Харьковский
Transcend представила 244-контактные регистровые модули памяти DDR2-533 Mini-DIMM емкостью 256 Мб и 512 Мб (TS32MNQ72V5M / TS64MNQ72V5J). Новые модели позиционируются для применения в серверах высокого уровня, сетевых системах и промышленных компьютерах. По информации производителя, дизайн шестислойных печатных плат модулей позволяет обеспечить соответствие самым строгим спецификациям за счет минимального уровня шума и оптимизированной топологии соединений.
http://3dnews.ru/_imgdata/img/2006/02/17/14156.jpg
Transcend утверждает также, что представленные модули памяти способны обеспечить уровень надежности, необходимый для самых ответственных приложений, не осталась без внимания также оптимизация энергопотребления и тепловыделения. Память Transcend проходит жесткое лабораторное тестирование, отличается высокой совместимостью, обеспечивается пожизненной гарантией, и при этом, как заявляет компания, является лучшим выбором по уровню цены за столь высокое качество.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

OCZ PC-4000 1 Gb: быстрая память для высокой производительности!
28 февраля 2006, 16:11
Компания OCZ, производитель памяти, сегодня анонсировала модули PC-4000 с таймингами 3-3-3-8. Устройства, работающие на частоте 500 MHz примкнут к линейке Platinum XTC. В продаже же будет доступно два варианта: простые модули по 1 Гб, и комплекты из двух таках модулей, для использования двухканального режима.
http://www.thg.ru/technews/images/oc...000-280206.jpg
Обратите внимание на радиаторы Xtreme Thermal Convection на модулях, они призваны еще лучше охлаждать память, при этом, из-за решетчатого дизайна, холодный воздух будет лучше охлаждать сами чипы памяти.

Цены, на данный момент, официально названы не были, но, предположительно, они не будут сильно отличаться от цен на предыдущие PC-4000 устройства, которые можно приобрести по $150 за модуль. Комплект из двух модулей стоит, соответственно, $300.

(С)_www.thg.ru

[P@trick]

SiS будет выпускать модули памяти
Lexagon / 01.03.2006 11:35 / ссылка на материал / версия для печати

Возникший во второй половине прошлого года дефицит недорогих чипсетов для платформы Intel мог позволить компании SiS увеличить продажи собственных наборов системной логики. Согласно озвученной в тот момент информации, SiS даже пыталась найти дополнительные производственные мощности. Теперь же Intel возвращается в сегмент недорогих чипсетов для собственных процессоров, и попытки отхватить кусочек от её "пирога" будут в той или иной степени обречены на неудачу.

Как сообщает сайт DigiTimes со ссылкой на китайские СМИ, компания SiS собирается учредить подразделение по производству модулей оперативной памяти. SiS уже приобрела оборудование для тестирования модулей памяти, после одобрения качества продукции со стороны вероятных покупателей будет налажено массовое производство. Продажи модулей памяти производства SiS начнутся во второй половине этого года. Первоначально подразделение сконцентрируется на производстве памяти типа DDR2-533, DDR2-667, DDR2-800 и DDR 400. Эта память найдёт применение как в настольных системах (DIMM), так и в ноутбуках (SO-DIMM). Очевидно, SiS будет поставлять модули памяти преимущественно на OEM-рынок.

Сейчас SiS ищет поддержку со стороны головной компании UMC и родственных структур в виде персонала и производственных мощностей, чтобы скорее развернуть выпуск модулей памяти.

источник _ overclockers.ru

[grogi]

DDR500 от OCZ - новинка от оверклокерского бренда
01/03/2006 17:49, Евгений Яковина
Известная «оверклокерская» компания OCZ в очередной раз решила порадовать компьютерных энтузиастов выпуском новой оперативной памяти DDR500 c небольшими задержками. Пока анонс Socket AM2 не состоялся и DDR II интересна лишь поклонникам продукции Intel, чипы DDR пользуются не малым спросом.
http://3dnews.ru/_imgdata/img/2006/02/28/14781.jpg
Сегодня список оверклокерских модулей пополнился еще одним именем PC-4000 EL DDR Platinum XTC 1GB. Как уже стало понятно, новинка работает на частоте 500 МГц, а тайминги, прописанные в SPD, составляют 3-3-3-9. Конечно, это лишь режим «по умолчанию», достигаемый большинством модулей DDR400 от Hynix и Samsung в разгоне, но, зная нешуточные результаты, достигаемые продукцией компании в области разгона, следует предположить, что модель придется «по вкусу» многим энтузиастам, выбравших системы на базе процессоров AMD. По крайней мере, сейчас.

В продаже память будет представлена двумя планками по 1 Гб. К сожалению, о цене новинки источник не сообщил.

(C)_3dnews.ru

Выбираем память DDR2 для разгона: тесты 16 DIMM
"Мы отобрали модули DDR2 DIMM от 16 производителей, чтобы проверить их производительность, способность работы на низких задержках и, конечно же, потенциал разгона. Результаты оказались весьма любопытными. Какие же модули DDR2 мы порекомендуем нашим читателям?"

[grogi]

CeBIT 2006: самые быстрые DDR1/DDR2 модули от Corsair
09/03/2006 14:10, Александр Фомин
Калифорнийская компания Corsair Memory собирается подтвердить свою репутацию производителя наиболее быстрых модулей памяти на рынке. На выставке CeBIT 2006 будут представлены два новых продукта: TWIN2X1024-8500 для платформы Intel и TWINX2048-4400PRO для AMD платформы.
http://3dnews.ru/_imgdata/img/2006/03/07/15058.jpg
Двухканальный набор модулей емкостью по 512 Мб TWIN2X1024-8500 работает на штатной частоте 1066 МГц, которая еще не достигалась официально.TWINX2048-4400PRO работает на частоте 550 МГц, которая также является штатной. Впечатляющий результат для 2Гб-набора достигнут благодаря чипам Infineon (ревизия C), с которой недавно Corsair наладила тесное взаимодействие. Модули позволяют работать на частоте в 500 МГц при CL3 и 1T.

Модули памяти снабжены фирменными теплораспределителями с возможностью светодиодной индикации активности. Ну и традиционно все продукты Corsair имеют пожизненную гарантию производителя.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Исследование основных характеристик модулей памяти DDR. Часть 6:
Модули G.Skill DDR-500
"Исследованные модули памяти G.Skill DDR-500 суммарным объемом 2 ГБ обладают умеренными скоростными характеристиками и умеренным разгонным потенциалом по таймингам — минимальные значения таймингов, которые удалось достичь в режиме DDR-400, составляют всего 2.5-3-3-5. Учитывая, что модули памяти DDR большого объема является новым направлением — как для данного производителя, так и для индустрии в целом, можно ожидать, что в дальнейшем мы сможем увидеть модули такого типа, обладающие лучшими характеристиками."

Консорциум QDR принял спецификации памяти QDRII+ и DDRII+
— Accent @ 12:12
В 1999 году был образован консорциум QDR, целью которого стала совместная выработка нового семейства архитектур памяти SRAM (static random access memory - статическая оперативная память), ориентированной на применение в средствах связи. В настоящее время QDR объединяет компании Cypress, IDT, NEC Electronics, Renesas и Samsung. Участники QDR разрабатывают конкретные модели памяти по собственным графикам и производят продукцию на собственных производственных мощностях, продолжая оставаться конкурентами на рынке.

На днях было объявлено о выходе полных спецификаций памяти SRAM Quad Data Rate II+ (QDRII+) и Double Data Rate II+ (DDRII+). Они обеспечивают работу памяти на частоте до 500 МГц, что позволит повысить скорость на 50% по сравнению с существующими моделями, в которых использована архитектура QDRII и DDRII. Пропускная способность QDRII+ и DDRII+ увеличена до 72 Гбит/с. Новая память предназначена для использования в сетевых коммутаторах, маршрутизаторах и другом коммуникационном оборудовании. По конструктивным и электрическим параметрам новая память совместима с существующими образцами QDRII и DDRII. В частности, унаследован 165-выводный корпус типа FBGA (Fine-pitch Ball Gate Array).

Участники консорциума полагают, что первые образцы памяти QDRII+ и DDRII+ появятся во втором квартале текущего года.

Источник: Cypress Semiconductor Corporation

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

СeBIT 2006: кое-что из новинок Kingmax
12/03/2006 09:08, Марат Габитов
Очередная выставка CeBIT уже стартовала, и многие компании делятся своими планами по анонсу новых продуктах. Компания Kingmax собирается продемонстрировать на выставке несколько своих новинок.
http://3dnews.ru/_imgdata/img/2006/03/09/15150.jpg
http://3dnews.ru/_imgdata/img/2006/03/09/15151.jpg
http://3dnews.ru/_imgdata/img/2006/03/09/15152.jpg
Разумеется, основное внимание модулям памяти: DDR2-667 MicroDIMM и DDR2-667 SO-DIMM для ноутбуков и DDR2-1066 для персональных компьютеров.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Nanya ожидает дальнейшего роста цен на DDR2-память
— Archont @ 14:47
Цены на оперативную память, начавшие расти в конце прошлого года, судя по всему, продолжают увеличиваться достаточно быстрыми темпами: Nanya прогнозирует увеличение контрактных цен DDR2-чипов в марте на 10%.

За первую неделю марта средневзвешенная цена микросхем DDR2 Nanya уже выросла на 20% по сравнению с февралем, в то время как цены на остальные типы памяти в целом – на 6%. Тайваньский вендор чипов памяти не видит причин для снижения цен в марте, отметив, что некоторые OEM-производители даже закупали дополнительные объемы DDR2-памяти по ценам выше ранее оговоренных. До конца марта средняя контрактная цена DDR2-памяти, как ожидается, вырастет еще на 10%. Стоимость 256-Мбайт модулей DDR2-533 Nanya сейчас составляет около 20 долларов.

Nanya ожидает, что количество заказов в апреле останется большим и нехватка DDR2-памяти продлится и в ближайшем будущем. Те же, кто ожидает снижения, полагают в компании, заблуждаются относительно наблюдающегося замедления спроса, связанного с ожиданием покупателями лучших условий и не советуют обращать внимание на флуктуации спотовых цен.

В апреле же спрос на DDR2-память подстегнут снижение стоимости процессоров Intel и появление на рынке процессоров AMD с поддержкой этого типа памяти. Таким образом, резюмируют представители компании, во второй половине этого года рынок DDR2-памяти будет стабильно расти.

Источник: The Digi Times

Samsung начинает массовое производство памяти DDR2 по нормам 80 нм
— Accent @ 10:08
Как стало известно, на фабриках Samsung начат массовый выпуск чипов DDR2 плотностью 512 Мбит с использованием 80-нм технологического процесса. Это позволяет говорить о том, что южнокорейская компания в очередной раз подтвердила ведущее положение на рынке памяти и располагает наиболее совершенным производством в отрасли.

По заявлению самой компании, переход от 90-нм норм к 80-нм позволил "увеличить отдачу производства на 50%".

В Samsung выбрали подходящий момент для наступления: как известно, памяти DDR2 не хватает, в то время как спрос на нее быстро увеличивается, что обеспечивает производителям повышенную прибыль. Слова руководителя подразделения, занятого маркетингом DRAM, Тома Трилла (Tom Trill) подтверждают эту мысль: "С учетом того, что потребность в DDR2 находится на максимальном уровне с момента дебюта этой памяти в 2004 году, наша 80-нм технология обеспечивает нам возможность более эффективно поддерживать непрерывное увеличение спроса, которое ожидается на рынке DDR2 в этом году".

По оценке Gartner Dataquest, в 2006 году доля чипов DDR2 составит более половины всего рынка динамической памяти с произвольным доступом.

Источник: AFP

CeBIT 2006: A-DATA показывает оверклокерскую память, FB-DIMM и флэш-память для фанатов футбола
— BlackCat @ 06:30
Довольно интересными продуктами был представлен на CeBIT 2006 стенд компании A-DATA, известного производителя DRAM и флэш-памяти.

Для любителей работы на запредельных скоростях компанией была представлена память DDR2 серии Vitesta 900+ и 1000+. Названия моделей представляют собой ничто иное, как рабочую частоту, на которой модули гарантировано работают. Комплекты Vitesta состоят из двух модулей объёмом 512 Мбайт/1 Гбайт каждый (суммарно - 1/2 Гбайт), протестированных производителем на работу в двухканальном режиме. 512-мегабайтные модули - односторонние и имеют конфигурацию чипов 64 Мбайт х 8, гигабайтные -двусторонние (64 Мбайт х 16).

Тайминги Vitesta 900+ составляют 5-5-5-12, для Vitesta 1000+ 5-5-5-15. Рабочее напряжение оверклокерской памяти A-DATA - 1,8 В и 2,2 В соответственно.
http://www.ixbt.com/news/digimage/bc...ta_cebit/1.jpg
Кроме того, A-DATA показала серийно выпускаемые ею образцы памяти с полной буферизацией FB-DIMM (Fully-Buffered DIMM), которые отличаются от обычной памяти возможностью увеличения суммарного объёма ОЗУ системы - до 32 Гб, повышенной пропускной способностью, уменьшенным размером (толщина модуля составляет 6,7 мм против обычных 9,8), а также наличием скоростной последовательной связи "от точки к точке" между контроллером и микросхемами памяти.
http://www.ixbt.com/news/digimage/bc...ta_cebit/2.jpg
Публике были показаны модули DDR2-533 (PC2-4200) и DDR2-667 (PC2-5300) объемом 512 Мбайт, 1 Гбайт и 2 Гбайт. В них использованы чипы памяти Samsung, Elpida и Hynix и микросхемы AMB (Advanced Memory Buffer - ключевой момент в технологии FB-DIMM) от Intel, IDT (Integrated Device Technology) и NEC.

В части флэш-накопителей компания продемонстрировала свою готовность к стартующему в июне чемпионату мира по футболу. A-DATA Football Disk при вполне стандартных характеристиках (128/256/512/1024/2048 Мбайт, USB 2.0) обладают экстравагантной внешностью, которая придётся по душе футбольным фанатам. Габариты "флэшек" 59,2 х 21,66 х 14,34 мм, вес - 16 граммов.
http://www.ixbt.com/news/digimage/bc...ta_cebit/3.jpg
Источник: соб. корр. iXBT

(C)_www.ixbt.com

[grogi]

OCZ и Corsair представляют память с частотой 1 ГГц DDR и выше
Lexagon / 15.03.2006 08:29 / ссылка на материал / версия для печати
Выставка CeBIT 2006 просто не могла обойтись без анонсов скоростных модулей памяти, и ведущие производители оверклокерской памяти представили соответствующие продукты. Осознавая растущую популярность быстрой памяти типа DDR-2, компания OCZ Technology анонсировала модули памяти DDR2 PC2-8000 Platinum XTC Extreme Edition.

Как можно понять из названия, они работают в режиме DDR2-1000, оснащаются радиаторами серии XTC с "сотовым дизайном". Особенностью этих модулей можно считать возможность работы с задержками 4-5-4-15 в режиме DDR2-1000. Обычно на такой частоте память способна работать с более высокими задержками. При этом на модули памяти подаётся напряжение 2.1 В - материнская плата должна обеспечивать соответствующую возможность.

Попутно OCZ представила модули памяти DDR2 PC2-8000 Platinum Enhanced Latency XTC, которые в режиме DDR2-1000 обладают задержками 5-5-5-15. Рабочее напряжение тоже равно 2.1 В. Очевидно, эти модули памяти будут несколько дешевле своих собратьев с более низкими задержками.

OCZ будет предлагать анонсированные модули памяти в виде планок ёмкостью 512 Мб и 1 Гб, а также двухканальных наборов объёмом 1 Гб и 2 Гб соответственно.

Компания Corsair не отстаёт от конкурента, и тоже представляет память с частотой выше 1 ГГц DDR. Фактически, двухканальные комплекты TWIN2X1024-8500 способны работать в режиме DDR2-1066 при таймингах 5-5-5-15 и напряжении 2.2 В. Поскольку платформа Intel в этом году освоит частоту шины 1066 МГц, её сторонникам такая память может пригодиться для синхронного режима работы. По умолчанию в SPD прошиты тайминги 5-5-5-15 и режим DDR2-800.

Для сторонников существующей платформы AMD Socket 939 компания Corsair тоже приготовила новинку - двухканальные наборы TWINX2048-4400PRO. Они способны работать в режиме DDR 550 при таймингах 3-4-4-8, в режиме DDR 500 они работают при значении CL=3 и времени выборки 1T. На корпусе модулей памяти расположены световые индикаторы, отображающие режим работы. Представленные Corsair продукты тоже доступны в виде двухканальных наборов объёмом 1 Гб или 2 Гб.

(C)_www.overclockers.ru

[grogi]

DDR2 продолжает дорожать
16/03/2006 18:01, Александр Фомин
Лидер среди тайваньских производителей памяти, компания Nanya Technology объявила, что столкнулась с возросшим спросом со стороны производителей OEM компьютеров, из-за чего следует ожидать в марте повышения средних контрактных цен на 10 процентов.

По словам Пей-лин Пая (Pei-lin Pai), вице-президента по продажам и маркетингу Nanya, стоимость DDR2 уже выросла на 20 процентов относительно февраля. Общее повышение стоимости DRAM составило 6 процентов. Особенно подчеркивается, что пока не видно, когда цены начнут снижаться, так как многие OEM производители закупают память сверх установленных лимитов, в ожидании скорого повышения спроса на ПК. Повышение спроса на ПК с DDR2 должно произойти не только благодаря выходу новой платформы AMD AM2, но и из-за скорого снижения цен на процессоры Intel.

Некоторую неопределенность в рынок DRAM может внести выход более скоростных DDR2 стандартов. Известно, что AM2 будет поддерживать DDR2-800, как и следующая линейка чипсетов Intel. Однако актуальность вопроса наступит лишь во второй половине 2006 года.

(C)_3dnews.ru

[grogi]

Вдвое больше DDR2 Samsung
17/03/2006 17:08, Алексей Талан
Новое слово в технологии изготовления модулей памяти DDR2 сказала Samsung. Компания собирается наладить производство DDR2-чипов с учётом 80-нм техпроцесса, пока что модули ОЗУ выпускаются по 90-нм нормам. На фото ниже - 2 Гбит 80-нм модули DDR1, изображения 80-нм DDR2 компания пока не показывает.
http://3dnews.ru/_imgdata/img/2006/03/15/15498.jpg
Переход на более совершенную технологию позволит повысить эффективность работы заводов на 50%, считает руководство Samsung. Серьёзно переоборудовать конвейеры не придётся, инженеры разработали подход "half-node", который позволит сохранить существующую инфраструктуру. Тот же метод "half-node" собирается применять и тайваньская фабрика TSMC, выпускающая графические чипы для NVIDIA и ATI. Новые 80-нм 512 Мбит DDR2 чипы будут включать трёхмерный транзисторный дизайн, RCAT (recess channel array transistor).

"С момента дебюта DDR2 в 2004 спрос на память сильно вырос и продолжает расти (судите сами, вскоре не только Intel, но и AMD платформы станут требовать DDR2). Новая 80-нм технология позволит нам следовать за требованиями рынка DDR2 в этом году", - заявил маркетинговый DRAM директор Samsung Том Трилл.

(C)_3dnews.ru