Hynix перейдёт на 0.10 мкм к концу года - HiTech - новости и новинки компьютерного мира

Unforg1ven · 01.11.2002, 01:53

Hynix Semiconductor сообщила о своем намерении начать производство 512-мегабитных чипов памяти по новой 0.10-микронной технологии в конце этого года. Чипы соответствуют стандартам PC2100, РС2700 и могут использоваться в модулях памяти DDR400. В первой половине 2003 года кроме 512-мегабитных чипов по новому технологическому процессу будут выпускаться чипы 256 Мбит и 1 Гбит. Переход на новый производственный процесс должен несколько снизить цену на память Hynix.

[3DNews]

01.11.2002, 01:53	# 1
Unforg1ven ::VIP:: Регистрация: 02.03.2002 Адрес: в Кремле Сообщения: 4 674	Hynix перейдёт на 0.10 мкм к концу года Hynix Semiconductor сообщила о своем намерении начать производство 512-мегабитных чипов памяти по новой 0.10-микронной технологии в конце этого года. Чипы соответствуют стандартам PC2100, РС2700 и могут использоваться в модулях памяти DDR400. В первой половине 2003 года кроме 512-мегабитных чипов по новому технологическому процессу будут выпускаться чипы 256 Мбит и 1 Гбит. Переход на новый производственный процесс должен несколько снизить цену на память Hynix. [3DNews]