Восстановление битой памяти

[abdu]

Собственно, сабж в заголовке. Есть ли способы?

[dimonk]

Сообщение от abdu

Собственно, сабж в заголовке. Есть ли способы?

где сабж? не вижу сабжа! в правила тыкнуть, да?!

[abdu]

Имелось в виду способы восстановления битой памяти. Диагностика оперативки показывает ошибки на ней.

[Yraman]

Поскольку не знаю программ, которые могут исправить ошибки в контактных группах и починить транзисторы в кристалле-только паяльник.

Сам имел несколько восстановленных планок. Восстанавливал для меня мой друг из 8 однотипных трупиков.

Проверяют сборку подменой на рабочую.
Потом проверяют контакты прогревом-пропайкой.
Потом уже вычисляется убитый банк памяти, выпаивается и меняется на аналогичный.
В итоге я получил 6 планок и пару-тройку банков в запас, если что снова сгорит

[v_mirgorodsky]

Сообщение от Yraman

Проверяют сборку подменой на рабочую.
Потом проверяют контакты прогревом-пропайкой.
Потом уже вычисляется убитый банк памяти, выпаивается и меняется на аналогичный.

Хочу добавить, что заменяемый чип на планке памяти должен быть сугубо идентичен по маркировке чипу на который он меняется. Т.е. в качестве доноров следует использовать планки того же производителя, того же объема, той же плотности (должно быть одинаковое количество чипов на планках). В противном случае можно получить нерабочий или полурабочий модуль памяти, сбоящий в зависимости от фазы луны

[nalapapam]

Сообщение от Yraman

Проверяют сборку подменой на рабочую.
Потом проверяют контакты прогревом-пропайкой.

Yraman, А программно можно(легко ли) вычислить какая именно банка сбоит? Т.е. зная адрес понять в каком именно модуле он находится?

[v_mirgorodsky]

Сообщение от nalapapam

А программно можно(легко ли) вычислить какая именно банка сбоит? Т.е. зная адрес понять в каком именно модуле он находится?

Можно, потому как ошибка будет повторяться только в битом чипе(чипах) на планке. А вот дальше все становится сложнее. Обычно, каждое считываемое значение из планки памяти соответствует подряд стоящим восьми байтам в адресном пространстве. Т.е. сбоящий чип будет проявляться как постоянные сбои в пределах одной и той же группы бит. Разделение же 64 битного слова на "зоны ответственности" каждого из чипов зависит от разрядности самих чипов. Если чипов на планке 8, то каждый чип ответственен за один байт - x8, если их четыре - то за два байта - x16. Дорогая двухстронняя память может комплектоваться чипами с шириной x4 - тогда на планке будет по восемь чипов с каждой стороны. Для простоты лучше запускать чипсет в одноканальном режиме, тогда выяснить паттерн сбоя будет легче.

ЗЫ Если есть конкретный интерес, то могу поискать в своих залежах спецификацию на DDR DIMM.

[XPEHOTPOH]

В принципе, иногда народу помогает так называемый отжиг: установка высокого напряжения на модуль, и запуск тяжелого для памяти приложения (testmem86 5 тест) на дооолгое время (от суток и больше). Подробнее _ttp://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=102428 Насколько это применимо к модулям не на Winbond и Hynix D47, не знаю...