Серийные модули памяти FB-DIMM появятся во второй половине 2005 года

[fear factor]

На страницах нашего сайта мы не раз писали о полностью буферизованной памяти FB-DIMM, и лишь недавно рассказ о характеристиках чипсетов Glenwood и Lakeport выявил упоминание об этой технологии применительно к настольным решениям. Так или иначе, переход на поддержку FB-DIMM приносит больше выгод серверным решениям, однако перспектива распространения технологии EM64T делает это свойство значимым и для настольных систем. По крайне мере, Intel признает, что одно из главных преимуществ EM64T - возможность обращения к памяти свыше 4 Гб предела.

Разумеется, что распространение памяти типа FB-DIMM будет зависеть от усилий Intel и непосредственных производителей памяти. Вчера компания Infineon заявила об успешном проведении испытаний чипа AMB (advanced memory buffer), который станет тем самым волшебным коммутатором, согласующим передачу данных на модулях FB-DIMM поколения DDR-II.



Собственно говоря, подобные чипы будут устанавливаться на модули DDR2-667, DDR2-800 и DDR-III, так что появление первого образца служит знаком начала опытных работ по производству инженерных образцов первых FB-DIMM моделей.

Чип AMB производства Infineon обеспечивает пропускную способность порядка 6.0 Гб/с, что заметно выше требований JEDEC для DDR2-800, устанавливающих рекомендуемую пропускную способность на уровне 4.8 Гб/с. Такой запас скорости передачи данных позволит не только "подружить" чип с новыми типами памяти, но и уменьшить задержки, возникающие на уровне коммутатора.

Сообщается, что поставки опытных образцов модулей DDR-II типа FB-DIMM начнутся в четвертом квартале этого года, а массовые поставки намечены на вторую половину следующего года. В принципе, чипсеты Glenwood, Lakeport и процессоры Smithfield как раз появятся на рынке в этот период. Если инициатива Infineon будет поддержана другими производителями памяти, то дефицита модулей FB-DIMM к моменту анонса соответствующих решений не возникнет. Впрочем, память этого типа будет востребована преимущественно в серверном сегменте, так что рядовых пользователей все эти перемены коснутся нескоро

overclockers.ru

[P@trick]

Infineon начинает выпуск 2.0 нс памяти GDDR-3
Lexagon | 14:37 |

Если в начале этого года мы сомневались в перспективах памяти типа GDDR-3 в сегменте решений класса middle-end, то теперь ситуация изменилась. Тогда подобная память устанавливалась на видеокарты типа Radeon X800 XT PE или GeForce 6800 Ultra, а более дешевая GeForce FX 5700 Ultra с аналогичной памятью казалась уже излишеством. По мере появления требовательных игр типа Doom III и Half Life 2 производительность видеокарт существующего поколения перестала удовлетворять потребителя, и появились новые решения на базе чипов NV43 и RV410. Они использовали память типа GDDR-3 со временем выборки 2.0 нс уже в модификациях стоимостью менее $200 (Radeon X700 Pro), и рынок начал ощущать нехватку подобной памяти, которую до недавнего времени в массовых количествах производил только Samsung.

Как сообщают наши коллеги с сайта HKE PC, ситуация меняется к лучшему. Компания Infineon, успешно производящая память для видеокарт со временем выборки 2.2-2.5 нс, теперь взялась за массовое производство микросхем памяти GDDR-3 со временем выборки 2.0 нс.

Надеемся, что подобный шаг позволит не только снять существующий дефицит видеокарт с памятью данного типа, но и немного снизит их цены. Появление альтернативного производителя памяти породит и специфическую проблему для любителей разгона. Дело в том, что разгонный потенциал памяти обычно зависит от производителя. Например, память GDDR-3 производства Samsung со временем выборки 2.0 нс часто разгонялась до частоты 1200 МГц DDR, что соответствует возможностям 1.6 нс памяти. Это легко объяснить принадлежностью микросхем памяти к одному семейству, в рамках которого происходит деление по признаку времени выборки. Как будет вести себя в разгоне память производства Infineon, сказать заранее сложно.

источник _ overclockers.ru

[P@trick]

Компания Intel ускоряет внедрение FB-DIMM

Корпорация Intel представила набор инструментальных средств для разработки продукции, которые помогут ускорить внедрение новой технологии оперативной памяти для ПК - Fully-Buffered Dual In-Line Memory Module (FB-DIMM), а также других передовых технологий для первой многоядерной серверной платформы Intel под кодовым наименованием Bensley. Intel также аннонсировала программу лабораторного тестирования, предназначенную в качестве централизованного ресурса для производителей аппаратного обеспечения, которые разрабатывают продукцию на базе новых технологий, включая новый стандарт памяти и технологии Intel.

FB-DIMM - это новая архитектура памяти, которая позволяет устранять задержки, связанные с обращением к памяти. Технология FB-DIMM позволит достичь уровня скорости и надежности, необходимого для того, чтобы получить максимум производительности от многоядерных процессоров. В архитектуре FB-DIMM используется также существующая технология DDR2, что позволяет обеспечить необходимую надежность и сократить издержки.

Набор инструментальных средств разработки для платформы Bensley предназначен для производителей модулей памяти, OEM-поставщиков и независимых разработчиков. Он позволит сократить время разработки совместимой продукции на базе набора микросхем с кодовым наименованием Blackford, который используется для платформы Bensley. Начало выпуска этих компонентов планируется на первый квартал 2006 года.

источник _ THG.ru